磁控管A-密封件的固定结构制造技术

一种磁控管的Ａ－密封件固定结构，在阳极圆筒上结合有上部磁极和Ａ－密封件的磁控管；Ａ－密封件的下端部配合在上部磁极的固定部位上，且结合有Ａ－密封件的上部磁极的边缘配合在阳极圆筒的端部上。本发明专利技术让Ａ－密封件的下端部与上部磁极的中央部接触，把焊接有Ａ－密封件的上部磁极安放在阳极筒体的上端部，使其边缘部相互接触，并通过电焊封闭其内部，减少密封不良率，并缩小Ａ－密封件的体积，节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁控管A-密封件的固定结构。
技术介绍
通常，磁铁用于微波炉或照明器具等，把电能转换成高频能量装置。如图1、2所示，上部磁轭1a和下部磁轭1b互相结合后，形成“口”字形结合的磁轭1内侧设有圆筒形阳极筒体2，其阳极筒体2的内部，向轴心方向以放射形状设有多个叶片3，叶片3形成可以激励高频成分的共用谐振器，上述叶片3的前端部上下部结合有内侧压环4和外侧压环5，因上述内侧压环4和外侧压环5可以交替地进行接触，可以使上述阳极筒体2和叶片3形成阳极部(ANODE)。为了和叶片3的前端部形成一定间隔的工作空间，阳极筒体2的中心轴上设有以螺旋装缠绕的灯丝7，该灯丝7为钨和氧化钍的混合物形成的阴极部(CATHODE)，向阴极部供电时，在被加热的同时释放出热电子。上述灯丝7的上端部固装有用于切断热电子向上方放射的上密封件8，下端部固装有用于切断热电子向下方放射的下密封件9，上述下密封件9中央部贯通孔中，插入有由钼材质构成的中心引线10，中心引线10焊接固定在上密封件8的下面，上述下密封件9下面与中心引线10相距一定间距设有由钼材质构成的旁侧导线11，该旁侧导线11的上端部焊接固定在上述下密封件9的下面。上述阳极筒体2的上下侧开口部结合有由磁性体构成的杆状上部磁极13和下部磁极14，其上部磁极13的上侧和下部磁极14的下侧分别焊接有圆筒状A-密封件15和F-室16，该A-密封件15的上侧和F-室16的下侧焊接有用于向外部输出高频振荡的A-陶瓷体17和用于隔热的F-陶瓷体18，该A-陶瓷体17的上侧焊接有排气管19，为了使阳极筒体2的内部密闭形成真空，其排气管19的上端部被切断后，并封合起来。上述A-密封件15的内侧，设有用于输出共用谐振器内产生高频的天线20，上述天线20的下端部与某一个叶片3结合，上端部固定在排气管19内侧上面。上述阳极筒体2的上侧和下侧结合有用于与磁轭1接触的上部磁铁21和下部磁铁22，与上述上，下部磁极13，14一同形成磁场。上述磁轭1的下侧结合有箱体结构的滤波器盒26，该滤波器盒26的内侧设有用于减弱逆流到输入部高频杂波的一对扼流圈27，该一对扼流圈27的一端部与一对F-导线28的下端部接触，一对F-导线28插入结合在F-陶瓷体18的贯通孔中。插入结合在F-陶瓷体18贯通孔中的F-导线28的上端部，分别焊接在设置在上述F-陶瓷体18上侧的一对盘状体29的下面，盘状体29的上面分别焊接有中心引线10和旁侧导线11的下端部。上述滤波器盒26侧壁设有电容器31，该电容器31的内侧端部与扼流圈27接触，上述扼流圈27中以长度方向插入有用于吸收低频杂波的铁氧体磁芯32。上述磁轭1的内表面和阳极筒体2的外表面之间设有冷却片41，该A-陶瓷体17的上侧罩有用于保护排气管19封合部的天线罩42。上述A-密封件15的内侧结合有用于减弱不必要高频的屏蔽件43，如图3所示，该屏蔽件43与圆筒形状的A-密封件15的垂直折曲部15a结合，使两者保持一定的间隙G。该屏蔽件43的上端部水平折曲的凸缘部43a焊接结合在A-密封件15向上折曲的A-陶瓷体焊接部15b的下侧。图中未说明标号51为密封件，52为密封环。上述普通磁铁，外部电源通过F-导线28供向中心引线10和旁侧导线11，并形成由F-导线28、中心引线10、灯丝7、上密封件8、下密封件9、旁侧导线11、盘状体29构成的封闭回路，向灯丝7供应电源，通过上述供应的电源，上述灯丝7被加热，并放出热电子，通过所放出的热电子形成电子群。通过旁侧导线11向阳极部接通驱动电源，在工作空间6内形成强电场。上部磁铁21和下部磁铁22所产生的磁束，会顺着下部磁极14引向工作空间6侧，并通过工作空间6进入上部磁极13，在工作空间6内形成较强的磁场。从高温灯丝7表面散发到工作空间6内部的热电子，在工作空间6内的强电场作用下，移向叶片3侧，同时受到强磁场的垂直力的作用，进行螺旋圆周运动到达叶片3。这里，相向的叶片3间形成电容，上述相向的叶片3和连接上述相向的叶片3的阳极筒体2形成电感(inductance)，上述电容和电感形成并联谐振回路。由上述电子运动形成的电子群，以周期性高频振荡频率倍数分之一的周期，与叶片3发生干扰，通过上述作用叶片3间的空间中，即，谐振器中，让叶片3产生谐振频率为 高频电磁波，该高频通过天线20放射到外部，使食物的分子以每秒24亿5千万次进行振动，利用摩擦热进行烹饪。另外，产生上述高频能量时，从输入部侧泄漏的电子杂波，会被结合在磁轭1下侧的滤波器盒26屏蔽，防止漏向外部，从输出部泄漏的电子杂波由结合在A-密封件15上端部外侧的室51屏蔽。另外，如图3所示，把上部磁极13的边缘部安放在上述阳极筒体2的上端部，同时还把A-密封件15的下端部边缘也安放在上述阳极筒体2的上端部的状态下，同时焊接上部磁极13和A-密封件15，进而使其内部保持真空。但是，具有上述结构的现有磁控管存在如下问题。在把上述上部磁极13和A-密封件15焊接到阳极筒体2时，需要同时焊接到阳极筒体2，所以，只要哪一个出现晃动或移位，就会出现焊接不良的情况。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的上述缺点，本专利技术提供一种磁控管A-密封件的固定结构，让A-密封件的下端部与上部磁极的中央部接触，把焊接有A-密封件的上部磁极安放在阳极筒体的上端部，使其边缘部相互接触，并通过电焊封闭其内部，减少密封不良率，并缩小A-密封件的体积，节省成本。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种磁控管的A-密封件固定结构，在阳极圆筒上结合有上部磁极和A-密封件的磁控管；其特征在于上述A-密封件的下端部配合在上部磁极的固定部位上，且结合有A-密封件的上部磁极的边缘配合在阳极圆筒的端部上。前述的磁控管的A-密封件固定结构，其中A-密封件的下端部是配合在上述上部磁极的中央部位上。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1为现有磁控管结构示意图。图2为图1所示现有磁控管的纵向断面图。图3为图2所示A部的放大纵向断面图。图4为本专利技术的具有A-密封件的固定结构的磁铁纵向断面图。图5为图4所示B部的放大纵断面图。图中标号说明101上部磁极 102A-密封件103阳极筒体具体实施方式如图4，图5所示，对形成磁铁的基本结构和作用而言，本专利技术和现有技术是相同的，因此，对于相同部分采用相同符号，省略详细的说明。本专利技术的结构中，上部磁极101的中央部位焊接有A-密封件102的下端部，同时，焊接有A-密封件102的上部磁极101边缘焊接在阳极筒体103的上端部。即，与现有技术不同，上述A-密封件102焊接在上部磁极101，而不是阳极筒体103的端部，因此，与现有相比可以缩小体积。具有上述结构的本专利技术特点为，先使A-密封件102与上部磁极101的上面中央部接触，再利用银焊条对接触部位进行焊接。然后，把焊接有A-密封件102的上部磁极101安放在阳极筒体2的上端部，使其边缘部相互接触，接着，通过电弧焊焊接封闭其内部。本专利技术具有如下效果本专利技术的磁控管A-密封件的固定结构特点为，A-密封件的下端部与上部磁极的中央部接触，把焊接有A-密封件的上部磁极安放在阳极筒体的上端部，使其边缘部相互接触，接着，通过电焊封闭其内部，进而与在阳极筒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控管的Ａ－密封件固定结构，在阳极圆筒上结合有上部磁极和Ａ－密封件的磁控管；其特征在于上述Ａ－密封件的下端部配合在上部磁极的固定部位上，且结合有Ａ－密封件的上部磁极的边缘配合在阳极圆筒的端部上。

【技术特征摘要】
1.一种磁控管的A-密封件固定结构，在阳极圆筒上结合有上部磁极和A-密封件的磁控管；其特征在于上述A-密封件的下端部配合在上部磁极的固定部位上，且结合有A-密封...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京采，
申请(专利权)人：乐金电子天津电器有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]