公开一种电容计算方法以及基板的厚度计算方法。电容计算方法可以包括：利用电容测量装置测量多个测量电容的步骤；计算针对与多个测量电容中的每一个相对应的蒸镀参数的多个蒸镀系数、针对与多个测量电容中的每一个相对应的曝光参数的多个曝光系数以及针对与多个测量电容中的每一个相对应的蚀刻参数的多个蚀刻系数的步骤；计算针对多个蒸镀系数的校正蒸镀系数、针对多个曝光系数的校正曝光系数以及针对多个蚀刻系数的校正蚀刻系数的步骤；以及基于包括蒸镀参数、校正蒸镀系数、曝光参数、校正曝光系数、蚀刻参数以及校正蚀刻系数的电容计算式计算电容的步骤。容计算式计算电容的步骤。容计算式计算电容的步骤。
【技术实现步骤摘要】
电容计算方法以及基板的厚度计算方法
[0001]本专利技术涉及一种电容计算方法以及基板的厚度计算方法，更详细而言涉及一种能够在制造工艺中计算电容的电容计算方法或者能够在制造工艺中计算基板厚度的基板的厚度计算方法。
技术介绍
[0002]在显示装置的批量生产线中为了生产所述显示装置而进行多个工艺。为了确认所述工艺是否正确进行，可以进行针对所述显示装置的测量。例如，所述测量可以涉及所述显示装置的物理特性(例如，电容、基板的厚度)。所述测量可以在所述显示装置的制造全部完成之后或者所述显示装置的制造完成到特定步骤之后进行。
[0003]在此情况下，当所述显示装置出现异常时，可能要耗费大量的时间和费用来重新制造所述显示装置。因此，迫切需要在所述显示装置的制造工艺中掌握所述显示装置的所述物理特性。
技术实现思路
[0004]本专利技术的技术问题着眼于这种方面，本专利技术的一目的在于提供一种电容计算方法。
[0005]另外，本专利技术的另一目的在于提供一种基板的厚度计算方法。
[0006]然而，本专利技术所要解决的问题不限于上述提及的问题，在不脱离本专利技术的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
[0007]可以是，用于实现上述的本专利技术的目的的根据实施例的在显示装置的制造工艺中基于针对蒸镀工艺的蒸镀参数、针对曝光工艺的曝光参数以及针对蚀刻工艺的蚀刻参数计算电容的电容计算方法包括：利用电容测量装置测量多个测量电容的步骤；计算针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述蒸镀参数的多个蒸镀系数、针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述曝光参数的多个曝光系数以及针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述蚀刻参数的多个蚀刻系数的步骤；计算针对所述多个蒸镀系数的校正蒸镀系数、针对所述多个曝光系数的校正曝光系数以及针对所述多个蚀刻系数的校正蚀刻系数的步骤；以及基于包括所述蒸镀参数、所述校正蒸镀系数、所述曝光参数、所述校正曝光系数、所述蚀刻参数以及所述校正蚀刻系数的电容计算式计算所述电容的步骤。
[0008]在实施例中，可以是，所述多个蒸镀系数、所述多个曝光系数以及所述多个蚀刻系数通过多元回归分析计算。
[0009]在实施例中，可以是，所述校正蒸镀系数、所述校正曝光系数以及所述校正蚀刻系数通过贝叶斯定理计算。
[0010]在实施例中，可以是，在计算所述电容的步骤之后还包括：比较所述多个测量电容和所述计算的电容，当所述计算的电容在允许范围内时，适用所述电容计算式来进行所述显示装置的所述制造工艺的步骤。
[0011]在实施例中，可以是，在计算所述电容的步骤之后，比较所述多个测量电容和所述计算的电容，当所述计算的电容在允许范围之外时，重新设定所述电容计算式。
[0012]在实施例中，可以是，所述显示装置包括：有源层；栅极电极层，配置在所述有源层上，并至少一部分与所述有源层重叠；源极电极层，配置在所述栅极电极层上，并至少一部分与所述栅极电极层重叠；以及下电极层，配置在所述源极电极层上，并至少一部分与所述源极电极层重叠。
[0013]在实施例中，可以是，所述电容为所述有源层和所述栅极电极层之间的电容。
[0014]在实施例中，可以是，所述电容为所述栅极电极层和所述源极电极层之间的电容。
[0015]在实施例中，可以是，所述电容为所述源极电极层和所述下电极层之间的电容。
[0016]在实施例中，可以是，所述电容为所述有源层、所述栅极电极层以及所述源极电极层之间的电容。
[0017]在实施例中，可以是，所述电容为所述栅极电极层、所述源极电极层以及所述下电极层之间的电容。
[0018]在实施例中，可以是，所述蒸镀工艺包括化学气相蒸镀工艺，所述蚀刻工艺包括干蚀刻工艺。
[0019]可以是，用于实现上述的本专利技术的目的的根据实施例的在显示装置的制造工艺中基于针对清洗工艺的清洗参数、针对涂层工艺的涂层参数以及针对干燥工艺的干燥参数计算基板的厚度的基板的厚度计算方法包括：利用厚度测量装置测量多个测量厚度的步骤；计算针对与所述多个测量厚度中的每一个相对应的所述清洗参数的多个清洗系数、针对与所述多个测量厚度中的每一个相对应的所述涂层参数的多个涂层系数以及针对与所述多个测量厚度中的每一个相对应的所述干燥参数的多个干燥系数的步骤；计算针对所述多个清洗系数的校正清洗系数、针对所述多个涂层系数的校正涂层系数以及针对所述多个干燥系数的校正干燥系数的步骤；以及基于包括所述清洗参数、所述校正清洗系数、所述涂层参数、所述校正涂层系数、所述干燥参数以及所述校正干燥系数的所述基板的厚度计算式计算所述基板的所述厚度的步骤。
[0020]在实施例中，可以是，所述多个清洗系数、所述多个涂层系数以及所述多个干燥系数通过多元回归分析计算。
[0021]在实施例中，可以是，所述校正清洗系数、所述校正涂层系数以及所述校正干燥系数通过贝叶斯定理计算。
[0022]在实施例中，可以是，在计算所述厚度的步骤之后还包括：比较所述多个测量厚度和所述计算的厚度，当所述计算的厚度在允许范围内时，适用所述厚度计算式来进行所述显示装置的制造工艺的步骤。
[0023]在实施例中，可以是，在计算所述厚度的步骤之后，比较所述多个测量厚度和所述计算的厚度，当所述计算的厚度在允许范围之外时，重新设定所述厚度计算式。
[0024]在实施例中，可以是，所述基板包含聚酰亚胺。
[0025](专利技术效果)
[0026]根据本专利技术的实施例的电容计算方法可以利用电容测量装置测量多个测量电容，并计算针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述蒸镀参数的多个蒸镀系数、针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述曝光参数的多个曝光系数以及针对与所述
多个测量电容中的每一个相对应的所述蚀刻参数的多个蚀刻系数，计算针对所述多个蒸镀系数的校正蒸镀系数、针对所述多个曝光系数的校正曝光系数以及针对所述多个蚀刻系数的校正蚀刻系数，基于包括所述蒸镀参数、所述校正蒸镀系数、所述曝光参数、所述校正曝光系数、所述蚀刻参数以及所述校正蚀刻系数的电容计算式计算所述电容。
[0027]由此，利用所述电容计算式，在另外的显示装置的制造工艺中也能够在无需另外的测量的情况下计算所述另外的显示装置的电容。通过此，在所述显示装置的制造工艺中也能够基于所述参数判断所述电容是否在允许范围内。
[0028]然而，本专利技术的效果不限于上述效果，在不脱离本专利技术的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
[0029]图1是示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的平面图。
[0030]图2是示出将图1的显示装置沿I
‑
I'线截取的一实施例的截面图。
[0031]图3是示出根据本专利技术的一实施例的电容计算方法的流程图。
[0032]图4是示出针对测量电容中的每一个的蒸镀系数、曝光系数以及蚀刻系数的图。
[0033]图5是示出针对测量电容中的每一个的蒸镀系数、曝光系数以及蚀刻本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电容计算方法，在显示装置的制造工艺中基于针对蒸镀工艺的蒸镀参数、针对曝光工艺的曝光参数以及针对蚀刻工艺的蚀刻参数计算电容，其中，所述电容计算方法包括：利用电容测量装置测量多个测量电容的步骤；计算针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述蒸镀参数的多个蒸镀系数、针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述曝光参数的多个曝光系数以及针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述蚀刻参数的多个蚀刻系数的步骤；计算针对所述多个蒸镀系数的校正蒸镀系数、针对所述多个曝光系数的校正曝光系数以及针对所述多个蚀刻系数的校正蚀刻系数的步骤；以及基于包括所述蒸镀参数、所述校正蒸镀系数、所述曝光参数、所述校正曝光系数、所述蚀刻参数以及所述校正蚀刻系数的电容计算式计算所述电容的步骤。2.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，所述多个蒸镀系数、所述多个曝光系数以及所述多个蚀刻系数通过多元回归分析计算。3.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，所述校正蒸镀系数、所述校正曝光系数以及所述校正蚀刻系数通过贝叶斯定理计算。4.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，在计算所述电容的步骤之后，比较所述多个测量电容和所述计算的电容，当所述计算的电容在允许范围内时，适用所述电容计算式来进行所述显示装置的所述制造工艺。5.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，在计算所述电容的步骤之后，比较所述多个测量电容和所述计算的电容，当所述计算的电容在允许范围之外时，重新设定所述电容计算式。6.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，所述显示装置包括：有源层；栅极电极层，配置在所述有源层上，并至少一部分与所述有源层重叠；源极电极层，配置在所述栅极电极层上，并至少一部分与所述栅极电极层重叠；以及下电极层，配置在所述源极电极层上，并至少一部分与所述源极电极层重叠。7.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，所述电容为所述有源层和所述栅极电极层之间的电容。8.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，所述电容为所述栅极电极层和所述源极电极层之间的电容。9.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，所述电容为所述源极电极层和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔廷毫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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