集成功能调谐材料与微型装置的方法及其结构制造方法及图纸

本公开内容涉及通过集成功能调谐材料并创建封装胶囊以保护这些材料来创建不同的功能微型装置。本公开的各个实施方式还涉及通过在像素有源区域的角落附近安装微型装置并且在微型装置结构中布置具有光学层的QD膜来提高微型装置的光提取效率。高微型装置的光提取效率。高微型装置的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成功能调谐材料与微型装置的方法及其结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年5月23日提交的美国专利申请序号16/420,580的优先权，所述申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及将颜色转换层集成到显示基板中。更具体地，本专利技术涉及提供一种用以保护颜色转换层免受环境因素影响的封装胶囊。本专利技术还涉及通过在被颜色转换层覆盖的像素有源区域的角落附近安装微型装置来提高微型装置的光提取效率的方法和结构。

技术介绍

[0004]通过将不同的微型装置集成到系统基板中，可以增强系统性能。挑战在于不同的微型装置可能具有不同的性能，并且还使用不同的材料系统。这些材料系统通常对环境因素(例如，氧气或水)敏感。因此，需要为这些材料提供保护以增强系统性能。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术涉及一种像素结构，包括：光源，所述光源生成光；光转换层，所述光转换层将光转换为所需颜色；和光分布结构，所述光分布结构将来自光源的光分布到转换层上。
[0006]在一个实施方式中，其他层也可以集成在光分布层与光源之间。此外，可以在光转换(例如，量子点(quantum dot,QD))层之后集成其他层。
[0007]在另一实施方式中，为了避免高强度光在光转换层中引起高应力点，使用衰减器或阻挡结构来减少或阻挡来自光源与光转换(例如，QD)层之间的直接视线的光强度。
[0008]在一个实施方式中，光分布器包括光导。
[0009]在另一实施方式中，光分布器包括反射层和平坦化层。
[0010]在另一实施方式中，光衰减器结构也用作光源电极。
[0011]在另一实施方式中，光衰减器结构是光分布器结构反射层的一部分。
[0012]在一个实施方式中，反射层用作光源接触的一部分。
[0013]在一个实施方式中，光分布结构包括在光源顶部的厚透明层。
[0014]本专利技术的另一方面是创建用以保护颜色转换材料的封装胶囊。
[0015]根据一个实施方式，提供一种光电装置，包括：多个半导体层，所述多个半导体层形成在基板上以形成顶表面和底表面，其中多个半导体层具有形成至少一个侧表面的隔离区域；一个或多个覆盖层，所述一个或多个覆盖层在与至少一个侧表面光学耦合的隔离区域周围形成空间；和功能调谐材料，所述功能调谐材料设置在一或多个覆盖层所形成的空间内。
[0016]根据一个实施方式，可以提供一种用于显示器的像素结构。像素结构包括：基板；光源(例如，微型装置)，所述光源安装在像素有源区域或像素有源侧的角落附近以生成光；
颜色转换层和/或滤色器，所述颜色转换层和/或滤色器可以形成在微型装置上，以将光转换为所需颜色；和顶部反射器，所述顶部反射器安装在颜色转换层上并延伸到微型装置区域的顶部以将光反射回并穿过颜色转换层。像素有源区域是发生光生成或光转换的位置。像素有源区域可以与像素区域相同。
[0017]根据其他实施方式，可以提供一种LED装置结构。所述结构可以包括光学层，所述光学层将LED光耦合到所述结构中并将由QD层创建的光向光学层反射。
附图说明
[0018]将参考代表本专利技术优选实施方式的附图更详细地描述本专利技术，其中：
[0019]图1图示了像素中光源顶部的颜色转换层的实施方式。
[0020]图2A图示了在光源与颜色转换层之间实现光分布结构的实施例。
[0021]图2B图示了在光源与颜色转换层之间实现光分布结构的另一实施例。
[0022]图2C图示了在光源与颜色转换层之间实现光分布结构的另一实施例。
[0023]图3A图示了在光源与颜色转换层之间实现光分布结构和光衰减器的实施例。
[0024]图3B图示了在光源与颜色转换层之间实现光分布结构和光衰减器的另一实施例。
[0025]图4A图示了将光分布在像素上的光导结构。
[0026]图4B图示了将光分布在像素上的另一光导结构。
[0027]图5A图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的光导结构。
[0028]图5B图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的另一光导结构。
[0029]图5C图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的另一光导结构。
[0030]图5D图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的另一光导结构。
[0031]图5E图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的另一光导结构。
[0032]图5F图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的另一光导结构。
[0033]图6A图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的另一光导结构。
[0034]图6B图示了具有衰减器以减少热点对颜色转换层的影响的另一光导结构。
[0035]图7图示了根据本专利技术实施方式的方法的流程图。
[0036]图8图示了根据本专利技术实施方式的替代方法的流程图。
[0037]图9图示了根据本专利技术实施方式的替代方法的流程图。
[0038]图10A图示了根据本专利技术实施方式的替代方法的流程图。
[0039]图10B图示了根据本专利技术实施方式的替代方法的流程图。
[0040]图11图示了本专利技术的各种实施方式。
[0041]图12A图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层的集成的截面图。
[0042]图12B图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层的集成的截面图。
[0043]图12C图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层的集成的截面图。
[0044]图13A图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层和接触的集成的截面图。
[0045]图13B图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层和封装壁的集成的截面图。
[0046]图13C图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层的集成的截面图。
[0047]图13D图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层的集成的截面图。
[0048]图13E图示了根据本专利技术的封装壁的另一实施方式，所述封装壁具有功能不同的
不同层的堆叠。
[0049]图13F图示了根据本专利技术的另一实施方式，其中接触延伸超出颜色转换层。
[0050]图14A图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层的集成的截面图。
[0051]图14B图示了根据实施方式的微型装置与颜色转换层的集成的截面图。
[0052]图15A示出了根据本专利技术实施方式的在微型装置顶部具有颜色转换层的像素结构。
[0053]图15B示出了根据本专利技术实施方式在基板上集成颜色转换层的截面图。
[0054]图15C示出了根据本专利技术实施方式在基板上集成颜色转换层的截面图。
[0055]图15D示出了根据本专利技术实施方式的在基板上集成颜色转换层的截面图。
[0056]图16A示出了根据本专利技术实施方式的具有公共电极的多个像素结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电装置，包括：多个半导体层，所述多个半导体层形成在基板上以形成顶表面和底表面，其中所述多个半导体层具有形成至少一个侧表面的隔离区域；一个或多个覆盖层，所述一个或多个覆盖层在与所述至少一个侧表面光学耦合的所述隔离区域周围形成空间；和功能调谐材料，所述功能调谐材料设置在由所述一个或多个覆盖层形成的所述空间中。2.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述一个或多个覆盖层包括以下中的一个或多个：钝化层、介电层、光学增强层、封装层、反射层或滤色器层。3.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述功能调谐材料包括颜色转换材料。4.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述功能调谐材料还设置在以下中的一个上：所述光电装置的所述顶表面或所述底表面。5.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述至少一个接触设置在以下中的至少一个上：所述光电装置的所述顶表面或所述底表面。6.根据权利要求1所述的光电装置，其中焊垫是通过所述至少一个接触耦合到所述光电装置。7.根据权利要求5所述的光电装置，其中所述至少一个接触的高度可延伸超出设置在所述至少一个接触的同一侧上的所述功能调谐材料。8.根据权利要求5所述的光电装置，其中所述光电装置的所述顶表面或所述底表面中的一个上的所述至少一个接触通过迹线连接到所述光电装置的另一表面上的至少另一接触。9.根据权利要求8所述的光电装置，其中所述迹线是通过介电层与所述光电装置隔开。10.根据权利要求2所述的光电装置，其中所述封装层保护所述颜色转换材料免受氧气和湿气的影响。11.根据权利要求2所述的光电装置，其中所述光学增强层将所述光反射到所述颜色转换材料中。12.根据权利要求2所述的光电装置，其中所述反射层增强到所述颜色转换材料中的所述光耦合。13.根据权利要求2所述的光电装置，其中所述反射层在所述光电装置的所述顶表面或所述底表面中的一个上延伸。14.根据权利要求13所述的光电装置，其中所述反射层包括反射部分和透明部分。15.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述多个覆盖层是通过印刷、蒸发、印刷或溅射中的一个来沉积。16.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述多个覆盖层是通过光刻、剥离或印刷中的一个来图案化。17.根据权利要求1所述的光电装置，其中所述一个或...

【专利技术属性】
技术研发人员：戈尔拉玛瑞扎，
申请(专利权)人：维耶尔公司，
类型：发明
国别省市：