基于抑制的存储器刷新改进电池寿命制造技术

本文公开的是用于减少可能影响平台的电池寿命的各种DRAM技术(例如，高容量DRAM和/或3D DRAM)所消耗的功率的机制和方法。这些机制和方法可以通过抑制对不在使用中的存储器列的周期性刷新命令来机会主义地减少DRAM所消耗的功率。由于这些机制和方法可以基于存储器控制器的增强，所以它们可能因此是操作系统(OS)不可知的。(OS)不可知的。(OS)不可知的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于抑制的存储器刷新改进电池寿命
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2019年6月29日提交的标题为“IMPROVING BATTERY LIFE BASED ON INHIBITED MEMORY REFRESHES(基于抑制的存储器刷新改进电池寿命)”的美国专利申请No.16/458,023的优先权权益，该美国专利申请通过引用整体地并入。

技术介绍

[0003]电池供电的手持式平台当不在使用中时可以将其许多电路系统断电。对此的例外涉及动态随机存取存储器(DRAM)，该DRAM可以保持CPU的执行上下文，因此不应该被断电。DRAM可以被置于活动状态下，或者被置于称为自刷新模式的低功耗数据保留状态下。
[0004]由DRAM用于周期性地刷新其存储电容器所消耗的功率被称为“刷新功率”，然而由DRAM在活动状态下消耗的功率被称为“活动功率”(其可以是刷新功率和读写功率之和)。在诸如64吉比特(Gb)DRAM芯片之类的高密度DRAM器件情况下以及在3D DRAM芯片情况下，预期刷新功率和活动功率会显著增加。这可能导致更快的电池耗尽、缩短的电池寿命、以及对更庞大电池的期望。
附图说明
[0005]根据在下面给出的详细描述并且根据本公开的各种实施方式的附图，将更充分地理解本公开的实施例。然而，虽然附图是为了辅助说明和理解，但是它们仅是辅助手段，而不应该被视为将本公开限于本文描绘的具体实施方式。
[0006]图1图示依照本公开的一些实施例的与S0状态(例如，操作状态)有关的片上系统(SoC)和个体双列直插存储器模块(DIMM)的功率状态。
[0007]图2图示依照本公开的一些实施例的与诸如S3状态或S0ix状态(例如，活动空闲待机功率状态)之类的睡眠状态有关的SoC和个体DIMM的功率状态。
[0008]图3A
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3B图示依照本公开的一些实施例的用于抑制不在使用中的DIMM的存储器刷新周期的设计的高级架构图。
[0009]图4图示依照本公开的一些实施例的用于抑制不在使用中的DIMM的存储器刷新周期的设计的实施方案级框图。
[0010]图5A
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5B图示依照本公开的一些实施例的针对用于抑制不在使用中的DIMM的存储器刷新周期的存储器控制器(MC)增强的流程图。
[0011]图6A
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6C图示依照本公开的一些实施例的用于固件在各种功率转变期间抑制不在使用中的DIMM的存储器刷新周期的流程图。
[0012]图7图示依照一些实施方式的用于通过抑制对不在使用中的存储器列(rank)的刷新命令来减少存储器列所消耗的功率的方法。
[0013]图8图示依照一些实施方式的具有用于通过抑制对不在使用中的存储器列的刷新命令来减少存储器列所消耗的功率的机制的计算机系统或计算装置。
具体实施方式
[0014]在以下描述中，讨论了许多细节以提供对本公开的实施例的更透彻说明。然而，本领域的技术人员将清楚，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施例。在其他情况下，公知结构和装置被以框图形式而不是详细地示出，以便避免使本公开的实施例混淆。
[0015]注意，在实施例的对应附图中，信号用线表示。一些线可能更粗，以指示更大数量的组成信号路径，并且/或者在一个或多个末端具有箭头，以指示信息流的方向。此类指示不旨在为限制性的。相反，这些线连同一个或多个示例性实施例一起使用以促进对电路或逻辑单元的更容易理解。如由设计需要或偏好所规定的任何表示的信号可以实际地包括可以在任一方向上传播的一个或多个信号，并且可以用任何合适类型的信号方案来实现。
[0016]在整个说明书中，并且在权利要求书中，术语“连接”意指被连接的事物之间的直接电、机械或磁连接，而没有任何中间器件。术语“耦合”意指被连接的事物之间的直接电、机械或磁连接或通过一个或多个无源或有源中间器件的间接连接。术语“电路”或“模块”可以是指被布置为彼此合作以提供期望功能的一个或多个无源和/或有源组件。术语“信号”可以是指至少一个电流信号、电压信号、磁信号或数据/时钟信号。“一”、“一个”和“该”的含义包括复数引用。“在
……
中”的含义包括“在
……
中”和“在
……
上”。
[0017]术语“基本上”、“接近”、“大约”、“近乎”和“约”通常是指在目标值的+/
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10％内。除非另外指定，否则使用序数形容词“第一”、“第二”和“第三”等来描述共同对象仅仅表明相同的对象的不同实例被引用，而不旨在暗示如此描述的对象必须在时间上、在空间上、在排名上或以任何其他方式处于给定序列中。
[0018]应当理解，如此使用的术语在适当的情况下是可互换的，使得本文描述的本专利技术的实施例例如能够在除本文图示或以其他方式描述的朝向以外的朝向下操作。
[0019]在说明书中并在权利要求书中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“在
……
上方”、“在
……
下方”等，若有的话，被用于描述目的，而不一定用于描述永久的相对位置。
[0020]出于实施例的目的，各种电路、模块和逻辑块中的晶体管是隧道FET(TFET)。各种实施方式的一些晶体管可以包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其包括漏极、源极、栅极和体端子。晶体管也可以包括三栅极和FinFET晶体管、栅极环绕圆柱形晶体管、方线或矩形带状晶体管或实现晶体管功能的其他器件，例如碳纳米管或自旋电子器件。MOSFET对称的源极和漏极端子，即，是相同的端子并且在这里可互换地使用。另一方面，TFET器件具有不对称的源极和漏极端子。本领域的技术人员将领会，在不脱离本公开的范围的情况下，诸如双极结型晶体管
‑
BJT PNP/NPN、BiCMOS、CMOS之类的其他晶体管可以被用于一些晶体管。
[0021]出于本公开的目的，短语“A和/或B”和“A或B”意指(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的，短语“A、B和/或C”意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。
[0022]另外，本公开中讨论的组合逻辑和顺序逻辑的各种元件可能与物理结构(比如，与门、或门、或异或门)有关，或者与实现作为所讨论的逻辑的布尔等同物的逻辑结构的器件的合成的或以其他方式优化的集合有关。
[0023]本文公开的是用于减少可能影响平台的电池寿命的各种DRAM技术(例如，高容量DRAM和/或3D DRAM)所消耗的功率的机制和方法。这些机制和方法可以通过抑制对不在使
用中的存储器列的周期性刷新命令来适时地减少DRAM所消耗的功率。由于这些机制和方法可以基于存储器控制器(MC)的增强功能，所以它们可能因此是操作系统(OS)不可知的。
[0024]在各种实施例中，可以抑制对在通电之后尚未接收到写入事务的DRAM组件的刷新命令。DRAM的刷新功率可能取决于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，包括：第一电路系统，用于在确定提供给存储器接口的命令是以一系列存储器作为目标的命令时将存储的值设置为预定值，所述命令是如下类型的：针对该类型要采用存储器刷新；第二电路系统，用于生成针对所述一系列存储器的刷新周期；以及第三电路系统，用于基于所述存储的值来防止所述刷新周期传播到作为目标的所述一系列存储器。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述一系列存储器被包含在动态随机存取存储器(DRAM)双列直插存储器模块(DIMM)内。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述一系列存储器是所述DRAM DIMM上的一列存储器。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述命令基于以下项中的至少一项被确定为以所述一系列存储器作为目标的写入命令：所述命令的一个或多个命令位和所述命令的一个或多个芯片选择位。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三电路系统基于所述存储的值来防止刷新周期传播到所述存储器接口。6.根据权利要求1所述的设备，其中，在移除和替换向所述一系列存储器的供电之后，所述存储的值被设置为初始化值。7.根据权利要求1所述的设备，第四电路系统，用于存储以所述存储器接口作为目标的多个命令。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三电路系统防止所述刷新周期进入到所述第四电路系统中。9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其中所述第一电路系统用于在确定提供给所述存储器接口的命令是以多个系列的存储器中的一个系列作为目标的写入命令时将多个存储的值中的一个设置为预定值，所述多个系列的存储器分别与所述多个存储的值对应；其中所述第二电路系统用于生成针对所述多个系列的存储器的刷新周期；以及其中所述第三电路系统用于基于所述多个存储的值中与作为目标的一系列存储器对应的值来防止所述刷新周期从所述第二电路系统传播到作为目标的所述一系列存储器。10.一种设备，包括：到一个或多个系列的存储器的接口；第一电路系统，用于提供分别与所述一个或多个系列的存储器对应的一个或多个指示符，检测提供给所述接口的命令何时是以所述一个或多个系列的存储器中的一个系列作为目标的命令，并且基于所述检测来断言与作为目标的一系列存储器对应的指示符，所述命令是如下类型的：针对该类型要采用存储器刷新；第二电路系统，用于存储分别与所述一个或多个系列的存储器对应的一个或多个值，并且记录所述一个或多个指示符的断言；以及第三电路系统，用于基于所述第二电路系统的与所述一个或多个系列的存储器对应的
所述一个或多个值来防止所述刷新周期传播到所述一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉姆库马尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：