一种半导体结构及其应用制造技术

本实用新型专利技术提出一种半导体结构及其应用，所述半导体外延结构包括第一氮化镓层；第二氮化镓层，形成于所述第一氮化镓层上，其中，所述第一氮化镓层包括柱状晶体结构。通过本实用新型专利技术提供的一种半导体结构，可提高所述半导体结构的质量。构的质量。构的质量。

A semiconductor structure and its application

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其应用
[0001]本专利是专利号为2020220774063，申请日为2020年9月21日，专利技术名称为“一种半导体外延结构及其应用”的分案申请。


[0002]本技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其应用。

技术介绍

[0003]由于第三代半导体材料，例如氮化镓或碳化硅，具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以作为半导体材料，而获得半导体外延结构。
[0004]但是在第三代半导体材料，例如氮化镓作为半导体外延结构时，仍具有多种问题，例如晶格失配等问题等问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种半导体结构及其应用，以降低氮化镓与硅之间的晶格失配，提高所述半导体外延结构的质量。
[0006]为实现上述目的及其他目的，本技术提出一种半导体结构，该半导体结构包括：
[0007]一半导体结构，其特征在于，包括：
[0008]第一氮化镓层；
[0009]第二氮化镓层，形成于所述第一氮化镓层上。
[0010]在本技术一实施例中，所述第一氮化镓层包括柱状晶体结构。
[0011]本技术还提供一种半导体器件结构，其包括所述半导体外延结构。
[0012]在本技术一实施例中，所述半导体器件结构还包括电极，所述电极是形成于所述半导体结构的上、下两侧。
[0013]本技术还提供一种电子装置，其包括所述半导体器件结构。
[0014]本技术还提供一种发光二极管结构，其包括所述半导体外延结构。
[0015]本技术还提供一种功率器件结构，其包括所述半导体器件结构。
[0016]综上所述，本技术提出一种半导体结构及其应用，可以获得高质量的半导体结构，可以提高耐压具有较高的耐压性能，提高所述半导体结构的质量。
附图说明
[0017]图1：本实施例提出的生长腔体的简要示意图。
[0018]图2：本实施例中基座的另一简要示意图。
[0019]图3：本实施例中基座的背面示意图。
[0020]图4：本实施例中加热器的简要示意图。
[0021]图5：本实施例中加热器另一简要示意图。
[0022]图6：本实施例中测温装置的简要示意图。
[0023]图7：本实施例中磁体的简要示意图。
[0024]图8至图9：本实施例中磁体的另一简要示意图。
[0025]图10：本实施例中反射板的简要示意图。
[0026]图11：本实施例中卡箍的简要示意图。
[0027]图12：本实施例中冷却装置的简要示意图。
[0028]图13：本实施例中进气口的简要示意图。
[0029]图14：本实施例中进气管道的简要示意图。
[0030]图15：本实施例中进气管道的底部简要示意图。
[0031]图16至图19：本实施例中进气口的另一简要示意图。
[0032]图20：本实施例提出的半导体设备的简要示意图。
[0033]图21：本实施例中过渡腔体的简要示意图。
[0034]图22：本实施例中冷却板的简要示意图。
[0035]图23：本实施例中底座的简要示意图。
[0036]图24：本实施例中载台及托盘的简要示意图。
[0037]图25：本实施例中清洗腔体的简要示意图。
[0038]图26：本实施例中升降旋转机构的简要示意图。
[0039]图27：本实施例中清洗腔体的另一简要示意图。
[0040]图28：本实施例中衬套及线圈组件的简要示意图。
[0041]图29：本实施例中预热腔体的简要示意图。
[0042]图30：本实施例中加热器的简要示意图。
[0043]图31：本实施例中加热线圈的简要示意图。
[0044]图32：本实施例中测温点的简要示意图。
[0045]图33：本实施例中半导体设备的使用方法流程图。
[0046]图34：本实施例中氮化铝镀膜的分析图。
[0047]图35：本实施例中氮化铝薄膜的电镜图。
[0048]图36：本实施例中氮化铝薄膜的摇摆曲线图。
[0049]图37：本实施例中一种半导体外延结构图。
[0050]图38至图40：本实施例中另一种半导体外延结构图。
[0051]图41：本实施例中一种发光二极管结构图。
[0052]图42：本实施例中另一种半导体外延结构图。
[0053]图43：本实施例中一种半导体功率器件结构图。
[0054]图44至图45：本实施例中一种半导体功外延结构图。
[0055]图46：本实施例中一种发光二极管结构图。
[0056]图47至图51：本实施例中一种微发光二极管形成图。
[0057]图52至图58：本实施例中一种微发光二极管芯片形成图。
[0058]图59至图68：本实施例中另一种微发光二极管芯片形成图。
[0059]图69至图76：本实施例中一种微发光二极管面板形成图。
[0060]图77至图83：本实施例中另一种微发光二极管面板形成图。
[0061]图84：本实施例中一种微发光二极管面板结构图。
[0062]图85：本实施例中一种电子装置结构框图。
[0063]图86：本实施例中一种半导体器件结构图。
[0064]图87：本实施例中一种射频模组框图。
[0065]图88、图90、图92：本实施例中另一种半导体器件结构图。
[0066]图89、图91、图93：本实施例中另一种射频模组框图。
具体实施方式
[0067]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0068]请参阅图1至图36，图1至图36为半导体设备100的具体结构图，利用本公开的半导体设备100在均匀高温下沉积镀膜，可成膜速度快，薄膜(例如氮化铝)的晶格排列呈现柱状晶方向生长，成膜的结晶性好，成膜均匀性也得到提高。其中，相对温度为基板温度与薄膜熔化温度的比值，如果基板温度较低，则相对温度较低，如果基板温度较高，则相对温度较高。
[0069]然不限于上述举例说明的氮化铝薄膜，利用本技术的设备也可应用与其他该质量薄膜，例如金属薄膜、半导体薄膜、绝缘薄膜、化合物薄膜或其他材料的薄膜。再者，在本技术中所形成高质量薄膜可应用于各种半导体结构、电子原件或电子装置中，例如开关元件、功率元件、射频元件、发光二极管、微型发光二极管、显示面板、手机、手表、笔记本电脑、投载式装置、充电装置、充电桩、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一半导体结构，其特征在于，包括：氮化铝层；氮化铝镓层，形成于所述氮化铝层上；第一氮化镓层，形成于所述氮化铝镓层上；第二氮化镓层，形成于所述第一氮化镓层上；间隔氮化铝夹层，设置在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层内。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述第一氮化镓层包括柱状晶体结构。3.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫军，刘美华，
申请(专利权)人：深圳市晶相技术有限公司，
类型：新型
国别省市：