本发明专利技术揭示一种具有对位结构的等离子体显示器面板(plasma displaypanel,PDP)。该对位结构设置于该等离子体显示器面板的显示区域外,其包括:一后基板;一第一对位图案,设置于该显示区域之外的该后基板上且其包括具有一矩型区块的一寻址电极;一前基板,相对设置于该后基板上方;以及一方环型第二对位图案,设置于该显示区域之外的该前基板上并对应于围绕该矩型区块的一空间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体显示器面板(PDP),特别是涉及一种用以组 装等离子体显示器面板的对位结构。
技术介绍
近来,不同种类的平面显示器,诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显 示器面板(PDP),已不断地发展而逐渐取代传统阴极射线管(CRT)式显示 器。在等离子体显示器面板的技术中,紫外光用以激发三原色(RGB)荧光 体并产生可见光。等离子体显示器面板的优点在于显示面积大、视角广、以 及亮度高。图11绘示出一传统的等离子体显示器面板结构,其包括 一后玻璃基 板300及一前玻璃基板308,两者;f皮此隔开。多个寻址电极(数据电极)302 设置于后基板300上且面向前基板308。 一介电层304位于后基板300上, 以覆盖寻址电极302。再者,多个相邻的矩形或六角形的阻隔壁结构(rib structure ) 306设置于介电层304上以定义放电空间(cell )。具有三原色(红、 绿、及蓝)的焚光体(未绘示)交替涂覆在由阻隔壁结构306所定义出的放 电空间。多对显示电极(扫描电极)310设置于前基板308上且面向后基板 300。每一对显示电极310包括一透明电极310a及一辅助(bus)电极310b。 介电层312及MgO保护层314依序设置于显示电极310上。 一惰性气体, 如氩气,在前后基板308及300封合之后注入于放电空间。为了确保发光效率及品质,前基板上的显示电即必须精确地对准于后 基板上由阻隔壁结构所定义出的放电空间。 一般而言,圓型或十字型的对准 标记分别形成于前后基板上。然而,后基;^反上的圓型或十字型的对准标记于 形成寻址电极时同时形成,此对准标记需因为制作介电层及阻隔壁结构而历经多道热制造工艺,导致对准标记变形或偏离原先位置,而大幅增加了对位 误差。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种新的等离子体显示器面板的对 位结构,以减少等离子体显示器面板的后基板与前基板之间的对位误差(alignment error )。本专利技术的另 一 目的在于提供一种新的等离子体显示器面板的对位结 构,其利用后基板上以及位于显示区域之外的至少一阻隔壁结构或是寻址电 极作为对位图案,藉以减少后基板与前基板之间的对位误差。根据上述目的,本专利技术提供一种等离子体显示器面板的对位结构,其 包括一第 一对位图案及一第二对位图案。第 一对位图案设置于一后基板上且 其由一阻隔壁结构所构成。第二对位图案设置一前基板上,前基板相对设置 于后基板上方,且第二对位图案对应于由第一对图案所定义出的一空间。再 者,第一及第二对位图案位于等离子体显示器面板的显示区域外。又根据上述目的,本专利技术提供一种等离子体显示器面板的对位结构, 其包括一第 一对位图案及一方环型第二对位图案。第 一对位图案设置于一后 基板上且由具有一矩型区块的一寻址电极所构成。方环型第二对位图案设置 于一前基板上,前基板相对设置于后基板上方,且方环型第二对位图案对应 于围绕矩型区块的一空间。再者,第一及第二对位图案位于等离子体显示器 面板的显示区域外。又根据上述目的,本专利技术提供一种等离子体显示器面板的对位结构, 其包括一柱型第 一对位图案及一 圆盘型第二对位图案。柱型第 一对位图案设 置于一后基板上且其由阻隔壁所构成。圆盘型第二对位图案设置于一前基板 上,前基板相对设置于后基板上方,且圆盘型第二对位图案对应于柱型第一 对位图案上方。再者,第一及第二对位图案位于等离子体显示器面板的显示 区域外。又根据上述目的,本专利技术提供一种等离子体显示器面板的对位结构, 其包括一第一对位图案及一第二对位图案。第一对位图案设置于一后基板上 且其由一阻隔壁结构所构成。第二对位图案设置于一前基板上,前基板相对 设置于后基板上方,且第二对位图案延伸自 一辅助电极末端并对应于由第一对图案所定义出的一空间。再者,第一及第二对位图案位于等离子体显示器 面板的显示区域外。为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举优选实 施例,并配合附图作详细说明。附图说明图1绘示出根据本专利技术一实施例中, 一等离子体显示器面板的前后基 板对位关系的平面图。图2绘示出根据本专利技术一实施例的等离子体显示器面板的对位结构的 平面图。图3a绘示出根据本专利技术一实施例的四边型阻隔壁结构的平面图。 图3b绘示出根据本专利技术一实施例的五边型阻隔壁结构的平面图。 图3c绘示出根据本专利技术一实施例的十字型阻隔壁结构的平面图。 图4绘示出根据本专利技术另一实施例的等离子体显示器面板的对位结构 的平面图。图5绘示出根据本专利技术又一实施例的等离子体显示器面板的对位结构 的平面图。图6绘示出根据本专利技术又另一实施例的等离子体显示器面板的对位结 构的平面图。图7绘示出根据本专利技术再一实施例的等离子体显示器面板的对位结构 的平面图。图8a绘示出根据本专利技术又再一 实施例的等离子体显示器面板的对位结 构的平面图。图8b绘示出图8a中沿8b-8b线的剖面示意图。图9绘示出根据本专利技术最后一实施例的等离子体显示器面板的对位结 构的平面图。图10a到10c绘示出依据图9的不同范例。图11绘示出传统等离子体显示器面板结构。 简单符号说明现有300 后玻璃基板;302 寻址电极;304、 312 介电层;306 阻隔壁结构;308 前玻璃基^反;310 显示电极;310a 透明电极;310b 辅助电极;314~ MgO保护层。 本专利技术10 显示区域;20 非显示区域;22a、 22b、 24a、 24b、 24c、 24d、 26a、 26b、 28a、 28b、 29a、 31a、 32a、 34a、 34c 第二对位图案;32b 开口; 29a,、 31a, 第四对位图案;29a、 31a,, 第六对位图案;100 后基板;34b、 34d、 101、 102a, 第三对位图案;101a 矩形区块;102 阻隔壁结构;101b、 102a、 102c 第一对位图案;102a 第五对位图案;102b 柱型阻隔壁;200~前基 板;202、 202a、 202b 辅助电极;204 透明电极;205 黑色对比层;206~ 介电层;Sl、 S2、 S3、 S4 狭缝;xl、 x2、 x3、 x4、 yl、 y2、 y3、 y4 既定 距离。具体实施例方式请参阅图1,等离子体显示器面板包括一后基板IOO及一相对设置的前 基板200。后基板100及前基板200划分为一显示区域10及一非显示区域 20。六边型阻隔壁结构102及102a系分别形成于后基板100的显示区域10 及一非显示区域20。每一六边型阻隔壁结构彼此相邻而构成一蜂巢状阻隔壁 结构,如图1所示。需注意的是六边型阻隔壁结构102及102a可以是封闭 式或是在角落处具有开口,用以注入及排出气体。显示区域10中,由六边 型阻隔壁结构102所定义出的空间作为放电空间。多个寻址电极(未绘示) 彼此平行并设置于六边型阻隔壁结构102及102a下方的后基板100上。多个辅助电极202,例如Cr-Cu合金,位于前基板200上方并对应六边 型阻隔壁结构102而呈锯齿状。再者,多个T-型透明电极204也未于前基板 200上并对应于六边型阻隔壁结构102所定义出的空间。此处,两T-型透明 电极204对称排置于六边型本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体显示器面板的对位结构,该对位结构设置于该等离子体显示器面板的显示区域外,其包括:一后基板;一第一对位图案,设置于该显示区域之外的该后基板上且其包括具有一矩型区块的一寻址电极;一前基板,相对设置于该后基板上方;以及一方环型第二对位图案,设置于该显示区域之外的该前基板上并对应于围绕该矩型区块的一空间。
【技术特征摘要】
1、一种等离子体显示器面板的对位结构,该对位结构设置于该等离子体显示器面板的显示区域外,其包括一后基板;一第一对位图案,设置于该显示区域之外的该后基板上且其...
【专利技术属性】
技术研发人员:万祥文,苏耀庆,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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