电极及其相关改进制造技术

本发明专利技术提供了一种电极装置（１），包括发射源器件（１２）和活性材料的储备腔（ｒｅｓｅｒｖｉｏｒ）（４），储备腔（４）用来补充源器件（１２）发射表面的活性材料，和／或用来向源器件（１２）提供活性材料。本发明专利技术同样提供了电极组件、包括电极组件的电子设备和制造它们的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电极设备和组件、包括电极设备和组件的电子设备及制造它们的方法。专利技术的背景存在被人熟知的具有一定范围的结构和应用的电极。例如，冷阴极电极在照明应用上被发现是有效的，包括用作LCD显示器的背景光的冷阴极日光灯(CCFL)。熟知的电极可能包括一管状体，该管状体的一端是封闭的，在封闭的一端含有如钼等的发射材料，并附着有一管茎(或片)。该电极熟知的问题在于，溅射能腐蚀表面，并使得电极的壁变薄。因此，电极壁或者设置于其上的表面覆盖物的寿命可能被限制。因此，仍存在对于可选择电极或者制造方法的需要。因此，本专利技术旨在讨论至少一个不足，该不足与在此讨论的或没有讨论的现有技术相关。专利技术概要根据本专利技术的第一方面，本专利技术提供了一种具有发射源器件的电极设备，该发射源器件包括具有活性材料和/或设置成用来接收活性材料的发射表面，其中，电极设备进一步的还包括一活性材料储备腔，该活性材料储备腔用来补充所述源器件发射表面的活性材料和/或用来向所述源器件发射表面提供活性材料。优选地，电极设备包括具有发射表面的发射源器件，该发射表面包括活性材料，其中，电极设备进一步的包括一个用来补充所述源器件发射表面的活性材料的活性材料储备腔。优选地，电极设备包括一发射源器件，该发射源器件包括一管状壁，该管状壁提供一中空的管状体并具有内部发射表面，该内部发射表面包括活性材料；其中，电极设备进一步的包括一用来补充管状壁发射表面的活性材料的活性材料储备腔。合适地，发射表面的活性材料，优选地管状壁的内表面，提供一电子源。合适地，储备腔的活性材料以及发射表面的活性材料，优选地管状壁的内表面，实质上是相同的。合适地，储备腔位于管状体的一端。合适地，至少储备腔的一部分位于管状体之内。储备腔可以被设置成封闭管状体的一端，这样，管状体的一端是封闭的。可选择地，储备腔可被设置成部分地阻隔管状体一端，但是不是完全封闭它，因此，管状体相反的一端是开口的。合适地，储备腔被设置，这样，在使用中，溅射使得活性材料从储备腔释放，使得活性材料能够沉积在发射源表面，优选地在管状壁的内表面上沉积。来自于储备腔的活性材料因此可在管状壁沉积，以补充发射源表面的活性材料，该活性材料本身通过溅射被耗尽。在一个实施例中，发射源器件被制造有发射表面，该发射表面不包含活性材料。然后，在使用中，一旦电极在“正常”操作前被密封在灯中，在灯的“正常”操作和/或在预处理操作中，来自于储备腔的活性材料可使得被设置于发射表面。在这种设置中，而不是分别覆盖源器件的发射表面，设备可被这样设置，因此，储备腔中的溅射允许储备腔来提供发射表面的最初覆盖层，同样补充使用中的覆盖物。如果最初的覆盖层在“正常”使用中提供，器件可被多维化，以确保溅射发生在储备腔中。如果最初的覆盖层在预处理过程中提供，那么在操作中，差分交流频率和/或较高电压和/或较高的压降可在灯中使用，以确保溅射和覆盖发生。与其他金属相比，活性材料可包括具有高活性的金属，并可能已经改进电子发射特性，这归功于该金属具有低工作功能和/或较高的电子传导性。合适地，活性材料包括低工作功能材料。活性材料可包括一种或多种钼，钨，钡，铝，钡-铝合金，或其他合适地元素或合金。活性材料优选地包括钡和/或铝。合适地，活性材料包括钡-铝合金。活性材料合适地包括钡和/或铝高含量的合金，所述合金可进一步地包括钼和/或镍。活性材料可包括包含有水银的合金。合适地，活性材料包括包含有钡的合金，例如钡-铝合金以及水银。活性材料可包括Ba-Al和Hg合金。在使用中，水银的内含物，通过与钡(Ba)的反应，可抵消与在灯内移除水银(Hg)有关的困难。因此，这种合金的使用可改变灯的亮度和/或效能。活性材料可包括金属氧化物，优选地钡和/或铝氧化物。活性材料可包括钡氧化物，该钡氧化物通过氧化钡碳酸盐制造。活性材料可包括基础材料(basematerial)上的覆盖层，该覆盖层通过向预处理操作中应用碳酸盐和施加电极设备，以将碳酸盐氧化成氧化物而形成。合适地，发射源器件发射表面，优选地管状壁的表面的活性材料，用作载体基础金属的覆盖层，并包括具有比所覆盖的金属高活性的金属。合适地，活性材料的储备腔被载体基础金属(carrier base material)承载，并包括比所述基础金属具有更高活性的金属。合适地，管状体具有在0.5和5mm之间的外部直径。合适地，管状体具有为其直径的1-20倍的长度，优选地为其直径的3-15倍，例如大约为直径的10倍。合适的，管状体的长度至少为其直径的5倍，例如至少是其直径的6，7，8，9，10，11或12倍。合适地，管状体包括一由管状壁设置的开口端的管。设备合适地包括一封闭部件，该封闭部件被设置成封闭管的一端。因而，管状壁可包括所述的管状体的一侧壁，封闭部件可包括管状体的封闭(基础)壁。合适地，储备腔包括一用来封闭管状体的一端的封闭部件，因此，管状体的一端是封闭的。可选择地，设备可包括组成储备腔的载体部件。载体部件可被设置来阻隔但不是完全封闭管状体的一端。可选择地，管状体的一端可是封闭的，包括一深长(deep-drawn)的管状体。管状壁因此可包括壁的一部分，这同样组成封闭(基础)壁部分。电子发射源器件可进一步的包括一管茎(stem)。管茎可以连接到封闭部件上或可与封闭部件一体成形。可选择地，管茎可连接到管状壁。管茎可包括一玻璃环，通过该玻璃环此器件固定到一壳体。合适地，管茎被设置成来连接电源，因此，电极设备包括电极。可选择地，器件的管状壁的一部分可包括一环绕它周侧的玻璃环，通过此玻璃环器件可固定到一壳体。器件也可包括一由管状壁设置的位于管状体内部的玻璃壁。器件的玻璃壁可被设置成连接电源，因此，电极设备可包括一无管茎的电极(stemless electrode)。合适地，设备包括一封闭部件，该封闭部件包括活性材料的储备腔，并被设置，这样储备腔形成了管状体的内表面。封闭部件可包括一构成基础材料的壁，该壁包括承载有大量活性储备腔材料。可替代的，封闭部件可包括一壁，该壁包括有活性储备腔材料。封闭部件可包括一封闭壁，该封闭壁由基础材料形成，并且承载有一块活性材料来提供所述储备腔。优选地，储备腔包括活性材料的覆盖层，该覆盖层应用到封闭部件的封闭壁的基础材料上。合适地，所述覆盖层具有在0.001mm和1mm之间的厚度，优选地是在0.01mm和0.5mm之间。封闭壁被设置成来封闭管的一端是合适的。可选择地，设备可包括一载体部件，该载体部件包括一活性材料的储备腔并被设置，这样储备腔位于管状体的内部。载体部件可包括有基础材料的壁，该壁承载有大量的活性储备腔材料。可选择地，载体部件可包括一壁，该壁包括有活性储备腔材料。载体部件可包括一由基础材料形成的载体壁，该载体壁承载有一块活性材料提供所述储备腔。优选地，储备腔包括一活性材料的覆盖层，该覆盖层应用到载体部件负载壁的基础材料。合适地，所述覆盖层的厚度在0.001mm和1mm之间，优选地是在0.01mm和0.5mm之间。载体壁合适地被设置成来阻隔但不是完全封闭管状体的一端。电极设备的管状壁可包括基础材料，该基础材料具有由活性材料覆盖的表面而形成壁的内表面。表面的覆盖层可具有在0.001mm和1mm之间的厚度。可选择地，管状壁可包括活性本文档来自技高网...

【技术保护点】
包括发射源器件的电极设备，该发射源器件具有发射表面，该发射表面具有活性材料和／或被设置成用来接收活性材料，其中，电极设备进一步的包括一活性材料储备腔，该活性材料储备腔用来补充所述源器件发射表面的活性材料和／或用来向所述源器件发射表面提供活性材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2004-11-24 0425791.11.包括发射源器件的电极设备，该发射源器件具有发射表面，该发射表面具有活性材料和/或被设置成用来接收活性材料，其中，电极设备进一步的包括一活性材料储备腔，该活性材料储备腔用来补充所述源器件发射表面的活性材料和/或用来向所述源器件发射表面提供活性材料。2.根据权利要求1所述的电极设备，其中，设备包括具有发射表面的发射源器件，该发射表面包括活性材料，其中，电极设备进一步的包括一用来补充所述源器件发射表面的活性材料的活性材料储备腔。3.根据权利要求2所述的电极设备，其中，电极设备包括一发射源器件，该发射源器件包括一管状壁，以提供一个中空的管状体并具有内部发射表面，该内部发射表面包括活性材料；其中，电极设备进一步的包括一用来补充管状壁的发射表面的活性材料的活性材料储备腔。4.根据权利要求3所述的电极设备，其中，储备腔包括载体部件，载体部件被设置来阻隔但不是完全封闭管状体的一端。5.根据权利要求3所述的电极设备，其中，储备腔包括一封闭部件，该部件被设置成封闭管的一端，使得管状体的一端是封闭。6.根据权利要求3到5任一权利要求所述的电极设备，其中，管状体包括由基础材料形成的管状壁，并且管状壁用所述的活性材料覆盖。7.根据权利要求6所述的电极设备，其中，管状体包括管状壁，该管状壁包括基础材料，所述基础材料选自于铁(ferrous)合金族，镍(Ni)，钼(Mo)，铌(Nb)，钽(Ta)和钨(W)或合金和/或其混合物，并且该管状壁用所述的活性材料覆盖。8.根据权利要求3到5任一权利要求所述的电极设备，其中，管状体包括单独由所述活性材料形成的管状壁。9.根据权利要求5或当可单独使用时权利要求6到8任一权利要求所述的电极设备，其中，封闭部件可包括一封闭壁，该封闭壁由基础材料形成，并且承载有大量活性材料来设置所述储备腔。10.根据权利要求9所述的电极设备，其中，储备腔包括应用到封闭部件的封闭壁上的覆盖层。11.根据权利要求9到10所述的电极设备，其中，封闭部件包括封闭壁，该封闭壁包括基础材料，所述基础材料选自于铁合金(ferrous)族，镍(Ni)，钼(Mo)，铌(Nb)，钽(Ta)和钨(W)或合金和/或其混合物。12.根据权利要求5或当可单独使用时权利要求6到8任一权利要求所述的电极设备，其中，封闭部件包括单独由所述活性材料形成的封闭壁。13.根据权利要求5或当可单独使用时权利要求6到12任一权利要求所述的电极设备，其中，封闭部件包括一封闭盖，所述封闭盖被设置成位于管状壁的上面。14.根据权利要求5或当可单独使用时权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文巴莱特大卫，约翰霍顿德里克，丹尼尔丹英格尔森，
申请(专利权)人：布莱克本微技术解决方案有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]