氧化镁薄膜制造技术

本发明专利技术提供了一种用涂布法制造可见光透过性高的、而且耐溅射性高的氧化镁薄膜的技术。本发明专利技术如下制造膜厚为１００～１０００ｎｍ范围、白色光透过率在９５％以上的氧化镁薄膜：在基板上涂布、并在干燥后烧成氧化镁微粒子分散液，所述氧化镁微粒子分散液分散有氧化镁作为利用动态光散射法测定的Ｄ↓［５０］为５～４０ｎｍ范围的微粒子，以下述含金属化合物所含金属的总摩尔含量相对于１００摩尔的氧化镁为１．５～３．５摩尔范围的比例，含有属于碱土金属、稀土金属、长周期周期表中１２族、１３族、１４族或１５族金属的氧化物以外的含金属化合物，并将碳原子数３～５的一元醇作为分散介质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用作交流型等离子体显示屏电介质层保护膜的氧化镁薄膜及其制造方法。本专利技术还涉及可有利于在制造上述氧化镁薄膜时使用的氧化镁微粒子分散液。技术背景作为交流型等离子体显示屏(以下也称作AC型PDP)前面板电介质层的保 护膜，^ffl氧化镁薄膜。在AC型PDP中，由于发出的^M^电电极、电介 质层和保护膜形成的前面板而释放到外面，所以希望作为保护膜的氧化镁薄膜 具有很高的可见光透过性。进而因为放电会产生等离子体，所以为了长时间内 稳定保护电介质层，也要求氧化镁薄膜具有较高的耐溅射性。作为在AC型PDP的电介质层上制造氧化镁薄膜的方法，广泛使用电子束蒸 镀法、溅射法等物理方法。然而，在电子束蒸镀法和TO法中，使用大型制造 體，所以需要严格的制造条件管理，这些方法存在成品率低的问题。为此， 开展研究将氧化镁微粒子分散液涂布在电介质层上，干燥后，通过烧成形成氧 化镁薄膜的方法(涂布法)。专利文献l中，将制造AC型PDP中使用的氧化镁薄膜作为主要目的，而公 布了一种利用涂布法制造氧化镁薄膜的方法，其中使用了分散有容易引起凝聚的氧化微粒子的高分散性氧化镁微粒子分散液，使用了利用动态光散射法测定的D5o为5 100nm的范围。该专利文献l的实施例中，使用了利用动态光散射法测定的D5o为8.5nm的氧化镁微粒子分散液，制造了膜厚约1600nm，可见光 (波长550nm)的透过 率在98%以上，可见光透过很高的氧化镁薄膜。专利文献2中，将制造可见光透过性高的氧化镁薄膜作为目的，而公开了一种利用涂布法制造氧化镁薄膜的方法，其中使用了含有平均粒径5 15nm的氧 化镁粒子、和利用烧成形成金属氧化物并含有金属原子的有机化合物或金属无机盐的金属化合物，氧化镁粒子量在烧成后薄膜中达到50 95重量％量的氧 化微粒子分散液。该专利文献2的实施例中记载了可见光透过率最高的氧化镁薄膜，膜厚为2.5pm、可见光(波长600nm)的舰率为96.0%。专利文献3中，将制造可见，i性和硬度高的氧化镁薄膜作为目的，而公 开了一种利用涂布法制造氧化镁薄膜的方法，其中使用了将氧化镁粉末分散液 和含有镁醇盐或乙酰丙酮镁的粘合剂溶液混合调制的氧化镁微粒子分散液。该 专利文献3的实施例中，得到了可见光(波长550nm)的it31率为87.8 96.6 %,铅笔5顿为犯 5B的氧化镁薄膜。[专利文献1特开2006_244784号公报[专利文献2]特开平9-20985号公报[专利文献3]特开2000-129161号公报
技术实现思路
如，各专利文献中公开的，利用涂布法可制造出可见^itil性高的氧化镁 薄膜。然而，根据本专利技术人的研究，以前利用涂布法得到的氧化镁薄膜，存在 的问题是用作AC型PDP的电介质层保护膜时，就耐iHt性而言，还没有iil廿 充分实用的水平。因此，本专利技术的目的是劍共一种利用涂布法制造可见^ 1性高的，而且耐 、M性高的氧化镁薄膜的技术。本专利技术人发现下述氧化镁薄膜具有高耐鹏性，并由此完成了本专利技术，所述 氧化l美薄膜是在Sfch涂布、并在千燥后烧成氧化镁微粒子分散液而得到的， 膜厚为100 1000nm范围，白色^1)1率在95%以上，所述氧化镁微粒子分散 液分散有氧化镁作为利用动态光舰法测定的Ds。为5 40nm范围的微粒子， 以下述含金属化，所含金属的总摩尔含量相对于100摩尔的氧化镁为1.5 3.5摩尔范围的比例，含有属于fch金属、稀±^属、长周期周期表中12族、 13族、14族或15族金属的氧化物以外的含金属化合物，并繊原子数3 5的 一元醇作为分散介质。因此，本专利技术是膜厚为100 1000nm范围、白色^1率在95%以上的氧 化镁薄膜的方法，该方法包括在S^上涂布、并在干燥后烧皿化镁微粒子 分散液，所述氧化镁微粒子分散液分散有氧化镁作为利用动态光散射法测定的 Dso为5 40nm范围的微粒子，以下述含金属化，所含金属的总摩尔含量相对 于100摩尔的氧化勸1.5 3.5摩尔范围的比例，含有属于 ±金属、稀土金 属、长周期周期表中12族、13族、14族或15^^属的氧化物以外的含金属化合物，并将碳原子数3 5的一元醇作为分散介质。 本专利技术氧化镁薄膜制造方法的最佳方案如下.-(1) ,化物外的含金属化，溶解在分散介质内，(2) 除氧化物外的含金属化合物是无机化合物或金属醇盐或乙酰丙酮金(3) 除氧化物外的含金属化合是M属卤化物、金属碳 、金属硫酸 盐和金属硝,中选出的无机化，，(4) 氧化镁微粒子分散液干燥后的W^为300 70(TC的范围。 本专利技术也包括利用上述方法制得的，膜厚为100 1000nm范围，白色光透过率在95 %以上的氧化镁薄膜。进而本专利技术还包 化镁微粒子分散液，其分散有氧化镁作为利用动态光 Mh法测定的Dso为5 40nm范围的微粒子，以下述含金属化合物所含金属的 总摩尔含量相对于100摩尔的氧化镁为1.5 3.5摩尔范围的比例，含有属于碱 ±^属、稀土金属、长周期周期表中12族、13族、14族或15齢属的氧化物 以外的含金属化合物，并将碳原子数3 5的一元醇作为分散介质。本专利技术氧化镁微粒子分散液的最佳方案如下(1) 除氧化物外的含金属化，溶 分散介质中，(2) 除氧化物外的含金属化合物是无机化合物或金属醇盐或乙酰丙酮金(3) 除氧化物外的含金属化合物是M属卤化物、金属碳酸盐、金属硫 酸盐和金属硝酸盐中选出的无机化合物。ffl31利用本专利技术的制造方法，可以有利于:n^规模制造可见)tii^性高、耐 、ait性优良的氧化镁薄膜。本专利技术的氧化镁薄膜，作为可见光itil性高、耐溅射优良的氧化镁薄膜，可有利于用作AC型PDP电介质层的保护膜。进而，本专利技术的氧化镁微粒子分散液，可有利于用于制造可见)|(^性和而彌射性优良 的氧化镁薄膜。具体实施方式制造本专利技术的氧化镁薄膜中使用的氧化镁微粒子分散液，分散有成为氧化镁薄脏要原料的氧化銜乍为禾拥动态光t^lt法测定的粒子径Dso为5 40nm 的范围、特别雌5 30nm范围的微粒子。氧化镁微粒最好粒方微的单结晶粒子。由立方皿的单结晶粒子形成的氧化镁微粒子可利用气相合成氧化法 制造。所谓气相合成氧化法是使金属镁蒸气和含氧气^气相中接触，将金属 镁蒸气氧化，制造氧化镁粉末的方法。氧化镁微粒子分散液中氧化镁微粒子的浓度，对于总质量，im为0.05 20质量Q/^的范围，更雌为1 15质量％的范围。本专利技术中所用氧化镁微粒子分散液，含有含属于W:金属、稀土金属、长 周期周期表中12族、13族、14族或15族金属的含金属化，(氧化物除外)， 该化合物中所含金属的总摩尔含量，相对于100摩尔氧化镁，为1.5 3.5摩尔 范围，特另iJ雌1.8 3.0摩尔范围。含金属化，雌溶tt分散液中，也可 以作为微粒子分散。含金属化合物可单独4OT—种，也可二种以上并用。作为含金属化合物中所含的紙金属实例，有镁、钙、锶、钡。作为稀土 金属，有钪、紀、镧、铕。作为长周期周期表12族的金属实例，有锌。作为长 周期周期表13族的金属实例，有铝、凝卩铟。作为长周期周期表14族的鍋 实例，有锡、铅。作为长周期周期表15族的金属实例，有锑、铋。含金属化合物可以是无机化合物，也可以是有机化合物。作为无机化本文档来自技高网...

【技术保护点】
膜厚为１００～１０００ｎｍ范围、白色光透过率在９５％以上的氧化镁薄膜的方法，该方法包括：在基板上涂布、并在干燥后烧成氧化镁微粒子分散液，所述氧化镁微粒子分散液分散有氧化镁作为利用动态光散射法测定的Ｄ↓［５０］为５～４０ｎｍ范围的微粒子，以下述含金属化合物所含金属的总摩尔含量相对于１００摩尔的氧化镁为１．５～３．５摩尔范围的比例，含有属于碱土金属、稀土金属、长周期周期表中１２族、１３族、１４族或１５族金属的氧化物以外的含金属化合物，并将碳原子数３～５的一元醇作为分散介质。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-26 2007-0795901. 膜厚为100～1000nm范围、白色光透过率在95％以上的氧化镁薄膜的方法，该方法包括在基板上涂布、并在干燥后烧成氧化镁微粒子分散液，所述氧化镁微粒子分散液分散有氧化镁作为利用动态光散射法测定的D50为5～40nm范围的微粒子，以下述含金属化合物所含金属的总摩尔含量相对于100摩尔的氧化镁为1.5～3.5摩尔范围的比例，含有属于碱土金属、稀土金属、长周期周期表中12族、13族、14族或15族金属的氧化物以外的含金属化合物，并将碳原子数3～5的一元醇作为分散介质。2、 根据权利要求1记载的制造方法，其中，除氧化物以外的含金属化合 物溶^E分散介质中。3、 根据权利要求1记载的制造方法，其中，除氧化物以外的含金属化合 物是无机化^tl^属醇盐或乙酰丙酮金属盐。4、 根据权利要求1记载的制造方法，其中，除氧化物以夕卜的含金属化合 物是M属卣化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐和金属硝酸盐中选出的无机化合 物。5、 根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：在田洋，河野诚，稻垣彻，植木明，
申请(专利权)人：宇部材料工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]