密封容器的制造方法和图像显示装置的制造方法制造方法及图纸

一种密封容器的制造方法，其特征在于：包括：　　　　在衬底上配置把密封空间与该衬底一起划分的构件的步骤；　　　　向由所述衬底和所述构件构成的角部或通过进行所述配置步骤而应该成为角部的部分供给密封材料的步骤；和　　　　在进行了所述配置的状态下，把所述密封材料局部加热到可接合的温度以上的温度后，通过凝固使所述衬底和所述构件分别与所述密封材料密封接合来形成封闭的接合线的步骤。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及密封容器的制造方法。另外，本专利技术还涉及适合于图象显示装置的密封性高的密封容器的制造方法。另外，本专利技术还涉及图象显示装置的制造方法。
技术介绍
作为与平面型图象形成装置中使用的密封容器有关的
技术介绍
，可以列举出特开2001-210258号公报(专利文献1)或特开2000-251654号公报(专利文献2)或特开2001-229828号公报(专利文献3)等。专利文献1公开了具有真空管壳的图象显示装置。特别是公开了在真空槽内，通过低熔点金属材料密封衬底和侧壁的技术。在专利文献2中，作为与密封容器有关的专利技术，公开了“在具有彼此相对的一对面板、支撑该面板间的间隔的支撑构件、用于把所述面板间保持密封的密封部的密封容器中，通过低熔点金属密封所述密封部。”，特别是公开了以密封部为金属构件，一边把金属构件与分别设置的背面板和前面板对位，一边进行重叠后，使用3轴的焊接机械手，依次用低熔点金属接合金属构件的粘贴部，进行容器的密封的结构。另外，在专利文献2中，作为与图象显示装置的制造法有关的专利技术，公开了“具有在真空环境下，把第一衬底和第二衬底搬入真空环境的密封处理室中，在相对的状态下进行加热密封的步骤，该密封步骤中使用的密封材料是低熔点物质。”，大幅度缩短图象显示装置的制造步骤的时间。而且，还存在着与特开2001-210258号公报对应的美国申请公开2002180342以及与特开2001-229828号公报对应的美国申请公开2001034175。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是实现能容易并且以高成品率制造密封容器的新技术。本申请的第一专利技术是一种密封容器的制造方法，包括在衬底上配置把密封空间与该衬底一起划分的构件的步骤；向由所述衬底和所述构件构成的角部或通过进行所述配置步骤而应该成为角部的部分供给密封材料的步骤；在进行了所述配置的状态下，把所述密封材料局部加热到可接合的温度以上的温度后，通过凝固，把所述衬底和所述构件分别与所述密封材料密封接合，形成封闭的接合线的步骤。当局部加热时，通过停止加热，或变更加热位置等，能使此前加热的位置的温度快速下降。为了实现温度的快速下降，希望局部加热到可接合温度以上的温度的位置附近以变为比可接合温度低的温度的条件进行局部加热。须指出的是，可接合温度是指在进行接合步骤的环境中，在该温度下，至少接合成为可能的温度。例如当使用金属作为密封材料时，如果该金属熔化，就变为可接合状态，所以如果是该金属的熔化温度以上，就相当于加热到可密封温度以上的温度。作为把密封材料加热到可接合温度以上的温度的结构，采用组合使用加热局部的给定加热部件、在比基于该给定加热部件的升温更宽的范围中能更均匀地升温的其他加热部件的结构，也能采用组合基于所述给定加热部件的加热和基于所述其他加热部件的加热，把密封材料加热到可密封温度以上的结构。在基于给定加热部件的升温量比所述接合材料低的位置，通过是比可接合所述密封材料的温度还低的温度，能实现快速的冷却。须指出的是，向由所述衬底和所述构件构成的角部或通过进行所述配置步骤而应该成为角部的部分供给密封材料的步骤如果是向由所述衬底和所述构件构成的角部供给密封材料的步骤，就在所述配置步骤后进行，如果是向通过进行所述配置步骤而应该成为角部的部分供给密封材料的步骤，就在配置步骤前进行。但是，形成角部后，通过供给密封材料，在密封材料的供给时，供给定位变得容易，所以特别希望是形成角部后，供给密封材料的结构。另外，作为在此所说的衬底，能使用各种结构的衬底。适合使用玻璃衬底。另外，能使用在基体上覆盖绝缘膜等给定膜的板。另外，能使用在基体上形成布线等给定的构件的板。当使用在基体上形成给定的膜或给定的构件而构成的衬底时，在衬底上配置划分所述密封空间的构件的步骤中，可以在该给定的膜或给定构件上配置划分所述密封空间的构件。须指出的是，在供给密封材料后，通过进行局部加热到可接合温度以上的温度的步骤，能增大密封材料的供给形态的自由度。特别是能使用固体状态的成型的密封材料，所以适合。但是，本申请象以下那样，包含通过供给加热到可接合温度以上的温度的密封材料，进行接合的专利技术。即本申请的第二专利技术是一种密封容器的制造方法，包括在衬底上配置把密封空间与该衬底一起划分的构件的步骤；在进行配置的状态下，向由所述衬底和所述构件构成的角部供给加热到可接合温度以上的温度的密封材料后，通过凝固，把所述衬底和所述构件分别与所述密封材料密封接合，形成封闭的接合线的步骤。特别是在以上的各专利技术中，能适合采用通过对各小区域进行所述接合，形成封闭的接合线的结构。通过对各小区域进行所述接合，形成封闭的接合线是指每次形成封闭的接合线的一部分。对各小区域进行包含一边使接合的部位连续变化一边进行的情况。另外，适合采用成为接合对象的小区域沿着预定形成接合线的位置依次变更的结构，但是并不局限于此。须指出的是，在以上的专利技术中，适合在真空环境下进行所述接合步骤。另外，配置步骤也希望在真空环境下进行。真空环境意味着比周围的气氛减压的气氛，但是当制造在内部具有电子发射元件的密封容器时，希望为10-3Pa以下的压力气氛。另外，当制造密封了所需的气体的密封容器时，希望在包含该气体的气氛中，进行所述接合步骤或配置步骤。另外，在以上的各专利技术中，适合采用一边从密封材料供给构件输送所述密封材料，一边通过局部加热部件使其熔化的结构；或从局部加热部件输送所述熔化的密封构件，提供给所述角部的结构。另外，能采用一边向所述密封材料提供振动，一边进行所述接合的步骤的结构。另外，对所述局部加热适合使用光照射部件。另外，所述密封材料适合为低熔点物质。在此，低熔点物质是熔点或软化点为300℃以下的物质。一般作为密封容器材料具有代表性的玻璃在高温环境下，金属原子特别是银或铅等的扩散容易进行，金属原子的扩散的进行有可能显著损害在容器内形成的或要形成的电子器件的性能。特别在超过300℃的高温下，与时间成比例扩散。因此，金属In或其合金、PbSn等焊锡材料是满足该条件的物质。另外，希望具有为了在进行了所述配置的状态下，在所述角部良好地进行基于密封材料的密封而加工形状的部分即坡口部。该加工可以在进行配置前进行。另外，在配置所述密封材料的部位，作为底层膜，适合采用形成该密封材料和润湿性好的材料。密封材料和润湿性好的材料是指与在不形成基于该材料的底层膜的状态下配置密封材料时的密封材料和密封材料的被配置面的润湿性相比，密封材料和基于该材料的底层膜的润湿性更好的材料。也能采用加热该底层膜，间接加热熔化密封材料的结构。另外，适合采用由增强材料覆盖冷却凝固的密封材料的结构。在所述接合线的给定位置，在与该接合线的长度方向正交的方向切开所述密封材料凝固而成的密封构件的截面具有在通过所述配置由所述衬底和所述构件构成的角部中，与浸入所述衬底和所述构件的相对面之间的侵入长度相比，与所述构件接触的接触长度更长的形状。特别希望所述侵入长度为0。图10A、10B表示该结构。在图10A、10B中，密封构件浸入衬底2和构件3的彼此平行的相对面之间，凝固。该侵入长度为Q2，构件3和密封构件的接触长度为Q1。希望Q1＞Q2，特别希望Q2为0。为了实现它，以在其后通过密封材料的凝固而形成的密封构件中能实现Q1＞Q2的条件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种密封容器的制造方法，其特征在于包括在衬底上配置把密封空间与该衬底一起划分的构件的步骤；向由所述衬底和所述构件构成的角部或通过进行所述配置步骤而应该成为角部的部分供给密封材料的步骤；和在进行了所述配置的状态下，把所述密封材料局部加热到可接合的温度以上的温度后，通过凝固使所述衬底和所述构件分别与所述密封材料密封接合来形成封闭的接合线的步骤。2.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于形成所述封闭的接合线的步骤是通过对各小区域进行使所述衬底和所述构件分别与所述密封材料密封接合的步骤来形成所述封闭的接合线的步骤。3.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于所述衬底是相对的一对衬底的一方，固定在另一方衬底上的框是所述构件。4.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于在真空环境下进行形成所述封闭的接合线的步骤。5.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于在所述局部加热中使用光照射。6.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于所述密封材料是低熔点物质。7.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于在进行了所述配置的状态下，在所述角部具有坡口部。8.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于在配置所述密封材料的部位上形成与该密封材料的润湿性好的材料作为底层膜。9.根据权利要求8所述的密封容器的制造方法，其特征在于加热所述底层膜来间接地对密封材料进行加热熔化。10.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于在所述角部或应该成为角部的部分配置固体状态的成型的密封材料。11.根据权利要求1所述的密封容器的制造方法，其特征在于在所述接合线的给定位置，在与该接合线的长度方向正交的方向上切开由所述密封材料凝固而形成的密封构件后的截面具有在通过所述配置由...

【专利技术属性】
技术研发人员：时冈正树，上田弘治，长谷川光利，小柳和夫，三浦德孝，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：