本实用新型专利技术涉及清洗装置技术领域，尤其是一种可调节的氧化镓清洗装置，包括清洗箱，所述清洗箱的一侧端面上开设有料口，所述清洗箱的下端面上设置有支撑脚，所述清洗箱内部的左右两侧端面上对称设置有多组支撑柱，所述支撑柱的外侧端面上均开设有滑槽，所述滑槽内滑动连接有滑块，每两组左右对称的所述滑块之间连接有支撑杆，所述支撑杆的下端面上延伸至所述清洗箱的内部设置有喷淋头，所述滑块的上端面上设置有第一转轴，所述清洗箱的上端面上位于所述支撑杆的外侧设有第一支架，该一种可调节的氧化镓清洗装置，解决了现有技术中存在无法调节喷淋头的高度，导致受阻力影响使水流冲击力度降低等缺点。力度降低等缺点。力度降低等缺点。
【技术实现步骤摘要】
一种可调节的氧化镓清洗装置
[0001]本技术涉及清洗装置
，尤其涉及一种可调节的氧化镓清洗装置。
技术介绍
[0002]氧化镓，别名三氧化二镓，氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意，Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片，它还可以用作O2化学探测器，其中制备氧化镓的一种方法为，向三氯化镓的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液，煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止，用热水洗涤沉淀至没有Cl
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为止，在600℃以上煅烧则得到β
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Ga2O3，残留NH4Cl时，在250℃就和Ga2O3反应，生成挥发性GaCl3，在此制备方法中需要对沉淀进行冲洗，而现有的清洗装置无法调节喷淋头的高度，使得当喷淋头过高时出水口离沉淀物较远，水流下落时受到阻力影响造成冲击力降低，最终导致对沉淀的清洗不够彻底。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在无法调节喷淋头的高度，导致受阻力影响使水流冲击力度降低等缺点，而提出的一种可调节的氧化镓清洗装置。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]设计一种可调节的氧化镓清洗装置，包括清洗箱，所述清洗箱的一侧端面上开设有料口，所述清洗箱的下端面上设置有支撑脚，所述清洗箱内部的左右两侧端面上对称设置有多组支撑柱，所述支撑柱的外侧端面上均开设有滑槽，所述滑槽内滑动连接有滑块，每两组左右对称的所述滑块之间连接有支撑杆，所述支撑杆的下端面上延伸至所述清洗箱的内部设置有喷淋头，所述滑块的上端面上设置有第一转轴，所述清洗箱的上端面上位于所述支撑杆的外侧设有第一支架，所述第一支架的上端转动连接有第一带轮，所述清洗箱的左右两侧端面上均设置有第二支架，所述第二支架内转动连有第二转轴，所述第二转轴的外侧端面上设置有第二带轮，所述第二带轮的外侧端面上设置有穿过所述第一带轮的上端与所述第一转轴传动连接的传动带。
[0006]优选的，所述第二转轴的外侧端面上设置有防滑纹，所述第二支架的上端面上设置有螺栓，所述螺栓的下端穿过所述第二支架的上端面与所述第二转轴抵接。
[0007]优选的，所述第二转轴的一侧端面上设置有转把。
[0008]优选的，所述清洗箱的一侧端面上设置有电机支架，所述电机支架内设有电机，所述电机的输出端与所述第二转轴传动连接。
[0009]本技术提出的一种可调节的氧化镓清洗装置，有益效果在于：通过所设置的滑槽，能够使滑槽内的滑块带动支撑杆使喷淋头能够上下移动，当需要改变喷淋头的高度时，转动第二转轴使第二转轴上的第二带轮收放传动带，传动带绕过第一带轮并拉动滑块沿滑槽位移，便可以改变喷淋头的高度，使得喷淋头更加接近沉淀，使清洗更加彻底；通过
所设置的转把和电机，能够方便手动或电控制喷淋头的高度，通过所设置的螺栓，能够阻止第二转轴转动以固定住喷淋头的高度。
附图说明
[0010]图1为本技术提出的一种可调节的氧化镓清洗装置的结构示意图；
[0011]图2为本技术提出的一种可调节的氧化镓清洗装置的A区放大结构示意图；
[0012]图3为本技术提出的一种可调节的氧化镓清洗装置的B区放大结构示意图。
[0013]图中：1、清洗箱；2、料口；3、支撑脚；4、电机支架；5、电机；6、支撑柱；7、滑槽；8、滑块；801、第一转轴；9、支撑杆；901、喷淋头；10、第一支架；11、第一带轮；12、第二支架；1201、螺栓；13、第二带轮；14、第二转轴；1401、防滑纹；1402、转把；15、传动带。
具体实施方式
[0014]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0015]参照图1
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3，一种可调节的氧化镓清洗装置，包括清洗箱1，清洗箱1的一侧端面上开设有料口2，清洗箱1的下端面上设置有支撑脚3，清洗箱1内部的左右两侧端面上对称设置有多组支撑柱6，支撑柱6的外侧端面上均开设有滑槽7，滑槽7内滑动连接有滑块8，每两组左右对称的滑块8之间连接有支撑杆9，支撑杆9的下端面上延伸至清洗箱1的内部设置有喷淋头901，滑块8的上端面上设置有第一转轴801，清洗箱1的上端面上位于支撑杆9的外侧设有第一支架10，第一支架10的上端转动连接有第一带轮11，清洗箱1的左右两侧端面上均设置有第二支架12，第二支架12内转动连有第二转轴14，第二转轴14的外侧端面上设置有第二带轮13，第二带轮13的外侧端面上设置有穿过第一带轮11的上端与第一转轴801传动连接的传动带15。
[0016]所设置的滑槽7，能够使滑槽7内的滑块8带动支撑杆9使喷淋头901能够上下移动，当需要改变喷淋头901的高度时，转动第二转轴14使第二转轴14上的第二带轮13收放传动带15，传动带15绕过第一带轮11并拉动滑块8沿滑槽7位移，便可以改变喷淋头901的高度，使得喷淋头更加接近沉淀，使清洗更加彻底；所设置的转把1402和电机5，能够方便手动或电控制喷淋头901的高度，所设置的螺栓1201，能够阻止第二转轴14转动以固定住喷淋头901的高度。
[0017]工作方式；工作时，将原料通过料口2送入清洗箱1内，当需要清洗沉淀时，启动喷淋头901即可对沉淀进行清洗，当需要调节喷淋头901的高度时，利用电机5或转把1402转动第二转轴14使第二转轴14上的第二带轮13收放传动带15，传动带15绕过第一带轮11并拉动滑块8沿滑槽7位移，便可以改变喷淋头901的高度，之后转动螺栓1201使螺栓1201与第二转轴14抵接即可固定住喷淋头901的高度，当清洗完成后，把原料从料口2排出即可，通过改变喷淋头901的高度可以使喷淋头901更加接近沉淀物，使得清洗更加彻底。
[0018]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范
围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可调节的氧化镓清洗装置，包括清洗箱(1)，其特征在于：所述清洗箱(1)的一侧端面上开设有料口(2)，所述清洗箱(1)的下端面上设置有支撑脚(3)，所述清洗箱(1)内部的左右两侧端面上对称设置有多组支撑柱(6)，所述支撑柱(6)的外侧端面上均开设有滑槽(7)，所述滑槽(7)内滑动连接有滑块(8)，每两组左右对称的所述滑块(8)之间连接有支撑杆(9)，所述支撑杆(9)的下端面上延伸至所述清洗箱(1)的内部设置有喷淋头(901)，所述滑块(8)的上端面上设置有第一转轴(801)，所述清洗箱(1)的上端面上位于所述支撑杆(9)的外侧设有第一支架(10)，所述第一支架(10)的上端转动连接有第一带轮(11)，所述清洗箱(1)的左右两侧端面上均设置有第二支架(12)，所述第二支架(12)内转动连有第二转轴(14)，所述第二转轴(14)的外侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡祗首，刘欣，郭辉，杨涛，
申请(专利权)人：惠州市中惠宇航半导体新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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