【技术实现步骤摘要】
一种大位阻氮杂环卡宾钯配合物及其制备方法与应用和基于其的索尼吉布的合成方法
[0001]本专利技术属于有机合成及化学催化
,特别涉及一种大位阻氮杂环卡宾钯配合物及其制备方法与其在室温条件下高效催化C
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N偶联反应的应用,和基于其的索尼吉布的合成方法。
技术介绍
[0002]膦配体和氮杂环卡宾(NHC)配体都是强给电子配体,其钯的配合物能高效催化氧化加成决速步的反应,但是它们在空间立体结构上却有很大差异。1991年,Arduengo首次成功分离出氮杂环自由卡宾;1997年,Tolman等对膦配体空间立体结构进行深入研究,并认为膦配体的空间立体结构呈圆锥形形状,P上大位阻取代基团远离金属活性中心,不能很好地将金属中心包裹起来,缺乏稳定性。而氮杂环卡宾配体恰恰相反,N
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芳环上的取代基呈下垂状态,与金属中心距离更近,使催化剂变得更稳定,不易生成钯黑,因此能在空气下,甚至在含水体系中进行高效催化。在随后的二十多年里,氮杂环卡宾金属配合物研究得到了迅速发展,已成为金属有机催化领域的研究热点,尤其是氮杂环卡宾钯配合物催化的C
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C、C
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O、C
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N偶联反应等收获颇丰。
[0003]过渡金属催化C
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N键形成反应对含氮分子的合成影响深远,特别是钯催化芳基卤代物的胺化反应,在工业生产和学术研究中已成为一种非常有价值的工具,被广泛应用于医药、农药、功能材料等功能性化合物的合成与修饰。如下式所示,抗慢性髓细胞性白血 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大位阻氮杂环卡宾钯配合物,其特征在于该配合物是具有式(A)所示化学结构式的化合物:其中R1、R1’
、R2、R2’
相同或不同的分别为氢、取代或未取代的C6
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20的芳基、取代或未取代的C4
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20的杂环基、取代或未取代的C1
‑
20的烃氧基、取代或未取代的C1
‑
20的烷基、取代或未取代的C3
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20的环烷基、卤素、
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Bn、
‑
CF3、
‑
NO2、取代氨基中的至少一种;R3为氢、取代或未取代的C6
‑
20的芳基、取代或未取代的C4
‑
20的杂环基、取代或未取代的C1
‑
20的烷基、取代或未取代的C3
‑
20的环烷基、取代氨基中的任意一种;X为
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Cl、
‑
Br、
‑
I、CH3COO
‑
、CF3COO
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、
‑
BF4、
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PF6、
‑
SbF6、
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OTf中的一种。2.一种大位阻氮杂环卡宾钯配合物,其特征在于该配合物是权利要求1所述式(A)化学结构式的化合物的对映体或消旋体,对映体具有式(B)所示化学结构式,消旋体具有式(C)所示化学结构式:其中R1、R1’
、R2、R2’
相同或不同的分别为氢、取代或未取代的C6
‑
20的芳基、取代或未取代的C4
‑
20的杂环基、取代或未取代的C1
‑
20的烃氧基、取代或未取代的C1
‑
20的烷基、取代或未取代的C3
‑
20的环烷基、卤素、
‑
Bn、
‑
CF3、
‑
NO2、取代氨基中的至少一种;R3为氢、取代或未取代的C6
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20的芳基、取代或未取代的C4
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20的杂环基、取代或未取代的C1
‑
20的烷基、取代或未取代的C3
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20的环烷基、取代氨基中的任意一种;X为
‑
Cl、
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Br、
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I、CH3COO
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、CF3COO
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、
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BF4、
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PF6、
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SbF6、
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OTf中的一种。3.根据权利要求1或2所述的大位阻氮杂环卡宾钯配合物,其特征在于:取代指基团中的一个或一个以上氢原子被C6
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20的芳基、C4
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20的杂环基、C1
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20的烃氧基、C1
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20的烷基、C3
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20的环烷基、
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CF3、
‑
NO...
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