场发射照明光源制造技术

本发明专利技术涉及一种场发射照明光源，其包括：一导电阴极；一阳极层，其与该导电阴极相隔一定距离从而形成一真空的内部空间；一设置在该阳极层表面的荧光层；一绝缘层，位于所述真空的内部空间内，并靠近该导电阴极；及多个电子发射端，用以发射电子；其中，该电子发射端分别包括一柱状体及一锥形尖端，该柱状体形成于绝缘层上，且与绝缘层形成一整体；该锥形尖端为金属钼，形成于柱状体顶部。本发明专利技术场发射照明光源可广泛用于照明设备，如汽车头灯等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种照明光源，特别涉及一种场发射发光照明光源。
技术介绍
人工照明光源一般可分为白炽灯、放电灯及固态光源，包括白炽灯，荧光灯管，LED，卤素灯，高压气体放电灯(High Intensity Discharge，HID)等各种照明光源。其中，白炽灯是钨丝通电后发热发光，同时产生大量热量，其发光效率较低(约8-151m/w)，亮度有限，一般用于日常生活照明；荧光灯管采用放电激发汞蒸汽发出紫外线打到荧光材料上发出可见光，一般用于普通日常生活照明，其优点是发光效率高(达到80lm/w)，缺点是含有汞，对环境及人体有害，因而不适合环保要求；LED是一种固态光源，包括各种红光LED、黄光LED、蓝光LED及白光LED，其优点包括反应速度快、体积小、无污染，缺点是发光效率低(约20-30lm/w)，目前应用于车内照明、装饰彩灯等；卤素灯及HID灯是目前汽车头灯的主流，尤其是HID灯，其可发出色温接近白昼阳光的光纤(HID灯的色温约4300K-10000K，阳光色温6000K)，且HID较卤素灯具有更远的视线等优点，但是，HID需将低电压转换为23000伏高电压，激发氙气发出电弧光，然后将电压稳定在8000伏，持续供应氙气灯泡发光，因此，其需要配合特殊电压电流转换设备方可工作，例如美国专利第6,710,551号及6,781,327号。场发射光源是一种新兴光源，其发光原理是在电场作用下，低电势处金属尖端、碳纳米管等电子发射体发射出电子，轰击高电势处的荧光体而发出可见光，该光源节能、环保，请参阅″A Fully Sealed Luminescent Tube Based onCarbon Nanotube Field Emission″，Mirko Croci，et al，Microelectronics Journal，vol.35，p329-336(2004)。2001年1月17日公开的中国大陆专利技术专利申请第00107813.5号揭露一种使用碳纳米管的场发射白光源及其制造方法。此白光源主要包括用作阴极的金属薄膜，形成于金属薄膜上的导电聚合物薄膜图案，碳纳米管基本垂直固结在导电聚合物薄膜图案上并且一端露出外面以发射电子，以及具有荧光体的透明电极。使用时，碳纳米管发射电子轰击荧光体，从而发出可见光。这种基于场发射的白光源具有电能转换效率高，发光效率较高，无污染等优点，但是，上述场发射白光源因碳纳米管是依赖粘着力固定在导电聚合物薄膜的上，因此，当场发射电场强度增强时，碳纳米管有可能由于电场作用力而脱离导电聚合物薄膜，从而产生损坏。有鉴于此，提供一种结构稳定，可承受较高电场作用而不产生损坏，且发光亮度较高的场发射照明光源实为必要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种场发射照明光源，其具有结构稳定，可承受强电场作用而不易损坏的特点。本专利技术解决上述技术问题的技术方案是提供一种场发射照明光源，其包括一导电阴极；一阳极层，其与该导电阴极相隔一定距离从而形成一真空的内部空间；一荧光层，设置于该阳极层表面，当被电子轰击时发出可见光；一绝缘层，位于所述真空的内部空间内，并靠近该导电阴极；及多个电子发射端，用以发射电子；其中，该电子发射端分别包括一柱状体及一锥形尖端，该柱状体形成于绝缘层上，与绝缘层形成一整体；该锥形尖端为金属钼，形成于柱状体顶部。所述绝缘层及柱状体是由碳化硅制成。所述柱状体包括圆柱或棱柱体，其为圆柱体时直径范围是10～100纳米。所述锥形尖端顶部直径范围是0.5～10纳米。所述电子发射端的高度范围是100～2000纳米。所述锥形尖端通过溅镀、磁控溅射或离子束溅射方式形成于柱状体顶部。另外，在该绝缘层与该导电阴极之间还包括一成核层，该成核层是由硅材料组成。该导电阴极由铜、银或金制成。与现有技术相比，本专利技术场发射照明光源的电子发射端是由直径小于100纳米的绝缘柱状体及尖端顶部直径小于10纳米的锥形金属尖端组成，其中绝缘柱状体是与其绝缘层为一整体，金属钼尖端通过溅镀方式形成于柱状体顶部，结构稳定不易脱落，可承受更大电场作用，且电场集中于所述锥形金属尖端发射电子，可提高电子发射密度；另外，金属钼具有良好场发射性能，从而可获得稳定、均匀、高亮度的照明光源。附图说明图1是本专利技术第一实施例的剖面示意图；图2是本专利技术第二实施例的剖面示意图；图3是本专利技术电子发射体的局部放大示意图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术作详细说明。请参阅图1，本专利技术第一实施例提供一种场发射照明光源1，其包括依次叠合形成于一金属基底10表面上的导电层11、一成核层12、以及碳化硅层13；多个纳米电子发射体有规则排列形成于该碳化硅层13表面，各纳米电子发射体是分别由柱状体18及锥形尖端19组成，该柱状体18与该碳化硅层13形成一整体，优选其二者由相同材料组成；一顶层17，其与所述纳米电子发射体的锥形尖端19间隔开一定距离，一阳极层16形成于该顶层17靠近该锥形尖端19的表面，一荧光层15形成于该阳极层16的表面；另外，多个侧壁14将该场发射照明光源10密封并支撑所述顶层17，从而形成一内部真空空间。所述金属基底10包括铜、银等金属材料，其表面光滑平整，以利于形成导电层11、成核层12或碳化硅层13。金属基底10具有良好机械性能，不易破碎，便于实际应用。所述导电层11厚度非常薄，优选厚度为1微米以下。该导电层11作为阴极，其是由导电性良好的金属材料形成，例如铜、银及金。由于金属基底10亦具有良好导电性能，故该金属基底10即可兼作导电阴极，因此金属基底10与导电层11通常为一体。所述成核层12是由硅组成，由硅沉积于金属基底11表面或导电层表面而成，厚度非常薄，优选厚度为1微米以下。该成核层12有利于形成碳化硅层13，即为碳化硅层13提供成核条件。该成核层12是可选择层。所述碳化硅层13是一绝缘层，其是由SiC沉积而成。所述电子发射体的柱状体18与该碳化硅层13是由相同材料组成，所述锥形尖端19是由钼金属组成。其中，柱状体18是与碳化硅层13是一整体，可先通过化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法、离子束溅射等方法形成一厚度较厚的碳化硅层，再以化学蚀刻等方法形成所述柱状体18，并保留一部分即碳化硅层13；锥形尖端19是通过溅射法、磁控溅射或离子束溅射等方法沉积而成，与柱状体18紧密结合。所述荧光层15是包括有荧光材料，当有电子轰击时产生可见光。所述阳极层16可由ITO(铟锡氧化物)导电薄膜组成。所述顶层17是透明层，可由透明玻璃制成。请一并参阅图3，是一纳米电子发射体的放大示意图，其中，柱状体18为直径d2为10-100纳米的圆柱体；锥形尖端19底部较大直径与圆柱体直径相等，即为d2，上部较小直径d1为0.5-10纳米范围内；纳米电子发射体的整体高度(即柱状体18与锥形尖端19总高度)h为100-2000纳米范围内。使用时，施加不同电压于导电层(或金属基底11)及阳极层16，从而于真空空间内形成电场，在电场作用下，纳米电子发射体的锥形尖端19发射电子轰击荧光层15而发出可见光。由于纳米电子发射体加的柱状体18与碳化硅层13是一整体，锥形尖端19与圆柱体紧密结合，因此，其可承受较大电场作用力而不损坏。因此，本专利技术场发射照明光源可承受更强电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射照明光源，其包括：一导电阴极；一阳极层，其与该导电阴极相隔一定距离从而形成一真空内部空间；一荧光层，设置于该阳极层表面，当被电子轰击时发出可见光；一绝缘层，位于所述真空内部空间内，并靠近该导电阴极； 及多个电子发射端，用以发射电子；其特征在于，该电子发射端分别包括一柱状体及一锥形尖端，该柱状体形成于绝缘层上，与绝缘层形成一整体；该锥形尖端为金属钼，形成于柱状体顶部。

【技术特征摘要】
1.一种场发射照明光源，其包括一导电阴极；一阳极层，其与该导电阴极相隔一定距离从而形成一真空内部空间；一荧光层，设置于该阳极层表面，当被电子轰击时发出可见光；一绝缘层，位于所述真空内部空间内，并靠近该导电阴极；及多个电子发射端，用以发射电子；其特征在于，该电子发射端分别包括一柱状体及一锥形尖端，该柱状体形成于绝缘层上，与绝缘层形成一整体；该锥形尖端为金属钼，形成于柱状体顶部。2.如权利要求1所述的场发射照明光源，其特征在于该绝缘层及柱状体由相同材料组成。3.如权利要求1所述的场发射照明光源，其特征在于该绝缘层及柱状体由碳化硅制成。4.如权利要求1所述的场发射照明光源，其特征在于该柱状体包括圆柱体或棱柱体。5.如权利要求4所述的场发射照明光源，其特征在于该圆柱体的直径范围是10～100纳米。6.如权利要求1所述的场发射照明光源，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰良，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]