发光装置、电子发射单元的制造方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光装置和具有所述发光装置的显示装置。所述发光装置包括：第一基板和面对所述第一基板的第二基板；在所述第一基板的内表面上的多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与第二电极交叉；在所述第一电极与第二电极交叉的交叉区内电连接到所述第一电极的多个电子发射区；在第二基板的内表面上的发光单元；和位于所述第一和第二基板之间的至少一间隔体。这里，所述间隔体和电子发射区之间的最短距离满足下列条件：５００μｍ≤Ｄ≤０．２Ｄｈ，其中Ｄｈ是至少一所述交叉区的对角线长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置和显示装置。
技术介绍
具有无源型显示面板例如液晶显示面板的显示装置需要向显示面板发射光的光源。一般地，冷阴极荧光灯(CCFL)型发光装置和发光二极管(LED)型发光装置已被广泛地用作光源。由于CCFL型发光装置和LED型发光装置分别是线型光源和点型光源，所以它们具有多个漫射光的多个光学构件。当光透过光学构件时，光学构件可引起光损失，并且因而CCFL型发光装置和LED型发光装置应当被施加以相对高的电压以便获得足够的亮度。但是这使得难于扩大显示装置。最近，提出了包括第一基板和第二基板的发光装置以替代CCFL型发光装置和LED型发光装置，在第一基板上提供了具有电子发射区和驱动电极的电子发射单元，在第二基板上形成了荧光体层和阳极。该发光装置通过使用从电子发射区发出的电子激励荧光体层而发出可见光。在发光装置中，在第一和第二基板的外围(或外围区)之间提供密封构件以将其密封在一起，因而形成真空容器。多个间隔体设置在第一和第二基板之间以承受施加到真空容器上的压力。当发光装置用作显示装置的光源时，重要的光学特性是(a)使得能够以相对低的功耗实现高亮度，(b)在整个有源区上以均匀的强度发光，以及(c)改善通过显示装置实现的图像的显示质量(例如对比度)在传统发光装置中，由于电子从电子发射区发出并且与间隔体碰撞，间隔体的表面可以被带电。在这种情形，在间隔体周围电子束的路径被扭曲，并且因而从间隔体周围的荧光体层发出过度大或小量的光。结果，在间隔体周围发光的均匀性会恶化。
技术实现思路
根据本专利技术示例实施例的方面针对一种发光装置，其被设计为通过抑制电子束路径的扭曲而改善亮度均匀性和改善通过显示装置实现的图像的对比度，以及一种使用该发光装置作为光源的显示装置。根据本专利技术示例实施例的方面指向一种发光装置，其中间隔体和电子发射区之间的距离配置为通过抑制电子束路径的扭曲而改善亮度均匀性和改善通过显示装置实现的图像的对比度，以及一种使用该发光装置作为光源的显示装置。在本专利技术的一示例实施例中，一种发光装置包括第一基板和面对第一基板的第二基板；位于第一基板的面对第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极交叉；在第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到第一电极的多个电子发射区；位于第二基板面对第一基板的一侧的发光单元；和位于第一和第二基板之间的间隔体。这里，间隔体和电子发射区之间的最短距离D满足下列条件500μm≤D≤0.2Dh，其中Dh是至少一交叉区的对角线长度。在一实施例中，间隔体具有5至20mm范围的高度。在一实施例中，发光单元包括施加以10至15kV电压的阳极和在阳极一侧上的荧光体层。在一实施例中，发光装置还包括位于第一和第二电极之间的绝缘层，其中第二电极位于绝缘层上方，其中多个开口形成于交叉区处第二电极和绝缘层内，并且其中电子发射区设置在绝缘层的开口内的第一电极上。在一实施例中，间隔体位于至少一交叉区的对角的外侧部。在一实施例中，第二电极相互平行并且以100至400μm的范围的距离相互隔开。在一实施例中，绝缘层具有15至30μm范围的厚度。在一实施例中，在所述绝缘层和第二电极内形成的各个开口具有30至50μm范围的直径。在本专利技术的另一示例实施例中，提供了一种发光装置的电子发射单元的制造方法。所述方法包括在基板上以条形图案形成多个第一电极；在基板上形成绝缘层，绝缘层覆盖所述第一电极并且具有15至30μm范围的厚度；在绝缘层上以与第一电极交叉的条形图案形成多个第二电极，第二电极以100至400μm的距离相互隔开；在第一和第二电极相互交叉的交叉区处的第二电极和绝缘层内形成多个开口，第二电极的开口暴露对应的绝缘层的开口；并且在绝缘层的开口内的第一电极上形成多个电子发射区。在一实施例中，第二电极通过丝网印刷工艺而形成。在一实施例中，绝缘层的形成包括通过经多个第一掩模层的开口部分地湿法蚀刻所述绝缘层而形成多个第一开口，并且通过经多个第二掩模层的多个开口而进一步湿法蚀刻第一开口的基区从而形成多个第二开口，第二掩模层的每个开口比第一掩模层的每个开口小。在本专利技术的另一示例实施例中，一种显示装置包括显示图像的显示面板；及用于向显示面板发射光的发光装置。发光装置包括第一基板和面对所述第一基板的第二基板；位于第一基板面对第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极交叉；在第一电极与第二电极交叉的交叉区电连接到第一电极的多个电子发射区；位于第二基板面对第一基板的一侧发光单元；和位于第一和第二基板之间的间隔体。这里，间隔体和电子发射区之间的最短距离D满足下列条件500μm≤D≤0.2Dh，其中Dh是至少一交叉区的对角线长度。在一实施例中，间隔体具有5至20mm范围的高度；并且发光单元包括施加以10至15kV的电压的阳极和在阳极一侧上形成的荧光体层。在一实施例中，显示装置还包括位于第一和第二电极之间的绝缘层，其中第二电极位于所述绝缘层上方，其中多个开口形成于交叉区处的第二电极和绝缘层内，并且其中电子发射区设置在所述绝缘层的开口内的第一电极上。在一实施例中，间隔体位于至少一交叉区的对角的外侧部。在一实施例中，第二电极相互平行并且以100至400μm的间距相互隔开。在一实施例中，绝缘层具有15至30μm范围的厚度；并且在绝缘层和第二电极内形成的各个开口具有30至50μm范围的直径。在一实施例中，显示面板具有多个第一像素，并且发光装置具有多个第二像素，其中第二像素比第一像素的数量少，并且其中各个第二像素的发光强度独立控制。在本专利技术的示例实施例中，一种发光装置，包括第一基板和面对第一基板的第二基板；第一电极和位于第一基板面对第二基板的一侧的第二电极，第一电极与第二电极交叉；在第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到第一电极的多个电子发射区；位于第二基板面对第一基板的一侧的发光单元；和位于第一和第二基板之间的间隔体。这里，间隔体和电子发射区之间的最短距离D满足下列条件500μm≤D≤0.2Dh，其中Dh是所述交叉区的对角线长度。在一实施例中，发光装置还包括位于第一和第二电极之间的绝缘层，其中第二电极位于绝缘层上方，其中多个开口形成于交叉区处第二电极和绝缘层内，并且电子发射区设置在所述绝缘层的开口内的第一电极上。附图说明附图和说明书一起示出了本专利技术的示例实施例，并且与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据本专利技术示例实施例的发光装置的部分透视图；图2是图1的发光装置的部分截面图；图3是图1和2的发光装置的电子发射单元的部分平面图；图4是示出根据间隔体和电子发射区之间的最短距离D的变化的电子束中心的偏移距离的曲线图；图5是对比实例的发光装置的电子发射单元的部分平面图，其中间隔体和电子发射区之间的最短距离D′大于0.2Dh；图6是示出根据交叉区的对角线长度与间隔体和电子发射区之间的最短距离的比率(D/Dh)的变化的间隔体周围亮度恶化率的曲线图；图7A、7B、7C、7D、7E、和7F是示出图1和2的发光装置的电子发射单元的制造方法的部分截面图；并且图8是根据本专利技术示例实施例的显示装置的示意分解透视图。具体实施例方式在下列详细描述中，简单地通过示例的方式，仅示出和描述了本专利技术的某些示例实施例。本领域的技术人员应当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：第一基板和面对所述第一基板的第二基板；位于所述第一基板面对所述第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述第二电极交叉；在所述第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到所述第一电极 的多个电子发射区；位于所述第二基板面对所述第一基板的一侧的发光单元；及位于所述第一和第二基板之间的间隔体，其中所述间隔体和所述电子发射区之间的最短距离满足下列条件：５００μｍ≤Ｄ≤０．２Ｄｈ，其中Ｄｈ 是至少一所述交叉区的对角线长度。

【技术特征摘要】
KR 2006-5-19 45224/06;KR 2006-11-20 114605/061.一种发光装置，包括第一基板和面对所述第一基板的第二基板；位于所述第一基板面对所述第二基板的一侧的多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述第二电极交叉；在所述第一电极与第二电极交叉的交叉区处电连接到所述第一电极的多个电子发射区；位于所述第二基板面对所述第一基板的一侧的发光单元；及位于所述第一和第二基板之间的间隔体，其中所述间隔体和所述电子发射区之间的最短距离满足下列条件500μm≤D≤0.2Dh，其中Dh是至少一所述交叉区的对角线长度。2.根据权利要求1的发光装置，其中所述间隔体具有5至20mm范围的高度。3.根据权利要求2的发光装置，其中所述发光单元包括施加以10至15kV范围的电压的阳极和在所述阳极一侧上的荧光体层。4.根据权利要求1的发光装置，还包括位于所述第一和第二电极之间的绝缘层，其中所述第二电极位于所述绝缘层上方，其中多个开口形成于所述交叉区处的所述第二电极和绝缘层内，并且其中所述电子发射区设置在所述绝缘层的所述开口内的所述第一电极上。5.根据权利要求4的发光装置，其中所述间隔体位于至少一所述交叉区的对角的外侧部。6.根据权利要求4的发光装置，其中所述第二电极相互平行并且以100至400μm的范围的距离相互隔开。7.根据权利要求6的发光装置，其中所述绝缘层具有15至30μm范围的厚度。8.根据权利要求7的发光装置，其中在所述绝缘层和第二电极内形成的每个开口具有30至50μm范围的直径。9.一种发光装置的电子发射单元的制造方法，所述方法包括在基板上以条形图案形成多个第一电极；在所述基板上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一电极并且具有15至30μm范围的厚度；在所述绝缘层上以条形图案形成与所述第一电极交叉的多个第二电极，所述第二电极以100至400μm的距离相互隔开；在所述第一和第二电极相互交叉的交叉区处的所述第二电极和所述绝缘层内形成多个开口，所述第二电极的开口暴露所述绝缘层的对应开口；及在所述绝缘层的开口内的所述第一电极上形成多个电子发射区。10.根据权利要求9的方法，其中所述第二电极通过丝网印刷工艺形成。11.根据权利要求9的方法，其中所述绝缘层的形成包括通过经第一掩模层的多个开口部分地湿法蚀刻所述绝缘层而形成多个第一开口，以及通过经第二掩模层的多个开口而进一步湿法蚀刻所述第一开口的基区从而形成多个第二开口，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛宗训，李相辰，姜守钟，李真镐，柳敬善，丁奎元，全笔句，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]