电容器制造技术

本发明专利技术提供一种电容器，其特征在于：具有基板、设置在上述基板上的下部电极、设置在上述下部电极上的电介质膜、设置在上述电介质膜上的上部电极、与上述下部电极连接的第1端子电极、以及与上述上部电极连接的第2端子电极，并且，上述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构；上述电介质膜具有导通孔，在上述导通孔内形成有上述第1端子电极，上述电介质膜的导通孔的宽度为上述第1端子电极的膜厚的2倍以下。2倍以下。2倍以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器


[0001]本专利技术涉及电容器。

技术介绍

[0002]作为半导体集成电路中使用的代表性的电容器元件，例如已知MIM(Metal Insulator Metal)电容器。MIM电容器是具有用下部电极和上部电极夹着绝缘体的平行平板型的结构的电容器。
[0003]例如，专利文献1中公开了一种电容器，如图12所示那样，是在基板101上依次形成绝缘膜102、下部电极103、电介质膜104以及上部电极105的电容器100，其中，贯穿形成在这些上的保护层106而一个端子电极107a与上述上部电极105连接且另一个端子电极107b与上述下部电极103连接。该电容器100形成下部电极103、电介质膜104和上部电极105为MIM(金属
‑
电介质
‑
金属)结构的薄膜电容器。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:国际公开第2018/003445号

技术实现思路

[0007]上述专利文献1记载那样的电容器中，MIM结构侧的端子电极107b沿着设置在保护层106的导通孔而形成且与上部电极连接，另一侧的端子电极107a沿着设置在保护层106和电介质膜104的导通孔而形成且与下部电极连接。其结果是，在端子电极107a、107b的上表面，分别形成凹状的凹痕108a、108b。凹痕108a与凹痕108b相比更深，更深的部分相当于上部电极和电介质膜的厚度。凹痕108a与凹痕108b的深度的差越大，基板安装时产生倾斜、接合不充分等不良情况的风险越大。
[0008]因此，本专利技术的目的在于提供一种电容器，其端子电极的凹痕的深度的差小，安装性优异。
[0009]本专利技术包含以下方式。
[0010][1]一种电容器，其具备：
[0011]基板、
[0012]设置在上述基板上的下部电极、
[0013]设置在上述下部电极上的电介质膜、
[0014]设置在上述电介质膜上的上部电极、
[0015]与上述下部电极连接的第1端子电极、以及
[0016]与上述上部电极连接的第2端子电极，
[0017]上述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构；
[0018]上述电介质膜具有导通孔，
[0019]上述导通孔内形成有上述第1端子电极，
[0020]上述电介质膜的导通孔的宽度为上述第1端子电极的膜厚的2倍以下。
[0021][2]一种电容器，其具备：
[0022]基板、
[0023]设置在上述基板上的下部电极、
[0024]设置在上述下部电极上的电介质膜、
[0025]设置在上述电介质膜上的上部电极、
[0026]与上述下部电极连接的第1端子电极、以及
[0027]与上述上部电极连接的第2端子电极，
[0028]上述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构；
[0029]上述电介质膜具有导通孔，
[0030]上述导通孔被上述第1端子电极填埋。
[0031][3]根据上述[1]或[2]所述的电容器，其中，进一步具有形成于上述下部电极、上述电介质膜和上述上部电极上的保护层。
[0032][4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的电容器，其中，进一步具有形成于上述电介质膜和上述上部电极上的耐湿膜。
[0033][5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的电容器，其中，设置有多个上述导通孔。
[0034][6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的电容器，其中，上述导通孔在俯视时为长方形。
[0035][7]根据上述[1]～[6]中任一项所述的电容器，其中，上述导通孔在俯视时为圆形。
[0036][8]根据上述[1]～[7]中任一项所述的电容器，其中，上述导通孔在俯视时为格子状。
[0037][9]根据上述[1]～[8]中任一项所述的电容器，其中，上述导通孔被与上述上部电极相同的材料覆盖内表面。
[0038][10]根据上述[1]～[9]中任一项所述的电容器，其中，上述导通孔被与上述上部电极相同的材料所填埋。
[0039][11]根据上述[1]～[10]中任一项所述的电容器，其中，上述电容器结构具有凹部。
[0040]根据本专利技术，可以提供安装性高的MIM电容器。
附图说明
[0041]图1为本专利技术的第1实施方式即电容器1a的剖面图。
[0042]图2为省略了图1的电容器1a的端子电极和保护层的平面图。
[0043]图3(a)为省略了本专利技术的第2实施方式即电容器1b的端子电极和保护层的剖面图，图2(b)为平面图。
[0044]图4(a)为省略了本专利技术的第3实施方式即电容器1c的端子电极和保护层的剖面图，图4(b)为平面图。
[0045]图5(a)为本专利技术的第4实施方式即电容器1d的剖面图，图5(b)为平面图。
[0046]图6为本专利技术的第5实施方式即电容器1e的剖面图。
[0047]图7为本专利技术的第6实施方式即电容器1f的剖面图。
[0048]图8为本专利技术的第7实施方式即电容器1g的剖面图。
[0049]图9为本专利技术的第8实施方式即电容器1h的剖面图。
[0050]图10为本专利技术的第8实施方式即电容器1i的剖面图。
[0051]图11(a)～(f)为用于说明本专利技术的第1实施方式即电容器1a的制造方法的剖面图。
[0052]图12为表示现有的MIM电容器的结构的剖面图。
具体实施方式
[0053]以下，对于本专利技术的电容器，参照图例进行详细说明。但是，本专利技术的电容器和各构成要素的形状和配置等不限定于图示的例子。
[0054](第1实施方式)
[0055]将第1实施方式的电容器1a的剖面图示于图1，将省略了端子电极和保护层的平面图示于图2。
[0056]如图1和图2所示，本实施方式的电容器1a大致上具有：基板2、设置在该基板2上的绝缘膜3、设置在该绝缘膜3上的下部电极4、设置在该下部电极4上的电介质膜5、设置在该电介质膜5上的上部电极6、设置在该电介质膜5和该上部电极6上的保护层8、设置在该保护层8上的第1端子电极11a和第2端子电极11b。保护层8具有贯通口15a、15b。另外，电介质膜5具有导通孔9a。第1端子电极11a经过上述贯通口15a和导通孔9a，与下部电极4连接。第2端子电极11b经过上述贯通口15b，与上部电极6连接。第1端子电极11a和第2端子电极11b分别沿贯通口15a、15b的壁面而形成，均在上表面(图1的上侧面)具有凹痕14a、14b。电容器1a中，下部电极4、电介质膜5和上部电极6依次层叠，构成MIM电容器结构，通过在下部电极4与上部电极6之间施加电压，可以在电介质膜5蓄积电荷。由于在本专利技术的电容器中上述第1端子电极11a的凹痕的深度与第2端子电极11b的凹痕的深度的差较小，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电容器，具有：基板、设置在所述基板上的下部电极、设置在所述下部电极上的电介质膜、设置在所述电介质膜上的上部电极、与所述下部电极连接的第1端子电极、以及与所述上部电极连接的第2端子电极，并且，所述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构，其中，所述电介质膜具有导通孔，所述导通孔内形成有所述第1端子电极，所述电介质膜的导通孔的宽度为所述第1端子电极的膜厚的2倍以下。2.一种电容器，具有：基板、设置在所述基板上的下部电极、设置在所述下部电极上的电介质膜、设置在所述电介质膜上的上部电极、与所述下部电极连接的第1端子电极、以及与所述上部电极连接的第2端子电极，并且，所述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构，其中，所述电介质膜具有导通孔，所述导通孔被所述第1端子电极填埋。3.根据权利要求1或2所述的电容器，其中，进一步具有形成于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：香川武史，原田真臣，松原弘，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：