具有对准标记的等离子体显示板及形成标记的方法和设备技术

本发明专利技术涉及一种在第一基板和第二基板之间的间隙内具有等离子体放电结构的等离子体显示板，其包括在与第二基板相对的第一基板的表面上形成的至少一个对准标记，每个该对准标记包括数个腔。一种使用胶印工艺形成对准标记的方法，其包括在凹版中以所要印刷的对准标记的形状形成凹形，并同时在该凹形内形成数个凸起；以用于对准标记的膏填充凹形；从凹形转移膏到印刷用毡；及从印刷用毡转移膏到等离子体显示板的基板。一种对准标记形成工艺利用凹版进行上述方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示板(PDP)，并特别涉及一种不会形成缺陷的带有对准标记的PDP。本专利技术还涉及使用胶印方法形成对准标记的方法和设备。
技术介绍
PDP是一种通过等离子体放电对磷光体的激发来实现图像显示的显示装置。由气体放电获得的等离子体发出的真空紫外线(VUV)激发磷光体层，然后磷光体层发出可见光从而形成图像。由于它的高分辨率并可以制成大屏幕尺寸，PDP技术有希望成为领先的下一代平板显示屏技术。在传统PDP的基本结构中，寻址电极、隔离壁(barrier rib)和磷光体层在后基板上形成，而由扫描电极和维持电极构成的显示电极在前基板上形成。每个扫描电极和维持电极都包括由具有一定透射系数的材料(例如氧化铟锡)制成的透明电极及保证扫描电极和维持电极导电的金属总线电极。寻址电极和显示电极分别被第一介电层和第二介电层所覆盖。MgO保护层在第二介电层上形成。放电单元在寻址电极和显示电极交叉处的放电空间中形成，并且放电气体(通常为Ne-Xe混合气体)充满放电单元。扫描电极分别与维持电极以其间形成的预定放电间隙相对设置。放电间隙对应于放电单元的中心。隔离壁沿与寻址电极的形成相同的方向形成为条形使得放电单元在该方向相互连通。电极在基板上的精确排列及基板相互精确对准非常重要。最近，随着透明电极的不断复杂化，正确对准单位单元更加必要。基板尺寸的增加加剧了用于PDP的玻璃和透明电极中的变形问题。这使得在PDP制造过程中的对准工艺更加复杂。为了进行对准，在基板上形成对准标记。对准标记可以在形成电极、介电层和其他元件期间同时形成。丝网印刷和光刻方法用于形成总线电极。浮脱(lift-off)和薄膜方法也进行了探索。最近以来偏向选择胶印方法。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种对准标记形成方法和设备，使其转印的对准标记膏的量最小，并且防止对准标记在转印到基板上的过程中发生变形。本专利技术的另一个目的是提供一种带有对准标记的PDP，其中防止了在对准标记形成和定位中的缺陷，从而由此保证PDP元件的精确对准。一种在第一基板和第二基板之间的间隙内具有等离子体放电结构的等离子体显示板，其包括在与第二基板相对的第一基板的表面上形成的至少一个对准标记，每个该对准标记包括数个腔。腔可以按提供的相邻腔间的预定间隔以基本上一致的图案排列。间隔相互连接形成网格图案。另一方面，每个对准标记的外部边界由边缘限定，并且处在边缘处的腔为边缘所封闭。在另一方面，每个对准标记的腔形成为网格图案。每个腔具有圆形或多边形的横截面形状。对准标记使用胶印工艺形成。一种使用胶印工艺形成对准标记的方法，其包括在凹版中以所要印刷的对准标记的形状形成凹形，并同时在该凹形内形成数个凸起；以用于对准标记的膏填充凹形；从凹形转移膏到印刷用毡(printing blanket)；及从印刷用毡转移膏到等离子体显示板的基板。凸起用蚀刻工艺形成。凹版为平板的形式或滚筒的形式。一种包括具有以用于形成对准标记的膏填充的凹形的凹版和用于转移膏到基板的毡的对准标记形成设备，并在凹版的凹形内形成的数个凸起。凸起具有圆形或多边形的横截面形状。附图说明图1是传统PDP的局部分解透视图。图2是根据本专利技术示例性实施例的带有对准标记的PDP前基板和后基板的分解透视图。图3是图2的对准标记的俯视图。图4是根据本专利技术的另一示例性实施例的对准标记的俯视图。图5是根据本专利技术的又一示例性实施例的对准标记的俯视图。图6是根据本专利技术的示例性实施例利用胶印工艺的形成对准标记的设备的示意图，示出了处于使用状态的形成对准标记的设备。图7是根据本专利技术的示例性实施例涉及在基板上形成对准标记的连续工序的截面图。图8是根据本专利技术的另一示例性实施例利用胶印工艺的形成对准标记的设备的示意图。具体实施例方式现在将参照附图描述本专利技术的示例性实施例。图1是传统PDP的局部分解透视图。寻址电极3、隔离壁5和磷光体层7在第一基板(后基板)1上形成，并且包括扫描电极11和维持电极13的显示电极15在第二基板(前基板)9上形成。每个扫描电极11包括用具有高透射系数的材料(例如ITO)制成的透明电极11a，和用金属制成使得扫描电极11导电的总线电极11b。类似地，每个维持电极13包括用具有高透射系数的材料(例如ITO)制成的透明电极13a，和用金属制成使得扫描电极13导电的总线电极13b。寻址电极3和显示电极15分别由第一介电层17和第二介电层19所覆盖。MgO保护层21在第二介电层19上形成。放电单元在放电区域形成，在该处寻址电极3与显示电极15交叉。放电气体(通常为Ne-Xe混合气体)充满放电单元。图2是根据本专利技术示例性实施例的带有对准标记的PDP前基板和后基板的分解透视图。PDP的放电结构在位于前基板21和后基板22交迭的区域内的显示区域26内形成。对准标记24在显示区域26的外部形成，对准标记24在密封前基板21和后基板22时用于对准前基板21和后基板22。对准标记24可以在总线电极或寻址电极的形成期间使用电极膏形成。对准标记24也在曝光工艺中用作参考点。如图2所示，根据本专利技术的每个对准标记24包括在预定区域形成的多个腔24a。图3是基本沿图2中垂直于前基板21的方向显示的对准标记24的俯视图。参照图3，腔24a以相邻腔24a之间具有预定间隔的一致图案排列。腔24a之间的间隔可以填充膏来形成预定图案。作为一个示例，如图3所示间隔相互连接并形成网格图案。凹槽在胶印工艺中使用的凹印平板(gravure plate)内形成，并且当凸起在凹槽中形成之后，用膏填充凹槽并进行印刷，由此形成腔24a。腔24a可以具有圆形、正方形、矩形等横截面形状。在第一个示例实施例中，腔24a具有正方形的横截面构形。另外，对准标记24可以沿着边缘相互连接。在与后基板22相对的表面上，对准标记24可以完全相互连接而不形成腔。图4是根据本专利技术的另一示例性实施例的对准标记的俯视图。在此示例性实施例中，数个腔25a可以在对准标记25内形成，并且如上一个实施例在腔25a之间形成预定间隔。然而，在这个实施例中腔25a的形状并不全部相同。即腔25a形成具有正方形、三角形和梯形的横截面形状。对准标记25的外部边界由边缘来限定，并且处在这些区域的腔25a为该边缘所封闭。图5是根据本专利技术的又一示例性实施例的对准标记的俯视图。在此示例性实施例中，像前一个实施例一样，数个腔26a在对准标记26内形成。然而，在这个实施例中，腔26a形成为相互连接的网格图案。图6是根据本专利技术示例性实施例的利用胶印工艺的对准标记形成设备的示意图，示出了处于使用状态的对准标记形成设备。凹形33在凹印平板31内形成，并且凹形33用膏(paste)填充。填充凹形33之后膏被转移到毡(blanket)35上，然后膏又从毡35转移到玻璃基板37上。在实际生产中，数个凹形33在凹印平板31内形成。凸起40在凹形33内形成。凸起40可以具有圆形、正方形、矩形、多边形等横截面形状。在凹印平板31内形成的凹形33和凸起40可以通过蚀刻工艺形成，在这种情况下，相关步骤包括光致抗蚀剂的沉积、使用光掩模曝光和显影。因为以这种方式进行的蚀刻在本领域所熟知，所以这里不提供相关工艺的详细描述。图7是根据本专利技术示例性实施例的涉及在基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示板，其在第一基板和第二基板之间的间隙内具有等离子体放电结构，其包括：在第一基板的与第二基板相对的表面上形成的至少一个对准标记，每个该对准标记包括数个腔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋詠和，吴丞宪，卢昌锡，文喆熙，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]