表面传导电子发射显示器改良结构制造技术

本发明专利技术为一种表面传导电子发射显示器改良结构，其包含一前玻璃基板；复数个透明电子发射源，其是设在所述的前玻璃基板的一侧；一后玻璃基板；一金属板，其是设在所述的后玻璃基板的一侧；以及复数个荧光体，其是平均分布在所述的金属板的上；其中，所述的复数个透明电子发射源是面对所述的复数个荧光体；以达成使显示器亮度高、使用寿命长、无辐射以及省电的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种表面传导电子发射显示器(SED)改良结构，特别涉及的是 一种具有倒置透明电极的表面传导电子发射显示器改良结构。
技术介绍
近来，表面传导电子发射显示器(Surface-conduction Electron-emitter Display, SED)显示器技术为业界所注意的重点，其显像原理与传统的显像管相似，同样 利用电子撞击屏幕的荧光粉物质来表现画面(如图1所示)，而传统的显像管(CRT) 是利用电子枪打出电子束，再由控制电极来引导电子束的方向激发荧光成像，而 表面传导电子发射显示器(SED)的技术则是将电子束改成各个独立的激发电子组 件， 一个激发组件对应一个像素来成像，因此可以在厚度上减少很多；此外，表 面传导电子发射显示器(SED)拥有传统阴极射线管(CRT)的优点，其颜色表现可达 传统阴极射线管(CRT)相同色域，对比度在2004年发表时可达8600:1, 2005年则 提升到100000: 1，响应速度和传统阴极射线管(CRT)电视相当，动态影像没有残 影，其色彩、色温的准确性很高。而其激发电子组件的制作，先是在一层氧化硅(Si02)绝缘层上，使用真空蒸 镀、印刷或溅镀制作一对铂(Pt)电极，然后再以喷墨印刷(InkJet)方式在所述的对 柏(Pt)电极间，沉积形成一个由超微粒氧化钯(PdO)组成的圓形导电膜。所述的导 电膜经过300。C10分钟烧结处理过后，厚度大约在10纳米)左右，并且在真空度 lxl0-6托耳下通电处理，使氧化钯导电膜局部龟裂成数纳米的宽度。对电极施加 电压时，电子会被激发出来，再凭借对面电极引导至荧光幕成像。上述的现有表面传导电子发射显示器(SED)结构是如图2与图3所示，其中图 3为图2的局部放大图。表面传导电子发射显示器2包含一上玻璃基板20、设置 在所述的上玻璃基板20下侧的复数个荧光体22、所述的复数个荧光体22的下再 设有一金属背膜24(Metal back film),与上玻璃基板20间距约2 (mm)的下方设一 下玻璃基i反26与设置在所述的下玻璃基板26上的复数个氧化把电极28，且所述 的上玻璃20基板与下玻璃基板26组合后四周为密封且中间为真空状态。当通电后，所述的氧化钯电极28的裂缝中会产生隧道电流(tunneling current),此时再借 着在金属背膜24施加一强大的正电压(约一万伏特)来吸引所述的隧道电流，因此 电子束280会从所述的氧化钯电极28的裂缝中沿着等位线方向往上射至所述的金 属背膜24,凭借撞击时的惯性冲量来撞击RGB三色的荧光体22发光，故使用者 便可在所述的上玻璃基板20的另 一侧观看到各种颜色的影像。在驱动电路方面，类似在一般场发射显示器，表面传导电子发射显示器(SED) 也是利用单纯的行列画素矩阵，如图4所示，它是以行列方式直接将基板上的表 面传导电子发射显示器(SED)矩阵连接，接着依照行的顺序进行驱动，驱动时扫瞄 电路先产生扫瞄信号，再选择表面传导电子发射显示器(SED)的一行，在此同时信 号变调电路与扫瞄信号同步，产生相当在列的脉沖宽度变调信号驱动表面传导电 子发射显示器(SED)，此时若改变脉冲宽度就可以透过辉度的控制，达成影像灰阶 化的目的。然而，在一般的表面传导电子发射显示器(SED)结构中，是存在有下列问题 电子撞击至金属背膜后的惯性才激发荧光体，以致效率不佳；如果要提高亮 度，就需施加高电压加强电子撞击力道。由于使用者观看的一面乃荧光体被电子激发的反面，所以在亮度上表现会较差。需较大的电子撞击力道，故产品寿命较短。 高电压朝使用者方向发射电子及其惯性力会产生辐射问题。 缘此，本专利技术的专利技术人是研究出一种表面传导电子发射显示器改良结构，其 是可解决上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术的主要目的为提供一种表面传导电子发射显示器改良结构，其是利用 倒置透明电极，以达成使显示器亮度高、使用寿命长、无辐射以及省电的目的。为达上述目的，本专利技术是提供一种表面传导电子发射显示器改良结构，其包 含一前玻璃基板；复数个透明电子发射源，其是设在所述的前玻璃基板的一侧； 一后玻璃基板； 一金属板，其是设在所述的后玻璃基板的一侧；以及复数个焚光体，其是平均分布在所述的金属板的上；其中，所述的复数个透明电子发射源是 面对所述的复数个焚光体。较佳地，所述的复数个荧光体之间还设有间隔体(spacer)。较佳地，所述的前玻璃基板与后玻璃基板之间还设有复数个间隔体(spacer)。较佳地，所述的透明电子发射源是由一组正负电极所组成。较佳地，所迷的正负电极之间是设有一纳米级(nm)裂缝。较佳地，所述的正负电极是由氧化铟锡(ITO)所制成。较佳地，所述的前玻璃基板的另一侧是设有一抗反射层(AR)。较佳地，所述的抗反射层是由氟化钩或氟化镁所制成。较佳地，所述的复数个焚光体为红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的荧光体。较佳地，所述的金属板是被施加一正电压。为使贵审查委员对于本专利技术的结构目的和功效有更进一步的了解与认同，兹 配合图示详细说明如后。附图说明图1为阴极射线管显示器与表面传导电子发射显示器的比较示意图2为现有的表面传导电子发射显示器的剖面示意图3为现有的表面传导电子发射显示器的局部放大示意图4为表面传导电子发射显示器的驱动电路结构的示意图；以及图5为表面传导电子发射显示器的剖面示意图。2-表面传导电子发射显示器；10、 5-表面传导电子发射显示器；20-上玻璃基 板；101、 110、 22-荧光体；24-金属背膜；26-下玻璃基板；28-氧化钯电极；50-前玻璃基板；52-透明电子发射源；54-后玻璃基板；56-金属板；58-荧光体；103、 60-间隔体；62-抗反射层；280-电子束；520-电子束；102电子发射器；111-电 子枪；112-偏转线圏；11-阴极射线显示器。具体实施例方式请参见图5，所述的图为本专利技术表面传导电子发射显示器(SED)改良结构的剖 面图，为用在示意，其是仅撷取部分结构。在图5中，表面传导电子发射显示器 5是包含一前玻璃基板50、设在所述的前玻璃基板50 —侧的复数个透明电子发射 源52、 一后玻璃基板54;设在所述的后玻璃基板54—侧的金属板56，以及复数 个RGB焚光体58,其是平均分布在所述的金属板56的上，且所述的复数个透明电子发射源52是面对所述的复数个RGB荧光体58。在本专利技术中，所述的透明电子发射源52是凭借于透明导体(例如氧化铟锡 (ITO))上引出的极近区再在其上设有极细微的钯或氧化钯的覆盖层，所述的覆盖 层跨接透明电极的二极；再利用氢气或含氢的气体将钯或氧化钯的结晶隙缝中吸 入大量的氢气而渐渐裂开以产生一纳米级裂缝(nano gap),再在裂缝两侧的透明导 体施加不同的电压(即，成为一对正负电极)来产生隧道电流；当然，金属板56上 也需施加一正电压，使得隧道电流的电子束520可被电场吸引而撞击红绿蓝焚光 体58。不同在现有技术的是，由于本案是使用透明电子发射源52作为电极，再配合 透明的前玻璃基板50，由于亮度足够，所以前玻璃基板50与后玻璃基板54之间 距可以很小，因此使用者可直接观看到红绿蓝荧光体58表层被电子束520激发所 发出的光，因此只需较小的电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面传导电子发射显示器改良结构，其特征在于：其包含：一前玻璃基板；复数个透明电子发射源，其是设在所述的前玻璃基板的一侧；一后玻璃基板；一金属板，其是设在所述的后玻璃基板的一侧；以及复数个荧光体，其是均匀分布在所述的金属板的上；其中，所述的复数个透明电子发射源是面对所述的复数个荧光体。

【技术特征摘要】
1. 一种表面传导电子发射显示器改良结构，其特征在于其包含一前玻璃基板；复数个透明电子发射源，其是设在所述的前玻璃基板的一侧；一后玻璃基板；一金属板，其是设在所述的后玻璃基板的一侧；以及复数个荧光体，其是均匀分布在所述的金属板的上；其中，所述的复数个透明电子发射源是面对所述的复数个荧光体。2、 如权利要求1的表面传导电子发射显示器改良结构，其特征在于所述的 复数个荧光体之间还设有间隔体。3、 如权利要求1的表面传导电子发射显示器改良结构，其特征在于所述的 前玻璃基板与后玻璃基板之间还设有复数个间隔体。4、 如权利要求1的表面传导电子发射显示器改良结构，其特征在于所述的 透明电子发射源是由一组正负电极组成。5、 如权利要求4的表面传导电子发射显示器改良结...

【专利技术属性】
技术研发人员：芈振伟，
申请(专利权)人：芈振伟，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]