基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基板处理装置，其具备：具有处理基板的处理室的处理箱体；与上述处理箱体相邻，且具有输送上述基板的输送室的输送箱体；发送向上述处理室供给的微波的微波发生器；连通上述处理室和上述输送室，且将上述基板搬入搬出的搬入搬出口；开闭上述搬入搬出口的开闭部；以及在上述输送室内配置于上述搬入搬出口的周围，且检测在上述开闭部封闭上述搬入搬出口的状态下从上述处理室泄漏到上述输送室的上述微波的检测传感器。述输送室的上述微波的检测传感器。述输送室的上述微波的检测传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置


[0001]本技术涉及一种基板处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了一种基板处理装置，其将抑制向处理基板的处理空间供给的微波向非处理空间通过的微波通过抑制用的槽设于基板支撑台的侧壁或与该侧壁对置的处理容器的内壁。
[0003]专利文献1：日本特开2013－73947号公报

技术实现思路

[0004]技术所要解决的课题
[0005]具有在内部形成有供给微波并对基板进行处理的处理室的处理箱体。在该处理箱体的旁边配置有在内部形成有输送搬入搬出处理室的基板的输送室的输送箱体。而且，形成有连通处理室和输送室的搬入搬出口，并设有开闭该搬入搬出口的开闭部。
[0006]在这样的结构中，存在以下情况：通过检测从处理箱体与输送箱体的接合部泄漏的微波来检测从处理室泄漏的微波。
[0007]本技术的课题在于抑制配置于输送室的内部的电子元件因微波向输送室泄漏而误动作或破损。
[0008]用于解决课题的方案
[0009]本技术的方案1的基板处理装置具备：具有处理基板的处理室的处理箱体；与上述处理箱体相邻，且具有输送上述基板的输送室的输送箱体；发送向上述处理室供给的微波的微波发生器；连通上述处理室和上述输送室，且将上述基板搬入搬出的搬入搬出口；开闭上述搬入搬出口的开闭部；以及在上述输送室内配置于上述搬入搬出口的周围，且检测在上述开闭部封闭上述搬入搬出口的状态下从上述处理室泄漏到上述输送室的上述微波的检测传感器。
[0010]方案2根据方案1记载的基板处理装置，其特征在于，在上述搬入搬出口的周围配置有多个上述检测传感器。
[0011]方案3根据方案2记载的基板处理装置，其特征在于，多个上述检测传感器配置于上述输送箱体的形成有上述搬入搬出口的内壁。
[0012]方案4根据方案1记载的基板处理装置，其特征在于，具备控制上述微波发生器的控制部，上述控制部构成为，在通过上述检测传感器检测到上述微波的时间达到阈值时间的情况下，控制上述微波发生器，以停止上述微波的发送。
[0013]方案5根据方案2记载的基板处理装置，其特征在于，具备控制上述微波发生器的控制部，上述控制部构成为，在通过多个上述检测传感器中的两个以上的上述检测传感器检测到微波的情况下，控制上述微波发生器，以停止上述微波的发送。
[0014]方案6根据方案2记载的基板处理装置，其特征在于，具备控制上述微波发生器的
控制部，上述控制部构成为，在通过多个上述检测传感器中的两个以上的上述检测传感器检测到微波的时间分别达到阈值时间的情况下，控制上述微波发生器，以停止上述微波的发送。
[0015]方案7根据方案1记载的基板处理装置，其特征在于，上述微波发生器和上述搬入搬出口配置于中间隔着上述处理室对置的位置。
[0016]方案8根据方案1记载的基板处理装置，其特征在于，上述检测传感器与上述搬入搬出口的距离为上述搬入搬出口的开口宽度的一半以下。
[0017]方案9根据方案1记载的基板处理装置，其特征在于，上述处理室具有第一处理室和第二处理室，上述检测传感器具有配置于从上述第二处理室泄漏的上述微波不能达到的位置且检测从上述第一处理室泄漏到上述输送室的上述微波的第一检测传感器和配置于从上述第一处理室泄漏的上述微波不能达到的位置且检测从上述第二处理室泄漏到上述输送室的上述微波的第二检测传感器。
[0018]方案10根据方案9记载的基板处理装置，其特征在于，在从上述第二处理室泄漏的上述微波不能达到的位置配置有多个上述第一检测传感器，在从上述第一处理室泄漏的上述微波不能达到的位置配置有多个上述第二检测传感器。
附图说明
[0019]图1表示本技术的第一实施方式的基板处理装置，是从输送室的内部观察搬入搬出口侧的图。
[0020]图2表示本技术的第一实施方式的基板处理装置，是从输送室的内部观察搬入搬出口侧的图。
[0021]图3是表示本技术的第一实施方式的基板处理装置的处理室等的剖视图。
[0022]图4是表示本技术的第一实施方式的基板处理装置的冷却室等的剖视图。
[0023]图5是表示本技术的第一实施方式的基板处理装置的处理室、输送室、冷却室等的剖视图。
[0024]图6是表示本技术的第一实施方式的基板处理装置的基板处理方法的各工序的流程图。
[0025]图7是表示本技术的第一实施方式的基板处理装置所具备的控制部的控制系统的块图。
[0026]图8是表示本技术的第一实施方式的基板处理装置的整体结构图。
[0027]图9是表示本技术的第二实施方式的基板处理装置的基板处理方法的各工序的流程图。
[0028]图10表示相对于本技术的实施方式的变形方式的基板处理装置，是从输送室的内部观察搬入搬出口侧的图。
具体实施方式
[0029]＜第一实施方式＞
[0030]根据图1～图8对本技术的第一实施方式的基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序的一例进行说明。此外，图中所示的箭头H表示装置上下方向(铅垂方向)，箭
头W表示装置宽度方向(水平方向)，箭头D表示装置进深方向(水平方向)。
[0031](基板处理装置1的结构)
[0032]如图8所示，本实施方式的基板处理装置1构成为对作为基板的半导体晶圆(以下，简称为“晶圆”)2实施各种热处理的热处理装置。在此，基板处理装置1作为使用微波(电磁波)进行使形成于晶圆2的表面的薄膜中的成分或晶体结构变化的处理、修复形成的薄膜内的晶体缺陷等的处理等退火处理的装置进行说明。在基板处理装置1中，使用晶圆盒(FOUP：Front Opening UnifiedPod)3作为在内部容纳晶圆2的收纳容器(载体)。晶圆盒3被用作在包括基板处理装置1的各种基板处理装置之间输送晶圆2的输送容器。
[0033]如图8所示，基板处理装置1具备输送晶圆2的输送室(输送区)4和处理晶圆2的处理室5。输送室4设于输送箱体41的内部。在本实施方式中，如图5所示，处理室5具备两个处理室(第一处理室)51和处理室(第二处理室)52，且设于与晶圆盒3对置的输送箱体41的侧壁。处理室51、52分别形成于处理箱体53、54的内部。而且，处理室51和处理室52沿装置进深方向分离配置。
[0034]在此，输送室4的输送箱体41由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料、石英等形成。
[0035]如图8所示，在输送室4中，在装置宽度方向的一侧(图8的右侧)的部分配置有装载端口单元(LP)6。装载端口单元6用作开闭晶圆盒3的盖，且从晶圆盒3向输送室4输送晶圆2，或者从输送室4向晶圆盒3搬出晶圆2的晶圆盒开闭机构。
[0036]装载端口单元6具备箱体61、载物台62以及开启器63。载物台62构成为，载置晶圆盒3并使晶圆盒3接近在输送室4中形成于输送箱体41的装置宽度方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：具有处理基板的处理室的处理箱体；与上述处理箱体相邻，且具有输送上述基板的输送室的输送箱体；发送向上述处理室供给的微波的微波发生器；连通上述处理室和上述输送室，且将上述基板搬入搬出的搬入搬出口；开闭上述搬入搬出口的开闭部；以及在上述输送室内配置于上述搬入搬出口的周围，且检测在上述开闭部封闭上述搬入搬出口的状态下从上述处理室泄漏到上述输送室的上述微波的检测传感器。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述搬入搬出口的周围配置有多个上述检测传感器。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，多个上述检测传感器配置于上述输送箱体的形成有上述搬入搬出口的内壁。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备控制上述微波发生器的控制部，上述控制部构成为，在通过上述检测传感器检测到上述微波的时间达到阈值时间的情况下，控制上述微波发生器，以停止上述微波的发送。5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，具备控制上述微波发生器的控制部，上述控制部构成为，在通过多个上述检测传感器中的两个以上的上述检测传感器检测到微波的情况下，控制上述微波发生器，以停止上述微波的发送...

【专利技术属性】
技术研发人员：广地志有，野上孝志，山岸纪睦，柳泽爱彦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：新型
国别省市：