一种磁控流体变阻器装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及变阻器技术领域，提供一种磁控流体变阻器装置，包括：下极板，下极板上刻蚀有微纳电极，下极板的两端分别设有与微纳电极电连接的第一接线端子和第二接线端子；流道芯片，流道芯片的一侧设有凹槽，下极板设于凹槽的一侧并与流道芯片连接，凹槽与下极板形成储存腔；流体，流体注入储存腔内，流体与微纳电极接触，外部磁场与流体配合以实现对变阻器装置的阻值进行调整。本实用新型专利技术在流道芯片与下极板形成的储存腔注入流体，通过外部磁场与储存腔内的流体配合以非接触的方式调整变阻器装置的阻值，其避免了机械磨损、接触不良的情况，并且还适用于微型复杂空间工况，极大地增加变阻器装置的应用范围，且整体结构简单、小巧，操作方便。操作方便。操作方便。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控流体变阻器装置


[0001]本技术涉及变阻器
，更具体地说，是涉及一种磁控流体变阻器装置。

技术介绍

[0002]随着微机电系统的发展，人们越来越追求传感器件的小型化和集成化，电阻是电子元器件中最常见的应用产品之一，电阻在电路中既可以限制电流，保护电路，又可以分配电压，其在精密电路中应用广泛。变阻器可以用于调整电阻的大小，通常是在一段较长的电阻上，采用物理接触的方式驱动接触点移动来实现改变电阻，然而在传统的采用物理接触的方式中，当压力较大时，接触点磨损严重，变阻器寿命较短，当压力较小时，接触点接触不良，容易造成电路断路，除此之外，当面对一些微型复杂空间工况时，采用物理接触驱动比较困难。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种磁控流体变阻器装置，以解决现有技术中变阻器采用物理接触导致的接触点磨损严重、接触点接触不良以及无法应对微型复杂空间工况的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0005]本技术提供一种磁控流体变阻器装置，包括：
[0006]下极板，所述下极板上刻蚀有微纳电极，所述下极板的两端分别设有与所述微纳电极电连接的第一接线端子和第二接线端子；
[0007]流道芯片，所述流道芯片的一侧设有凹槽，所述下极板设于所述凹槽的一侧并与所述流道芯片连接，所述凹槽与所述下极板形成储存腔；
[0008]流体，所述流体注入所述储存腔内，所述流体与所述微纳电极接触，外部磁场与所述流体配合以实现对所述变阻器装置的阻值进行调整。
[0009]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述流体包括：
[0010]铜颗粒，所述铜颗粒下沉至所述下极板的表面并与所述微纳电极接触；
[0011]磁流体，所述磁流体在外部磁场的作用下控制所述铜颗粒形成导电链状结构，且所述导电链状结构与所述外部磁场方向平行。
[0012]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述铜颗粒为非球形不规则状导电金属颗粒，所述铜颗粒的尺寸为1～20微米。
[0013]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，当所述变阻器装置的阻值最小时，所述外部磁场方向为所述第一接线端子和所述第二接线端子的连线方向；
[0014]当所述变阻器装置的阻值最大时，所述外部磁场方向为所述第二接线端子和所述第一接线端子的连线的垂直方向。
[0015]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述微纳电极为插指电极，所述插指电极包括插指电极区域，所述铜颗粒下沉至所述下极板的表面并与所述插指电极区域接触；
[0016]插指电极区域的正负电极分别延伸至所述下极板的两端，分别形成第一接线区域和第二接线区域，所述第一接线区域与所述第一接线端子电连接，所述第二接线区域与所述第二接线端子电连接。
[0017]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述插指电极区域相邻的正负电极的间距越大，所述变阻器装置的最大阻值就越大；
[0018]或者，所述插指电极区域相邻的正负电极的交错节点的数量越多，所述变阻器装置的最小阻值就越小；
[0019]或者，所述插指电极区域相邻的正负电极的交错节点的刻蚀宽度越宽，所述变阻器装置的最小阻值就越小。
[0020]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述第一接线端子靠近所述下极板的一侧设有第一槽口，所述第一槽口卡接于所述下极板上，且所述第一槽口与所述第一接线区域紧密接触；
[0021]和/或，所述第二接线端子靠近所述下极板的一侧设有第二槽口，所述第二槽口卡接于所述下极板上，且所述第二槽口与所述第二接线区域紧密接触。
[0022]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述流道芯片包括：
[0023]具有预设高度的注入通道，所述注入通道设于所述流道芯片远离所述凹槽的一侧并与所述流道芯片连接，所述注入通道与所述凹槽连通；
[0024]具有预设高度的出气通道，所述出气通道设于所述流道芯片远离所述凹槽的一侧并与所述流道芯片连接，所述出气通道与所述凹槽连通；
[0025]所述注入通道和所述出气通道分别设于所述凹槽的两端。
[0026]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述变阻器装置包括：
[0027]注入口密封件，所述注入口密封件设于所述注入通道的注入口处并密封所述注入口；
[0028]出气口密封件，所述出气口密封件设于所述出气通道的出气口处并密封所述出气口。
[0029]根据上述所述的磁控流体变阻器装置，所述流道芯片与所述下极板键合，并通过胶水粘合密封。
[0030]本技术提供的磁控流体变阻器装置的有益效果至少在于：
[0031]本技术提供的磁控流体变阻器装置，在流道芯片的一侧设置凹槽，其流道芯片与下极板连接后，其凹槽与下极板之间形成了储存腔，将变阻器装置水平放置，然后向储存腔内注入流体，使得流体在储存腔内平铺，并且流体与下极板上刻蚀的微纳电极接触，即流体与微纳电极电连接，当需要调整变阻器装置的阻值时，可以通过外部磁场与储存腔内的流体配合以非接触的方式调整变阻器装置的阻值，进而实现动态定值地控制电路的电流、分配电路的电压。相较于传统的物理接触方式，本技术避免了机械磨损，延长了变阻器装置的使用寿命，还避免了接触不良的情况发生，提高了电路的稳定性，并且本技术还适用于微型复杂空间工况，可以适应大多数电路需求，极大地增加了变阻器装置的应用范围，且本技术提供的磁控流体变阻器装置的整体结构简单、小巧，操作方便。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为本技术实施例提供的磁控流体变阻器装置的结构示意图；
[0034]图2为本技术实施例提供的磁控流体变阻器装置的爆炸结构示意图一；
[0035]图3为本技术实施例提供的磁控流体变阻器装置的爆炸结构示意图二；
[0036]图4为本技术实施例提供的磁控流体变阻器装置的剖面结构示意图；
[0037]图5为图4中A部分的放大结构示意图；
[0038]图6为本技术实施例提供的流体包括的铜颗粒呈随机状态的结构示意图；
[0039]图7为本技术实施例提供的流体包括的铜颗粒形成第一导电链状结构的示意图；
[0040]图8为本技术实施例提供的流体包括的铜颗粒形成第二导电链状结构的示意图。
[0041]其中，图中各附图标记：
[0042][0043]具体实施方式
[0044]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控流体变阻器装置，其特征在于，包括：下极板，所述下极板上刻蚀有微纳电极，所述下极板的两端分别设有与所述微纳电极电连接的第一接线端子和第二接线端子；流道芯片，所述流道芯片的一侧设有凹槽，所述下极板设于所述凹槽的一侧并与所述流道芯片连接，所述凹槽与所述下极板形成储存腔；流体，所述流体注入所述储存腔内，所述流体与所述微纳电极接触，外部磁场与所述流体配合以实现对所述变阻器装置的阻值进行调整。2.根据权利要求1所述的磁控流体变阻器装置，其特征在于，所述流体包括：铜颗粒，所述铜颗粒下沉至所述下极板的表面并与所述微纳电极接触；磁流体，所述磁流体在外部磁场的作用下控制所述铜颗粒形成导电链状结构，且所述导电链状结构与所述外部磁场方向平行。3.根据权利要求2所述的磁控流体变阻器装置，其特征在于，所述铜颗粒为非球形不规则状导电金属颗粒，所述铜颗粒的尺寸为1～20微米。4.根据权利要求2所述的磁控流体变阻器装置，其特征在于，当所述变阻器装置的阻值最小时，所述外部磁场方向为所述第一接线端子和所述第二接线端子的连线方向；当所述变阻器装置的阻值最大时，所述外部磁场方向为所述第二接线端子和所述第一接线端子的连线的垂直方向。5.根据权利要求2所述的磁控流体变阻器装置，其特征在于，所述微纳电极为插指电极，所述插指电极包括插指电极区域，所述铜颗粒下沉至所述下极板的表面并与所述插指电极区域接触；插指电极区域的正负电极分别延伸至所述下极板的两端，分别形成第一接线区域和第二接线区域，所述第一接线区域与所述第一接线端子电连接，所述第二接线区域与所述第二接线端子电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓启宇，余鹏，牛小东，李翔，庄晓如，段礼沭，周琳，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：新型
国别省市：