一种等离子体显示面板，包括： 第一基板和第二基板，它们彼此相对设置； 多个寻址电极，设置在所述第一基板上； 介电层，被设置成覆盖所述设置在第一基板上的多个寻址电极； 多个显示电极，设置在所述第二基板上以与所述多个寻址电极交叉； 无机氧化物层，被设置成覆盖所述显示电极； ＭｇＯ保护层，被设置成覆盖所述无机氧化物层； 障肋，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，以限定多个放电单元；和 荧光层，设置于所述多个放电单元的每个放电单元中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的方案涉及。更具体地说，本发 明的方案涉及具有卓越放电特性和低制造成本的等离子体显示面板及其制 造方法。
技术介绍
等离子体显示面板是一种通过用放电单元中的气体放电所产生的真空紫外(vuv)线来激发荧光物质以形成图像的显示器件。由于等离子体显示面板能形成大的高清晰度图像，所以正作为下一代薄显示器而引起关注。三电极表面放电等离子体显示面板已经被广泛使用。三电极表面放电等 离子体显示面板包括前基板和后基板。包括一对电极的显示电极设置在前基 板上，并由介电层覆盖，而寻址电极设置在后基板上。前基板和后基板之间 的空间由障肋划分成多个放电单元，这些放电单元中充以放电气体。荧光层 设置在后基板和障肋上。由于MgO保护层在等离子体显示面板放电时引起二次电子和外电子的 发射，从而需要降低放电电压并减小放电延迟，所以从最初发展等离子体显 示面板起，MgO就已经用作保护层来发射电子。已经通过利用.纯的MgO沉 积源，以真空沉积法形成用于等离子体显示面板的MgO保护层，所述真空 沉积法例如电子束蒸发法、离子电镀法和溅射法。对以下的需求日益增加通过提高来自MgO的二次电子的发射和降低 初始放电电压来降低等离子体显示面板的功耗，以及向MgO保护层添加掺 杂元素以降低由单一扫描操作带来的各部分的成本。简而言之，通过基于掺 杂元素来调节MgO的浓度以及耦合能级可以有效地控制MgO的电子发射。通过添加掺杂元素提高MgO的电子发射的方法公开在日本专利公开 No. 2005-123172和No. 2005-123173，韩国专利公开No. 2005-113685、 No. 2006-69573和No. 2005-75866以及美国专利公开No.2006/0145614。日本专利公开No. 2005-123172提出一种MgO合成物，包括从Si、 Ge、 C和Sn组成的组中选择的至少一种以及从元素周期表的4族元素、5族元 素、6族元素和7族元素选#^的至少一种。乂人Si、 Ge、 C和Sn组成的组中 选择的那个，用在20wtppm到8000wtppm的掺杂浓度，而从元素周期表的 4族元素、5族元素、6族元素和7族元素选择的那个，用在10wt ppm到 10,000wt ppm的4参杂S农度。日本专利公开No. 2005-123173公开了包括诸如MgC2、 Mg2C3和Mg3C4 之类的碳化镁的MgO合成物的使用。其提出使用浓度范围在50wt ppm到 7000wt ppm的石友4匕4美。韩国专利公开No. 2005-75866公开了一种用于保护层的掺杂有Si的合 成物。其描述了当Si的含量从20ppm到500ppm时，放电延迟时间最短。 杂质的含量受到限制。Ca的含量被限制成小于50 ppm; Fe的含量小于50 ppm; Al的含量小于250 ppm; Ni的含量小于5 ppm; Na的含量小于5 ppm， 而K的含量小于5 ppm。韩国专利公开No. 2005-113685公开一种使用Ca、 Al、 Fe和Si作为掺 杂剂的MgO保护层。掺杂元素互相作用并最小化等离子体显示面板的放电 延迟时间。Ca的含量乂人100到300 ppm,而Al的含量,人60到90 ppm。 Fe 的含量从60到90 ppm，而Si的含量从40到100 ppm。. 韩国专利公开No. 2006-69573提供一种MgO合成物，其包括从稀土元 素组成的组中选出至少一种以及从Al、 Ca和Si组成的组中选出的一种。其 提出了一种合成物，其中作为一种稀土元素的Sc的含量在基于氧化镁的50 到600 ppm的范围内，而Ca、 Al和Si的含量各自在从50到400 ppm的范 围内。而且，该合成物包括作为杂质的Mn、 Na、 K、 Cr、 Fe、. Zn、 Bi、 Ni 和Zr。这里，所包括的Mn的含量小于基于氧化镁的50 ppm，而所包括的Na的含量小于30ppm。所包括的K的含量小于30 ppm，所包括的Cr的含 量小于10ppm，而所包括的Fe的含量小于20ppm。美国专利公开No. 2006/0145614公开一种掺杂有Sc、 Ca和Si的MgO 合成物。根据该专利申请，当Sc的含量从50 ppm到2000 ppm， Ca的含量 乂人100 ppm到1000 ppm，而Si的含量乂人30 ppm到500 ppm时，》文电延迟时 间显著缩短。如上所述，掺杂有掺杂元素的MgO改善了 MgO薄膜的特性，从而提 高了放电效率，并缩短了放电延迟时间。最终，它改善了等离子体显示面板 的性能。不过，当MgO沉积合成物包括Sc时，原材料的成本增加。当掺杂 元素具有比Mg大的原子量时，它在沉积氛围中的迁移率低，并且薄膜掺杂 有掺杂元素的比率降低，这是一个问题。简而言之，上述方法在真空沉积过 程中用掺杂元素来掺杂目标源。这些方法的问题在于在真空沉积过程中，掺 杂元素不能平稳地沉积在基板上。而且，MgO中的掺杂元素的溶解性依赖于离子的半径和原子价。由于 掺杂元素离子的半径比Mg离子的半径大，而且原子价之间的差大，所以在 MgO中的溶解性降低。因此，具有大离子半径和原子价的掺杂元素由于它 们在形成MgO层的过程中的溶解性低，所以它们不用于掺杂，而且它们作 为第二相被提取出来。无法获得所期望的通过掺杂改善放电特性的效果。与薄膜制造过程相关的制造成本高，这是因为该过程慢，且制造设备昂 贵。厚薄膜制造工艺可以通过堆叠MgO粉末来形成保护层解决这类问题。 厚薄膜制造过程是这样一种方法通过从MgO粉末制备MgO浆或生片形成 保护层，用印刷法或层叠法形成厚膜，然后执行烘干和煅烧。厚膜制造过程 详细公开在韩国专利申请No. 2006-57920、No. 2005-20519和No. 2005-81078 以及No. 100186541 ( 1998年12月29日乂>开)中。韩国专利申请No. 2006-57920公开了 一种通过将包括MgO纳米粉末的 生片利用层压法附在前面板上的介电层的上表面上并焙烧它们来形成保护 层的方法。这里，生片的厚度范围在20um到100ym。韩国专利公开No.2005-20519公开一种通过在诸如丝网印刷、浸渍、染料涂覆、旋涂、生片涂 覆和喷墨印刷之类的厚膜制造工艺中使用粒子直径小于100nm的MgO纳米 粉末来形成保护层。韩国专利申请No. 2005-81078公开一种通过使用粒子直径小于100nm 的MgO粉末和预定的》成金属粉末或Ti02粉末的混合物形成保护层的方法。 厚膜涂覆方法的问题在于诸如溶剂、粘合剂和分散剂之类的许多有机材料用 于制备浆或生片，而且还没有烘干的浆涂覆层和生片层太厚了而不能获得合 适的厚度。韩国专利申请No. 100186541 ( 1998年12月29日公开)公开一种通过 执行电泳来形成介电层和MgO粉末保护层。根据该方法，通过将前基板浸 在分散有MgO粉末的电泳液体中，将直流(DC )电源的负电极连接到前基 板的电极并将电源的正电极连接到金属电极来涂覆前基板。该专利申请提供 了一种通过使用异丙醇作为溶剂，并使用硝酸镁水合物或硝酸钇水合物作为 添加剂来制备液体合成物。 .基于电泳的MgO厚膜制造方法为本领域本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体显示面板，包括：第一基板和第二基板，它们彼此相对设置；多个寻址电极，设置在所述第一基板上；介电层，被设置成覆盖所述设置在第一基板上的多个寻址电极；多个显示电极，设置在所述第二基板上以与所述多个寻址电极交叉；无机氧化物层，被设置成覆盖所述显示电极；ＭｇＯ保护层，被设置成覆盖所述无机氧化物层；障肋，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，以限定多个放电单元；和荧光层，设置于所述多个放电单元的每个放电单元中。
【技术特征摘要】
1、一种等离子体显示面板，包括第一基板和第二基板，它们彼此相对设置；多个寻址电极，设置在所述第一基板上；介电层，被设置成覆盖所述设置在第一基板上的多个寻址电极；多个显示电极，设置在所述第二基板上以与所述多个寻址电极交叉；无机氧化物层，被设置成覆盖所述显示电极；MgO保护层，被设置成覆盖所述无机氧化物层；障肋，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，以限定多个放电单元；和荧光层，设置于所述多个放电单元的每个放电单元中。2、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括位于每个显示电极 与所述无机氧化物层之间的介电层。3、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层被图 案化。4、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层被设 置成覆盖所述第二基板的每个显示电极，而不覆盖所述第二基板的各部分。5、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层的厚 度范围为10-1000nm。6、 如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层的厚 度范围为100-300nm。7、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层包括 非贵金属氧化物。8、 如权利要求7所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层包括 从由氧化铝、氧化镁、氧化铬、氧化铜、氧化镍及其组合所组成的组中选出的 一种氧化物。9、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，每个显示电极包括从由 银、铝、镁、铜、镍及其组合所组成的组中选出的至少一种金属。10、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO保护层的厚 度范围为0.5-10(am。11、 如权利要求IO所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO保护层的 厚度范围为1-5 Mm。12、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO保护层进一 步包括选自Sc、 Al、 Ca、 Si及其组合组成的组中的掺杂元素。13、 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，每个显示电极被氧化 至预定的厚度，以形成牺牲电极，且所述牺牲电极:故进一步氧化，以形成所述 无机氧化物层。14、 如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，所述介电层完全覆盖 每个显示电极和所述第二基板。15、 如权利要求14所述的等离子体显示面板，其中，所述无机...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜东贤，崔钟书，金容奭，高旼秀，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。