本实用新型专利技术提供一种半导体设备的压力测量装置，所述半导体设备的压力测量装置，包括：壳体，安装在所述半导体设备内，所述壳体顶部设有进气口，底部设有出气口，且所述壳体内部设置有通风腔；通风窗，设置在所述进气口处；导流座，设置在所述通风腔内，且所述导流座与所述通风腔的内壁具有间隙；测压装置，设置在所述出气口处。本实用新型专利技术能够实时监测机台内部的压力变化，减少晶圆缺陷的产生，避免产能损失。失。失。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备的压力测量装置
[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体设备的压力测量装置。
技术介绍
[0002]半导体设备内部由于存在向下流通的气流，使得每个区块都存在压差，因为压差的存在，可以将例如异常离子由内到外排出机台，保持机台内部环境的洁净，减少晶圆产品缺陷的产生，提高良品率，所以我们需要监测半导体设备内部每个区域内的压力变化。
[0003]然而，现有的工具监测机台，测量压力时，一次只能测量一个点，无法实时监测机台内部的压力，当区域压差超出气流标准时，工作人员无法第一时间发现，进而引起晶圆产品缺陷的产生，造成公司产能损失。且现有的工具监测机台，测量管路过长，传送的过程中造成压力损失，测量设备不灵敏，测量结果误差大，且每次测量压力时需要停机测量，减少了机台正常运行时间，从而浪费造成不必要的浪费。
技术实现思路
[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体设备的压力测量装置，实现实时自动监测半导体设备不同区域的压力，以提升机台的正常运行时间，避免人为测量和仪器造成的测量结果误差。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体设备的压力测量装置，具体包括：
[0006]壳体，安装在所述半导体设备内，所述壳体顶部设有进气口，底部设有出气口，且所述壳体内部设置有通风腔；
[0007]通风窗，设置在所述进气口处；
[0008]导流座，设置在所述通风腔内，且所述导流座与所述通风腔的内壁具有间隙；以及
[0009]测压装置，设置在所述出气口处。
[0010]在本技术的一个实例中，所述半导体设备设有多个气压检测区，每个所述气压检测区内设置有所述压力测量装置。
[0011]在本技术的一个实例中，所述测压装置包括：
[0012]圆盘，设置在所述壳体的出气口处；以及
[0013]压力计，与所述圆盘连接。
[0014]在本技术的一个实例中，所述测压装置包括弹性装置，所述弹性装置的一端与所述圆盘连接，所述弹性装置的另一端与所述压力计连接。
[0015]在本技术的一个实例中，所述测压装置包括底座，所述压力计固定在所述底座上。
[0016]在本技术的一个实例中，所述压力测量装置还包括连接电机，所述通风窗通过所述连接电机与所述壳体连接。
[0017]在本技术的一个实例中，所述导流座包括：
[0018]第一挡流板，设置在所述通风腔内，且位于靠近所述进气口的一侧；
[0019]第二挡流板，其一侧连接所述第一挡流板；
[0020]第三挡流板，设置在所述通风腔内，且位于靠近所述出气口的一侧，并与所述第二挡流板的另一侧连接。
[0021]在本技术的一个实例中，所述第一挡流板和所述第三挡流板呈圆柱形设置。
[0022]在本技术的一个实例中，所述第三挡流板的半径小于所述第一挡流板的半径。
[0023]在本技术的一个实例中，所述第二挡流板垂直于所述第一挡流板和所述第三挡流板。
[0024]综上所述，本技术提供一种半导体设备的压力测量装置，通过本技术，实现了自动测量压力，且通过在不同气压检测区内分别设置压力测量装置，可以同时检测各气压检测区内的压力，增加了检测效率，实现了统一标准，避免人为测量和仪器造成的结果误差。本技术还能实现实时监控半导体设备内部的压力变化，当气压超出气流标准时，可根据设定发出警报，以提醒工作人员，调整区域内的压力及时发现半导体设备内部环境的变化，减少晶圆缺陷的产生，避免产能损失。
附图说明
[0025]图1为一种半导体设备内部区域结构示意图。
[0026]图2为一种压力测量工具示意图。
[0027]图3为一种半导体设备示意图。
[0028]图4为一种气压检测区域示意图。
[0029]图5为一种半导体设备的压力检测装置结构示意图。
[0030]图6为一半导体设备的压力测量装置电气连接框图。
[0031]标号说明：
[0032]100气压检测区域；110第一气压检测区；120第二气压检测区；130第三气压检测左区； 131第三气压检测中区；132第三气压检测右区；140第四气压检测区；150第五气压检测区； 160第六气压检测左区；161第六气压检测右区；171第七气压检测一区；172第七气压检测二区；173第七气压检测三区；174第七气压检测四区；175第七气压检测五区；200测量工具；301半导体设备；302测量口；400压力测量装置；410机台壁；420壳体；421通风腔； 430通风窗；440连接电机；450导流座；451第一挡流板；452第二挡流板；453第三挡流板； 461进气口；462出气口；471圆盘；472底座；473压力计；474弹性装置；480连接杆；510 第一控制器；520驱动电路；530第二控制器。
具体实施方式
[0033]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0034]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构
想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0035]由于半导体设备内部存在气流，使得半导体设备内的每个区域都形成了压力，因为压差的存在，可以将异常离子由内到外排出设备机台，保持机台内部环境的清洁度，减少晶圆产品缺陷的产生，提高良品率。因此，需要保持机台内部的压差符合气流标准，所以实时监控机台内部区域的压力时非常有必要的。
[0036]请参阅图1所示的半导体设备内部区域示意图，半导体设备内部气压检测区域100包括多个气压检测区，在本实施例中，半导体设备内部气压检测区域100包括第一气压检测区110，第二气压检测区120、第三气压检测区、第四气压检测区140、第五气压检测区150、第六气压检测区以及第七气压检测区。第三气压检测区包括第三气压检测左区130、第三气压检测中区131和第三气压检测右区132。第六气压检测区包括第六气压检测左区160和第六气压检测右区161。第七气压检测区包括第七气压检测一区171、第七气压检测二区172、第七气压检测三区173、第七气压检测四区174、第七气压检测五区175。
[0037]值得说明的是，因为不同气压检测区存在的压差，为了使半导体设备进行正常工作，根据不同气压检测区维持气流的标准，例如在本实施例中，符合半导体设备要求的气压高低情况为：第六气压检测区的气压&g本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的压力测量装置，其特征在于，包括：壳体，安装在所述半导体设备内，所述壳体顶部设有进气口，底部设有出气口，且所述壳体内部设置有通风腔；通风窗，设置在所述进气口处；导流座，设置在所述通风腔内，且所述导流座与所述通风腔的内壁具有间隙；以及测压装置，设置在所述出气口处。2.根据权利要求1所述的半导体设备的压力测量装置，其特征在于，所述半导体设备设有多个气压检测区，每个所述气压检测区内设置有所述压力测量装置。3.根据权利要求1所述的半导体设备的压力测量装置，其特征在于，所述测压装置包括：圆盘，设置在所述壳体的出气口处；以及压力计，与所述圆盘连接。4.根据权利要求3所述的半导体设备的压力测量装置，其特征在于，所述测压装置包括弹性装置，所述弹性装置的一端与所述圆盘连接，所述弹性装置的另一端与所述压力计连接。5.根据权利要求4所述的半导体设备的压力测量装置，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘汉子，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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