薄膜沉积设备及用以产生稳定偏压的晶圆承载盘制造技术

本实用新型专利技术为一种薄膜沉积设备及用以产生稳定偏压的晶圆承载盘，主要包括一承载盘、一环状构件及一盖环，其中承载盘的一承载面用以承载至少一晶圆，而环状构件设置在承载盘上，并位于承载面及晶圆的周围。环状构件包括一外表面及一内表面，其中环状构件的内表面覆盖承载盘的部分侧面，并使得承载盘的部分侧面为裸露。当盖环连接环状构件时，盖环的遮挡部会遮挡承载盘裸露的侧面，以避免在承载盘裸露的侧面上形成薄膜，以利在承载盘上形成均匀且稳定的偏压。稳定的偏压。稳定的偏压。

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积设备及用以产生稳定偏压的晶圆承载盘


[0001]本技术有关于一种薄膜沉积设备及用以产生稳定偏压的晶圆承载盘，其中承载盘的部分侧面为裸露，并通过盖环遮挡承载盘裸露的侧面，以利在承载盘上形成均匀且稳定的偏压。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
[0003]沉积的设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。腔体内的惰性气体因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体，其中离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。
[0004]具体而言，晶圆承载盘产生的偏压及温度的稳定度会对晶圆表面的薄膜沉积质量造成相当大的影响，为此如何使得晶圆承载盘产生稳定的温度及偏压，是薄膜沉积制程中重要的课题之一。

技术实现思路

[0005]如先前技术所述，在进行沉积制程时通常需要在晶圆承载盘形成一偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆，以提高沉积在晶圆表面的薄膜的质量及均匀度。为此本技术提出一种新颖的晶圆承载盘，主要通过一盖环遮挡晶圆承载盘裸露的侧面，以避免在晶圆承载盘裸露的侧面沉积薄膜，以利在承载盘上形成均匀且稳定的偏压。
[0006]本技术的一目的，在于提出一种用以产生稳定偏压的晶圆承载盘，主要包括一承载盘、一环状构件及一盖环，其中承载盘包括一承载面及至少一侧面，侧面位于承载面的周围。承载盘的承载面用以承载至少一晶圆，而环状构件接触或连接承载盘的侧面，并位于承载面及晶圆的周围。
[0007]环状构件包括一内表面及一外表面，其中环状构件的内表面为接触开口的侧表面。环状构件的内表面接触及/或覆盖承载盘的部分侧面，其中未被环状构件覆盖的承载盘的部分或全部侧面为裸露。在进行沉积制程时，可在承载盘的承载面及裸露的侧面上形成偏压，使得承载盘的承载面及侧面皆可用以吸引电浆。
[0008]此外当承载盘的环状构件连接盖环时，盖环的遮挡部会遮挡环状构件及/或承载盘裸露的侧面，以避免在承载盘裸露的侧面上沉积薄膜。具体而言，当盖环连接环状构件时，盖环的遮挡部会高于或等于承载盘的承载面，并可有效遮挡承载盘裸露的侧面，可大幅降低在承载盘裸露的侧面上形成薄膜的机会。本技术所述的晶圆承载盘可长时间在承
载面及侧面形成偏压，使得承载盘的承载面及侧面可持续吸引电浆，并在晶圆承载盘承载的晶圆表面沉积均匀的薄膜。
[0009]本技术的一目的，在于提出一种用以产生稳定偏压的晶圆承载盘，主要包括一承载盘、一环状构件及一盖环，其中承载盘包括一导电部及一加热单元。导电部及加热单元为层迭设置，其中导电部会较加热单元靠近晶圆承载盘承载的晶圆。环状构件连接承载盘，其中环状构件的内表面仅覆盖加热单元的侧面，而不会覆盖导电部全部的侧面，以利于在导电部裸露的侧面形成偏压。当盖环接触环状构件时，盖环的遮挡部会遮挡环状构件及导电部裸露的侧面，以避免在导电部的侧面形成薄膜，而影响导电部的侧面形成的偏压。
[0010]本技术的一目的，在于提出一种用以产生稳定偏压的晶圆承载盘，主要包括一承载盘、一环状构件及一盖环，其中承载盘包括一导电部、一绝缘导热单元及一加热单元。绝缘导热单元位于加热单元及导电部之间，用以电性隔离加热单元及导电部，以防止加热单元及导电部相互导通，而影响导电部上形成的偏压的稳定度。
[0011]此外环状构件的内表面仅覆盖加热单元的侧面及/或绝缘导热单元的侧面，而不会覆盖导电部全部的侧面，以利于在导电部裸露的侧面形成偏压。盖环的遮挡部会遮挡环状构件及导电部裸露的侧面，以避免在导电部裸露的侧面形成薄膜，进而影响导电部的侧面形成的偏压。
[0012]为了达到上述的目的，本技术提出一种薄膜沉积设备，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，设置在腔体上，流体连接腔体的容置空间，并用以将一制程气体输送至容置空间；至少一承载盘，包括一承载面及至少一侧面，承载面用以承载至少一晶圆，而侧面则位于承载面的周围；一加热单元及一导电部，位于承载盘内，其中导电部较靠近承载盘的承载面，且加热单元包括至少一加热线圈；一环状构件，设置在承载盘上，并位于晶圆的周围，其中环状构件包括一外表面及一内表面，环状构件的内表面覆盖加热单元的一侧面，而部分或全部导电部的一侧面为裸露；至少一挡件，位于腔体的容置空间内，其中挡件的一端具有一环形凸缘；一盖环，设置在挡件的环形凸缘上，其中盖环包括一开口及至少一遮挡部，遮挡部朝开口的径向内的方向延伸；及一驱动单元，用以驱动承载盘相对于挡件位移，其中驱动单元带动承载盘朝挡件位移，使得盖环连接环状构件，盖环的遮挡部会遮挡导电部裸露的侧面。
[0013]本技术提供另一种薄膜沉积设备，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，设置在腔体上，流体连接腔体的容置空间，并用以将一制程气体输送至容置空间；至少一承载盘，包括一承载面及至少一侧面，承载面用以承载至少一晶圆，而侧面则位于承载面的周围，而承载盘靠近承载面的侧面上包括一环形凹槽；一环状构件，设置在承载盘的该环形凹槽内，并位于晶圆的周围，其中环状构件包括一外表面及一内表面，环状构件的内表面覆盖承载盘的部分侧面，而承载盘的部分侧面则未被环状构件的内表面覆盖并为裸露；至少一挡件，位于腔体的容置空间内，其中挡件的一端具有一环形凸缘；一盖环，设置在挡件的环形凸缘上，其中盖环包括一开口及至少一遮挡部，遮挡部朝开口的径向内的方向凸出；及一驱动单元，用以驱动承载盘相对于挡件位移，其中驱动单元带动承载盘朝挡件位移，使得盖环连接环状构件，盖环的遮挡部会遮挡承载盘裸露的侧面。
[0014]本技术提供一种用以产生稳定偏压的晶圆承载盘，包括：至少一承载盘，包括一承载面及至少一侧面，承载面用以承载至少一晶圆，而侧面则位于承载面的周围；一加热
单元及一导电部，位于承载盘内，其中导电部较靠近承载盘的承载面，且加热单元包括至少一加热线圈；一环状构件，设置在承载盘上，并位于晶圆的周围，其中环状构件包括一外表面及一内表面，环状构件的内表面覆盖加热单元的一侧面，而部分或全部导电部的一侧面为裸露；及一盖环，包括一开口及至少一遮挡部，遮挡部朝开口的径向内的方向延伸，其中盖环连接环状构件时，盖环的遮挡部会遮挡承载盘的侧面。
[0015]所述的用以产生稳定偏压的晶圆承载盘及薄膜沉积设备，其中环状构件包括至少一凹槽，位于环状构件的内表面及外表面之间，环状构件的凹槽与内表面形成一第一凸部，环状构件的凹槽与外表面则形成一第二凸部，且第一凸部的高度低于第二凸部。
[0016]所述的用以产生稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，设置在该腔体上，流体连接该腔体的该容置空间，并用以将一制程气体输送至该容置空间；至少一承载盘，包括一承载面及至少一侧面，该承载面用以承载至少一晶圆，而该侧面则位于该承载面的周围；一加热单元及一导电部，位于该承载盘内，其中该导电部较靠近该承载盘的该承载面，且该加热单元包括至少一加热线圈；一环状构件，设置在该承载盘上，并位于该晶圆的周围，其中该环状构件包括一外表面及一内表面，该环状构件的该内表面覆盖该加热单元的一侧面，而部分或全部该导电部的一侧面为裸露；至少一挡件，位于该腔体的该容置空间内，其中该挡件的一端具有一环形凸缘；一盖环，设置在该挡件的该环形凸缘上，其中该盖环包括一开口及至少一遮挡部，该遮挡部朝该开口的径向内的方向延伸；及一驱动单元，用以驱动该承载盘相对于该挡件位移，其中该驱动单元带动该承载盘朝该挡件位移，使得该盖环连接该环状构件，该盖环的该遮挡部会遮挡该导电部裸露的该侧面。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，其中该环状构件包括至少一凹槽，位于该环状构件的该内表面及该外表面之间，该环状构件的该凹槽与该内表面形成一第一凸部，该环状构件的该凹槽与该外表面则形成一第二凸部，且该第一凸部的高度低于该第二凸部。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，其中该盖环连接该环状构件时，该盖环的该遮挡部高于或等于该承载盘的该承载面。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，包括一绝缘导热部位于该导电部及该加热单元之间，并用以电性隔离该导电部及该加热单元。5.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，设置在该腔体上，流体连接该腔体的该容置空间，并用以将一制程气体输送至该容置空间；至少一承载盘，包括一承载面及至少一侧面，该承载面用以承载至少一晶圆，而该侧面则位于该承载面的周围，而该承载盘靠近该承载面的该侧面上包括一环形凹槽；一环状构件，设置在该承载盘的该环形凹槽内，并位于该晶圆的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，王俊富，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：新型
国别省市：