一种浅表体液循环非侵入式干预装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种浅表体液循环非侵入式干预装置，属于医疗器械技术领域，包括用于为脑脊液外加电场的电场组件、用于为脑脊液外加磁场的磁场组件，在所述电场组件产生的电场中的脑脊液在所述磁场组件的作用下产生安培力，通过安培力驱动脑脊液流动。本实用新型专利技术能够强力促进体表下方体液流动，解决了无法无接触的人工干预脑脊液流动的问题；并且在研究中表明，在人工持续干预脑脊液时可减少脑毒素沉积，减缓或阻止帕金森、阿尔兹海默等与神经有害沉积物有关疾病的发展；还可以应用在促进体表血液循环工作中，值得被推广使用。值得被推广使用。值得被推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种浅表体液循环非侵入式干预装置


[0001]本技术涉及医疗器械
，具体涉及一种浅表体液循环非侵入式干预装置。

技术介绍

[0002]体液的种类有很多，脑脊液就是一种浅表体液，脑脊液：脑脊液是存在于脑室(上矢状窦)及蛛网膜下腔的一种无色透明的液体。比重为1.005，总量为130～150ml。平均每日产生量为524ml。脑脊液包围并支持着整个脑及脊髓，有效地使脑的重量作用减少至1/6，对外伤起一定的保护作用。在清除代谢产物(如，β
‑
淀粉样蛋白(amyloidβ
‑
proteinα)突触核蛋白(α
‑
synuclein)及血栓炎性渗出物方面，起着身体其它部位淋巴液所起的作用。脑脊液在流出脑组织时，主要蛛网膜下腔的流入头顶的上矢状窦，在进入直窦、窦汇，最后流出脑组织。对脑脊液无接触的施加力的控制可调控颅内压干预如交通通性脑积水等循环系统疾病。
[0003]在现有技术中，暂时无法从体外非侵入式的干预脑脊液的流动，但是对脑脊液的扰动仍然有需求。为此，提出一种浅表体液循环非侵入式干预装置。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题在于：如何采用体外非侵入式的方法干预脑脊液的流动以及浅表静脉循血液的流动，提供了一种浅表体液循环非侵入式干预装置。
[0005]本技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的，本技术包括用于为脑脊液外加电场的电场组件、用于为脑脊液外加磁场的磁场组件，在所述电场组件产生的电场中的脑脊液在所述磁场组件的作用下产生安培力，安培力驱动脑脊液流动。
[0006]更进一步地，所述电场组件包括第一电极与第二电极，所述第一电极、所述第二电极均设置在体表，并与外部供电对应连接。
[0007]更进一步地，所述磁场组件为永磁体，所述永磁体的充磁方向垂直于体表。
[0008]更进一步地，所述磁场组件为电磁线圈，所述电磁线圈通电后产生感生磁场。
[0009]更进一步地，所述永磁体设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
[0010]更进一步地，所述第一电极与所述第二电极的数量为多个，各所述第一电极与各所述第二电极与外部供电的连接方式为串联或并联。
[0011]更进一步地，所述电场组件与所述磁场组件为一对共球面且中心连线正交的8字形线圈，该对所述8字形线圈在通电后产生感应电场和磁场。
[0012]更进一步地，所述电场组件为环形线圈，所述磁场组件包括内永磁体柱、外永磁体环，所述内永磁体柱与所述外永磁体环的同心，所述内永磁体柱、所述外永磁体环的充磁方向相反，均垂直于体表设置。
[0013]更进一步地，所述第一电极为圆环形电极片，所述第二电极为圆片电极，均设置在体表，所述磁场组件为永磁体盘，所述永磁体盘的充磁方向垂直于体表，所述永磁体盘设置
在所述圆环形电极片与所述圆片电极之间，所述圆片电极位于所述圆环形电极片内侧，所述永磁体盘内部采用扇形间隔充磁方式，N极与S极间隔分布。
[0014]本技术相比现有技术具有以下优点：该浅表体液循环非侵入式干预装置，能够强力促进体表下方体液流动，解决了无法无接触的人工干预脑脊液流动的问题；并且在研究中表明，在人工持续干预脑脊液时可减少脑毒素沉积，减缓或阻止帕金森、阿尔兹海默等与神经有害沉积物有关疾病的发展；还可以应用在促进体表血液循环工作中，值得被推广使用。
附图说明
[0015]图1是本技术实施例一中装置布置在头部时的后视图；
[0016]图2是本技术实施例一中装置与头部配合的剖视图；
[0017]图3是本技术实施例二中装置布置在头部时的正视图；
[0018]图4是本技术实施例二中装置与头部配合的剖视图；
[0019]图5是本技术实施例三中装置布置在头部时的侧视图；
[0020]图6是本技术实施例三中两个中心连线正交的8字线圈的位置示意图；
[0021]图7是本技术实施例四中装置布置在头部时的后视图。
具体实施方式
[0022]下面对本技术的实施例作详细说明，本实施例在以本技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本技术的保护范围不限于下述的实施例。
[0023]实施例一
[0024]如图1～2所示，本实施例提供一种技术方案：一种浅表体液循环非侵入式干预装置，包括第一电极1、第二电极2与永磁体3，所述第一电极1与第二电极2均贴在头皮6表面指定位置，在本实施例中，位于上矢状窦7的两侧，上矢状窦7位于头皮6与头颅骨5之间，两个电极分别连接外部电源的正负极，通电后位于上矢状窦7中的脑脊液在两个电极形成的外部电场的作用下形成导体电路；
[0025]所述第一电极1、所述第二电极2根据扰动需要与外部电源两极对应连接。
[0026]所述永磁体3为长条状，其充磁方向与头部表面垂直，上半部为N极，下半部为S极，在永磁体3产生的磁场作用下，脑脊液形成导体在磁场中收到安培力，安培力具有沿脑脊液运动方向的分力，这样便可以有效地促进脑脊液更快速地排出体外，实现对脑脊液的局部扰动，也可以在人工持续干预脑脊液时可减少脑毒素沉积，减缓或阻止帕金森、阿尔兹海默等与神经有害沉积物有关疾病的发展。
[0027]需要说明的是，本实施例中的永磁体3也可以用电磁线圈4代替，给电磁线圈4通入合适的电流后，在线圈的周围产生磁场，通电电流方向及大小等指标根据实际需要可以灵活更改。
[0028]实施例二
[0029]如图3～4所示，本实施例提供一种技术方案：一种浅表体液循环非侵入式干预装置，包括多个第一电极1、多个第二电极2与多个永磁体3，多个所述永磁体3的充磁方向与头
部表面垂直，位于一组电极连线上连线方向上的电流与磁场具有很大的交集空间。电极可任意安放，组合，安装位置。如图3中的上部分，为串联式，其中的第一电极1与第二电极2依次连接后再与外部电源的正负极对应连接，设置在上矢状窦7的两侧，用于对上矢状窦7中的脑脊液进行扰动。在图3中的下部分，为并联式，其中的各个第一电极1与各个第二电极2均对应连接后再与外部电源的正负极进行连接。各个所述永磁体3均设置在一个第一电极1与一个第二电极2之间，用于产生外部磁场，使脑脊液形成的导体在安培力的作用下，受到相应的控制，实现外部无接触式干预，此部分主要对蛛网膜下隙、颅内浅表静脉中的脑脊液进行扰动。
[0030]所述第一电极1、所述第二电极2分别与外部电源两极连接。
[0031]所述永磁体3上半部为N极，下半部为S极，一个第一电极1与一个第二电极2之间的所述永磁体3数量为多个，并排设置。
[0032]需要说明的是，在本实施例中，所述永磁体3也可以用电磁线圈4代替，给电磁线圈4通入合适的电流后，在线圈的周围产生磁场，通电电流方向及大小等指标根据实际需要可以灵活更改。
[0033]实施例三
[0034]如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浅表体液循环非侵入式干预装置，其特征在于：包括用于为脑脊液外加电场的电场组件、用于为脑脊液外加磁场的磁场组件，在所述电场组件产生的电场中的脑脊液在所述磁场组件的作用下产生安培力，通过安培力驱动脑脊液流动。2.根据权利要求1所述的一种浅表体液循环非侵入式干预装置，其特征在于：所述电场组件包括第一电极与第二电极，所述第一电极、所述第二电极均设置在体表，并与外部供电正负极对应连接。3.根据权利要求2所述的一种浅表体液循环非侵入式干预装置，其特征在于：所述磁场组件为永磁体，所述永磁体的充磁方向垂直于体表。4.根据权利要求3所述的一种浅表体液循环非侵入式干预装置，其特征在于：所述永磁体设置在所述第一电极与所述第二电极之间。5.根据权利要求2所述的一种浅表体液循环非侵入式干预装置，其特征在于：所述磁场组件为电磁线圈，所述电磁线圈通电后产生感生磁场。6.根据权利要求2所述的一种浅表体液循环非侵入式干预装置，其特征在于：所述第一电极与所述第二电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：方天成，
申请(专利权)人：方天成，
类型：新型
国别省市：