一种脉冲励磁电路，其中交流电源输入两端跨接压敏电阻ＲＶ１，经二极管Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４桥式整流输出，正极与二极管Ｄ５串联后与继电器Ｊ常开点（２）连接，二极管Ｄ８、电阻Ｒ１、Ｒ２、继电器Ｊ控制线圈串联后跨接在正极与负极之间，电阻Ｒ１、Ｒ２间的节点（４）与负极间跨接电容Ｃ１，为本电路的控制回路；其特征在于：继电器Ｊ公共端（３）、可控硅Ｋ１、线圈Ｌ，电容Ｃ４串联后接负极，当控制回路接通交流电源，继电器Ｊ公共端（３）与常闭点（１）分离转到与常开点（２）连接完成回路转换，成为本电路的正向励磁电容充电储能回路，电阻Ｒ５、二极管Ｄ７、电容Ｃ３串联后跨接在继电器Ｊ公共端（３）与线圈Ｌ之间，电阻Ｒ６与电容Ｃ３并联，可控硅Ｋ１的控制极与电容Ｃ３的正极连接，构成本回路的可控硅Ｋ１延时触发电路，压敏电阻ＲＶ３、电阻Ｒ８串联后与电容Ｃ４并联，构成本回路的电容Ｃ４稳压储能电路，电阻Ｒ７跨接在继电器公共端（３）与线圈Ｌ之间，构成本回路的电容Ｃ４续流电路，电阻Ｒ５、二极管Ｄ７正极间的节点（５）与负极间，跨接压敏电阻ＲＶ２，构成本回路的截止可控硅Ｋ１触发信号电路；二极管Ｄ６跨接在线圈Ｌ与继电器Ｊ公共端（３）之间，可控硅Ｋ２跨接在继电器Ｊ常闭点（１）与负极之间，当控制回路失电，继电器Ｊ公共端（３）与常开点（２）分离后又转到与常闭点（１）连接再次完成回路转换，此为本电路的反向励磁电容放电回路，电阻Ｒ４、Ｒ３串联也跨接在继电器Ｊ常闭点（１）与负极之间，电容Ｃ２与电阻Ｒ３并联，可控硅Ｋ２的控制极与电容Ｃ２的正极连接，构成本回路的可控硅Ｋ２延时触发电路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种脉冲励磁电路，尤其是永磁式高低压断路器、 接触器驱动电路的改进，属于电力设备控制保护
技术介绍
近年来出现的永磁式高低压断路器、接触器都是通过脉冲励磁 电路驱动永磁机构中的动铁芯上、下运动实现合闸及分闸基本操作功能的，关于这方面的专利文献及期刊报导诸多，如ZL专利号 200420078134.7名称为《真空断路器用单线圈永磁机构驱动器》，专 利号200520076283.4名称为《真空断路器用双线圈永磁机构驱动 器》及专利号ZL 200520134145.7名称为《永磁机构驱动控制器》等， 其中大多数电路采用电力电子器件IGBT做为触发元件，结构复杂， 成本高。IGBT对工作环境要求严苛，电路中需有完备的保护措施， 但由于元器件参数匹配的离散性，在长期工作中将受到环境、温度等 诸多因素的影响，其稳定工作的可靠性还很难得到保证。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术中存在的上述不足，独辟思路， 提供一种结构简单、能够长期稳定可靠工作且成本低廉经济实用的脉 冲励磁电路。为了达到上述目的，本专利技术以电器元件机械寿命可达百万次以上 的继电器做为回路转换核心的电接触元件并采取保护措施，以经济耐 用的电子器件可控硅做为触发元件，有机的组合成本电路的控制回 路、正向励磁电容充电储能和电容放电反向励磁回路。本专利技术技术方案如下交流电源输入两端跨接压敏电阻RV1，经二极管D1、 D2、 D3、 D4桥式整流输出，正极与二极管D5串联后与继电器J常开点连接， 二极管D8、电阻R1、 R2、继电器J控制线圈串联后跨接在正极与负 极之间，电阻R1、 R2间的节点4与负极间跨接电容C1，为本电路 的控制回路。在本专利技术的技术解决方案中，继电器J公共端、可控硅Kl、线圈L，电容C4串联后接负极，当控制回路接通交流电源，继 电器J伞共端与常闭点分离转到与常开点连接完成回路转换，成为本 电路的正向励磁电容充电储能回路。电阻R5、 二极管D7、电容C3 串联跨接在继电器J公共端与线圈L之间，电阻R6与电容C3并联， 可控硅K1的控制极与电容C3的正极连接，构成本回路的可控硅K1 延时触发电路。压敏电阻RV3、电阻R8串联后，与电容C4并联， 构成本回路的电容C4稳压储能电路，电阻R7跨接在继电器公共端 与线圈L之间，构成本回路的电容C4续流电路。电阻R5、 二极管 D7正极间的节点5与负极间，跨接压敏电阻RV2，构成本回路的截 止可控硅Kl触发信号电路。二极管D6跨接在线圈L与继电器J公 共端之间，可控硅K2跨接在继电器J常闭点与负极之间，当控制回 路失电，继电器J公共端与常开点分离后又转到与常闭点连接再次完 成回路转换，此为本电路的反向励磁电容放电回路。电阻R4、 R3串 联后也跨接在继电器J常闭点与负极之间，电容C2与电阻R3并联， 可控硅K2的控制极与电容C2的正极连接，构成本回路的可控硅K2 延时触发电路。上述本电路中的可控硅K1延时触发电路的延时时间由调整电阻 R5、电容C3的参数整定。上述本电路中的可控硅K2延时触发电路的延时时间由调整电阻 R4、电容C2的参数整定。上述本电路中的电容C4续流电路的续流值由调整电阻R7的参 数整定。上述本电路中的电容C4稳压储能电路的稳压值由调整压敏电 阻RV3、电阻R8的参数整定。上述本电路中的截止可控硅Kl触发信号电路的截止电压由调 整压敏电阻RV2的导通电压值整定。上述本专利技术对现有技术实施的重大改进之一在于，正向励磁及反 向励磁回路中巧妙地设置了可控硅延时触发电路，使得继电器从接通 回路通过极其微弱的电流开始，到通过脉冲工作电流的这段暂短时 间，已经弹性吸收了由于关合引起的机械振动能量，继电器主触头是在已经稳定可靠关合后才通过回路脉冲工作电流的，这就避免了继电 器在稳定前通过工作电流由于弹跳弓I起间隙电弧造成主触头的烧损， 从根本上解决了继电器在回路相互转换的工作过程中切换大电流的 技术难题。保证了继电器的使用寿命，从而保证了该电路的长期工作 可靠性。上述本专利技术对现有技术实施的重大改进之二在于，正向励磁电容 充电回路中巧妙地设置了可控硅触发信号截止电路，稳压充电储能电 路及电容储能续流电路。可控硅触发信号截止电路消除了可控硅没必 要的重复工作又钳制了储能电容电压，稳压充电储能电路可以方便根 据下一工作过程反向励磁的工作特性整定其工作电流，电容储能续流 电路保证了可控硅截止后，储能电容的泄漏电流得到平衡的补充。本专利技术电路与现有技术相比，长期工作的稳定性及可靠性显著提高。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。 图1为本专利技术的脉冲励磁电路的原理图。图2为图1实施例的正向励磁电容储能回路的工作图。 图3为图1实施例的反向励磁电容放电回路的工作图。 具体实施例方式图1至图3示出了本专利技术脉冲励磁电路的原理及其全部工作过程。对照图l，本实施例中，交流电源220V ，电阻R3、 R6为6.8k Q、 R4、 R5为300kQ、 R7为51kQ、 R8为lkQ，电容C2、 C3均 为2.2tiF，可控硅K1、 K2触发电流小于50u A，压敏电阻RV2为 7K151，压敏电阻RV3为7K181。本电路中的元件参数可以根据实际 工作需要及电源要求加以调整。本电路中，交流电源输入两端跨接压敏电阻RV1，经二极管D1、 D2、 D3、 D4桥式整流输出，正极与二极管D5串联后与继电器J常 开点2连接，二极管D8、电阻R1、 R2、继电器J控制线圈串联启跨 接在正极与负极之间，电阻Rl、 R2间的节点4与负极间跨接电容Cl。本电路中，继电器J公共端3、可控硅K1、线圈L，电容C4串联后接负极。本电路中，电阻R5、 二极管D7、电容C3串联后跨接在继电器J公共端3与线圈L之间，电阻R6与电容C3并联，可控硅K1的控制极与电容C3的正极连接。本电路中，压敏电阻RV3、电阻R8串联后与电容C4并联。 本电路中，电阻R7跨接在继电器公共端3与线圈L之间。 本电路中，电阻R5、 二极管D7正极间的节点5与电源负极间，跨接压敏电阻RV2。本电路中，二极管D6跨接在线圈L与继电器J公共端3之间，可控硅K2跨接在继电器J常闭点1与负极之间。本电路中，电阻R4、 R3串联也跨接在继电器J常闭点1与负极之间，电容C2与电阻R3并联，可控硅K2的控制极与电容C2的正极连接。对照图l，当交流电源接通控制回路，继电器J控制线圈吸合， 公共端3在无接通电流状态下与常闭点1分离，转向常开点2并与之 接通，构成本电路的正向励磁电容储能回路，如图2所示。此时刻， 可控硅K1延时触发电路开始工作，二极管D7导通，分别流经电容 C3、电阻R6及可控硅Kl控制极，由于电容C3通流的瞬时相当于 短路，使得压敏电阻RV2停止工作相当于开路，随着电容C3的电压 升高，可控硅K1控制极的电压同步升高，当流入可控硅K1控制极 的触发电流同步增大到临界值时开始导通，可控硅K1的延时触发时 间可由调整电阻R5及电容C3的参数整定。可控硅K1导通后，电流通过线圈L正向励磁，对电容C4充电储 能。随着通流时间电容C4的电压不断升高，当电容C4的电压与电路 中节点5的电压相等时二极管D7截止，可控硅Kl触发电路被截止并 不本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种脉冲励磁电路，其中交流电源输入两端跨接压敏电阻ＲＶ１，经二极管Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４桥式整流输出，正极与二极管Ｄ５串联后与继电器Ｊ常开点（２）连接，二极管Ｄ８、电阻Ｒ１、Ｒ２、继电器Ｊ控制线圈串联后跨接在正极与负极之间，电阻Ｒ１、Ｒ２间的节点（４）与负极间跨接电容Ｃ１，为本电路的控制回路；其特征在于：继电器Ｊ公共端（３）、可控硅Ｋ１、线圈Ｌ，电容Ｃ４串联后接负极，当控制回路接通交流电源，继电器Ｊ公共端（３）与常闭点（１）分离转到与常开点（２）连接完成回路转换，成为本电路的正向励磁电容充电储能回路，电阻Ｒ５、二极管Ｄ７、电容Ｃ３串联后跨接在继电器Ｊ公共端（３）与线圈Ｌ之间，电阻Ｒ６与电容Ｃ３并联，可控硅Ｋ１的控制极与电容Ｃ３的正极连接，构成本回路的可控硅Ｋ１延时触发电路，压敏电阻ＲＶ３、电阻Ｒ８串联后与电容Ｃ４并联，构成本回路的电容Ｃ４稳压储能电路，电阻Ｒ７跨接在继电器公共端（３）与线圈Ｌ之间，构成本回路的电容Ｃ４续流电路，电阻Ｒ５、二极管Ｄ７正极间的节点（５）与负极间，跨接压敏电阻ＲＶ２，构成本回路的截止可控硅Ｋ１触发信号电路；二极管Ｄ６跨接在线圈Ｌ与继电器Ｊ公共端（３）之间，可控硅Ｋ２跨接在继电器Ｊ常闭点（１）与负极之间，当控制回路失电，继电器Ｊ公共端（３）与常开点（２）分离后又转到与常闭点（１）连接再次完成回路转换，此为本电路的反向励磁电容放电回路，电阻Ｒ４、Ｒ３串联也跨接在继电器Ｊ常闭点（１）与负极之间，电容Ｃ２与电阻Ｒ３并联，可控硅Ｋ２的控制极与电容Ｃ２的正极连接，构成本回路的可控硅Ｋ２延时触发电路。...
【技术特征摘要】
1、一种脉冲励磁电路，其中交流电源输入两端跨接压敏电阻RV1，经二极管D1、D2、D3、D4桥式整流输出，正极与二极管D5串联后与继电器J常开点(2)连接，二极管D8、电阻R1、R2、继电器J控制线圈串联后跨接在正极与负极之间，电阻R1、R2间的节点(4)与负极间跨接电容C1，为本电路的控制回路；其特征在于继电器J公共端(3)、可控硅K1、线圈L，电容C4串联后接负极，当控制回路接通交流电源，继电器J公共端(3)与常闭点(1)分离转到与常开点(2)连接完成回路转换，成为本电路的正向励磁电容充电储能回路，电阻R5、二极管D7、电容C3串联后跨接在继电器J公共端(3)与线圈L之间，电阻R6与电容C3并联，可控硅K1的控制极与电容C3的正极连接，构成本回路的可控硅K1延时触发电路，压敏电阻RV3、电阻R8串联后与电容C4并联，构成本回路的电容C4稳压储能电路，电阻R7跨接在继电器公共端(3)与线圈L之间，构成本回路的电容C4续流电路，电阻R5、二极管D7正极间的节点(5)与负极间，跨接压敏电阻RV2，构成本回路的截止可控硅K1触发信号电路；二极管D6跨接在...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕永祥，
申请(专利权)人：吉林永大电气开关有限公司，
类型：发明
国别省市：22
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