一种用于处理晶片的装置制造方法及图纸

本申请公开了一种用于处理晶片的装置，属于半导体材料制备技术领域。该装置包括：壳体，所述壳体顶部开口设置，所述壳体底部设置有进气口；夹持机构，所述夹持机构用于夹持所述晶片，所述夹持机构的下端面与所述壳体的顶部连接，用于密封所述壳体的开口，以使得所述晶片与所述壳体之间形成清洁腔，夹持机构的侧壁上设置有出气口，所述出气口与进气口同侧设置，清洁气体自所述进气口进入所述清洁腔内，并传输至所述晶片表面后经所述出气口流出。清洁气体自壳体底部的进气口进入清洁腔内对晶片进行清洁，随后清洁后气体自夹持机构侧壁上的出气口流出，提高对晶片的清洁度，进而提高碳化硅基器件的整体性能。硅基器件的整体性能。硅基器件的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于处理晶片的装置


[0001]本申请涉及一种用于处理晶片的装置，具体涉及一种用于处理碳化硅晶片的装置，属于半导体材料制备


技术介绍

[0002]碳化硅是典型的宽禁带半导体材料，是继硅、砷化镓之后的第三代半导体材料代表之一。碳化硅晶片常作为外延用碳化硅衬底使用，外延技术是碳化硅基器件制备过程中的核心技术，外延质量的好坏直接决定了碳化硅基器件的性能、寿命、稳定性等关键技术指标，在行业内具有举足轻重的地位。提高外延质量除了对外延工艺参数要求较严格外，对碳化硅衬底本身质量也有很高要求。
[0003]为提高晶片的质量，即碳化硅衬底的一致性并提高表面质量，目前市场上通用的方法是对碳化硅晶体进行切、磨、抛、洗等加工操作，获得一致性较高的外延用碳化硅衬底。然而这些工序会使得碳化硅衬底表面残留大量的颗粒，传统的清洗方式无法有效去除，这些残留的颗粒将会增大衬底表面的粗糙度，对外延质量造成严重影响，进而降低碳化硅基器件的整体性能。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本申请提出了一种用于处理晶片的装置，该装置通过夹持机构和壳体的连接，使得晶片和壳体之间形成清洁腔，清洁气体自壳体底部的进气口进入清洁腔内对晶片进行清洁，随后清洁后气体自夹持机构侧壁上的出气口流出，提高对晶片的清洁度，进而提高碳化硅基器件的整体性能。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种用于处理晶片的装置，该装置包括：
[0006]壳体，所述壳体顶部开口设置，所述壳体底部设置有进气口；
[0007]夹持机构，所述夹持机构用于夹持所述晶片，所述夹持机构的下端面与所述壳体的顶部连接，用于密封所述壳体的开口，以使得所述晶片与所述壳体之间形成清洁腔，夹持机构的侧壁上设置有出气口，所述出气口与进气口同侧设置，清洁气体自所述进气口进入所述清洁腔内，并传输至所述晶片表面后经所述出气口流出。
[0008]可选的，所述夹持机构的端面上设置卡槽，所述卡槽的宽度与所述壳体顶部侧壁的厚度相等，所述壳体通过所述卡槽与所述夹持机构连接。
[0009]可选的，所述夹持机构包括第一夹持件和第二夹持件，所述第一夹持件的下端面与所述第二夹持件的上端面连接，所述第一夹持件和第二夹持件连接处设置容纳所述晶片的密封槽，所述晶片的侧壁与所述密封槽抵接。
[0010]可选的，所述第一夹持件的上端面上设置第一卡槽，所述第二夹持件的下端面上设置第二卡槽，所述夹持机构分别通过第一卡槽和第二卡槽实现与所述壳体的顶部连接。
[0011]可选的，所述第一夹持件和所述第二夹持件的侧壁上均设置有多个所述出气口，多个所述出气口沿所述夹持机构的轴向至少成单排设置。
[0012]可选的，每排所述出气口均匀分布在所述第一夹持件和第二夹持件的周向。
[0013]可选的，所述出气口为圆形，所述出气口的孔径为5
‑
20mm，每排所述出气口的数量为6
‑
60个。
[0014]可选的，所述出气口顶部与所述晶片的距离和所述进气口与所述晶片的距离比为1:5
‑
1500。
[0015]可选的，所述进气口为圆形，所述进气口与所述壳体共中心轴线设置。
[0016]可选的，所述出气口顶部与所述晶片的距离为0
‑
10mm，所述进气口与所述晶片的距离为50
‑
1500mm。
[0017]可选的，所述壳体为筒体机构，所述夹持机构与所述壳体的形状相适配。
[0018]本申请能产生的有益效果包括但不限于：
[0019]1.本申请所提供的用于处理晶片的装置，通过夹持机构和壳体的连接，使得晶片和壳体之间形成清洁腔，清洁气体自壳体底部的进气口进入清洁腔内对晶片进行清洁，随后清洁后气体自夹持机构侧壁上的出气口流出，提高对晶片的清洁度，进而提高碳化硅基器件的整体性能。
[0020]2.本申请所提供的用于处理晶片的装置，第一夹持件和第二夹持件连接处设置容纳晶片的密封槽，通过第一夹持件和第二夹持件的分离与扣合，可灵活的将碳化硅晶片放入密封槽或从密封槽内取出，提高该装置的操作便捷性，并提升碳化硅晶片的清洁效率。
[0021]3.本申请所提供的用于处理晶片的装置，在第一夹持件和第二夹持件的侧壁上均设置出气口，通过夹持机构的翻转，可对碳化硅晶片的两个表面进行处理，便于掺杂颗粒的清洁气体顺利自出气口流出，减少清洁腔内的颗粒的数量，避免颗粒二次附着在碳化硅晶片的表面。
[0022]4.本申请所提供的用于处理晶片的装置，出气口顶部与碳化硅晶片的距离要小于进气口与碳化硅晶片的距离，能够保证清洁气体在进入至清洁腔时是吹向碳化硅晶片表面的，而不会出现清洁气体未到达碳化硅晶片表面就直接从出气口流出的情况，提高清洁气体的有效利用率，避免清洁气体的浪费，节约成本。
附图说明
[0023]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0024]图1为本申请实施例涉及的用于处理晶片的装置的剖面图；
[0025]图2为本申请实施例涉及的夹持机构的立体示意图；
[0026]图3为本申请涉及的夹持机构的局部切面示意图；
[0027]部件和附图标记列表：
[0028]10、壳体；11、进气口；21、第一夹持件；22、第一凹槽；23、第一卡槽；24、第二夹持件；25、第二凹槽；26、第二卡槽；27、出气口；30、碳化硅晶片；40、气源；41、控制器；50、加热线圈。
具体实施方式
[0029]为了更清楚的阐释本申请的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详
细说明。
[0030]为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0031]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是，本申请还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本申请的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0032]另外，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0033]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理晶片的装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体顶部开口设置，所述壳体底部设置有进气口；夹持机构，所述夹持机构用于夹持所述晶片，所述夹持机构的下端面与所述壳体的顶部连接，用于密封所述壳体的开口，以使得所述晶片与所述壳体之间形成清洁腔，夹持机构的侧壁上设置有出气口，所述出气口与进气口同侧设置，清洁气体自所述进气口进入所述清洁腔内，并传输至所述晶片表面后经所述出气口流出。2.根据权利要求1所述的用于处理晶片的装置，其特征在于，所述夹持机构的端面上设置卡槽，所述卡槽的宽度与所述壳体顶部侧壁的厚度相等，所述壳体通过所述卡槽与所述夹持机构连接。3.根据权利要求2所述的用于处理晶片的装置，其特征在于，所述夹持机构包括第一夹持件和第二夹持件，所述第一夹持件的下端面与所述第二夹持件的上端面连接，所述第一夹持件和第二夹持件连接处设置容纳所述晶片的密封槽，所述晶片的侧壁与所述密封槽抵接。4.根据权利要求3所述的用于处理晶片的装置，其特征在于，所述第一夹持件的上端面上设置第一卡槽，所述第二夹持件的下端面上设置第二卡槽，所述夹持机构分别通过第一卡槽和第二卡槽实现与所述壳体的顶部连接。5.根据权利要求4所述的用于处理晶片的装置，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李加林，刘星，张宁，姜岩鹏，刘家朋，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：