暗场成像检测系统技术方案

本发明专利技术公开了一种暗场成像检测系统，暗场成像检测系统包括真空腔室、光源、光学组件和图像采集装置，真空腔室内设有检测位，检测位用于放置极紫外掩模，光源设于真空腔室内且用于向极紫外掩模发射极紫外光束，光学组件设于真空腔内，光学组件用于接收经极紫外掩模发出的散射光线并将散射光线形成光学图像，图像采集装置用于采集光学图像。进行检测时，启动暗场成像检测系统，光源发出极紫外光束，极紫外光束照射在极紫外掩模上，若极紫外掩模具有缺陷，会产生散射光线，光学组件吸收散射光线并将散射光线形成光学图像，图像采集装置采集光学图像，实现暗场成像。上述暗场成像检测系统的结构简单，制造成本低，并且灵敏度高。并且灵敏度高。并且灵敏度高。

【技术实现步骤摘要】
暗场成像检测系统


[0001]本专利技术涉及电子制造
，尤其涉及一种暗场成像检测系统。

技术介绍

[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
[0003]极紫外光刻是7nm以下节点的主流光刻技术，极紫外光刻过程中，极紫外掩模充当着极紫外光刻工艺过程中的“模子”。
[0004]极紫外掩模的制备首先要在低热膨胀系数基底上镀制Mo/Si(钼/硅)多层膜，再镀一层吸收层，之后通过电子束光刻在吸收层制作出图形。然而低热膨胀系数基底在化学机械研磨及后续清洗过程，会带来凹坑、凸起、划痕等缺陷。在Mo/Si多层膜沉积、多层膜上镀覆盖层的过程中，会再产生新的缺陷，因此，极紫外光掩模质量的好坏直接决定着极紫外光刻芯片的良率。
[0005]为了保证极紫外掩模的质量，需要对极紫外掩模进行光化检测，现有技术中，极紫外掩模检测系统的结构复杂、制造成本高，并且灵敏度低。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是至少解决极紫外掩模检测系统的结构复杂、制造成本高，并且灵敏度低的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
[0007]本专利技术提出了一种暗场成像检测系统，所述暗场成像检测系统包括：
[0008]真空腔室，所述真空腔室内设有检测位，所述检测位用于放置极紫外掩模；
[0009]光源，所述光源设于所述真空腔室内且用于向所述极紫外掩模发射极紫外光束；
[0010]光学组件，所述光学组件设于所述真空腔内，所述光学组件用于接收经所述极紫外掩模发出的散射光线并将所述散射光线形成光学图像；
[0011]图像采集装置，所述图像采集装置用于采集所述光学图像。
[0012]根据本专利技术的暗场成像检测系统，当需要对极紫外掩模进行检测时，将极紫外掩模放置在检测位上，启动暗场成像检测系统，光源发出极紫外光束，极紫外光束照射在极紫外掩模上，若极紫外掩模存在缺陷，照射在极紫外掩模上的极紫外光束会产生散射光线，光学组件吸收散射光线并将散射光线形成光学图像，图像采集装置采集光学图像，从而实现暗场成像，进而实现对极紫外掩模的检测。上述暗场成像检测系统的结构简单，制造成本低，并且灵敏度高。
[0013]另外，根据本专利技术的暗场成像检测系统，还可具有如下附加的技术特征：
[0014]在本专利技术的一些实施例中，所述光学组件包括波带片，所述波带片间隔设置在所述极紫外掩模的上方且用于形成所述光学图像。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，所述光学组件还包括挡光件，所述挡光件用于阻挡经所述极紫外掩模发出的反射光线。
[0016]在本专利技术的一些实施例中，所述挡光件设置在所述极紫外掩模和所述波带片之间
且用于阻挡所述反射光线。
[0017]在本专利技术的一些实施例中，所述挡光件设置在所述波带片上且用于阻挡所述反射光线。
[0018]在本专利技术的一些实施例中，所述波带片上设有透光孔，所述透光孔设置成供所述极紫外掩模发出的反射光线通过。
[0019]在本专利技术的一些实施例中，所述暗场成像检测系统还包括探测件，所述探测件用于探测经过所述透光孔的所述反射光线。
[0020]在本专利技术的一些实施例中，所述光学组件还包括反射件，所述极紫外光束经所述反射件反射至所述极紫外掩模上。
[0021]在本专利技术的一些实施例中，所述反射件间隔设置在所述波带片的上方，所述极紫外光束在所述反射件的入射方向与所述极紫外光束在所述反射件上的反射方向之间的夹角大于90
°
且小于180
°
；
[0022]或者所述反射件间隔设置在所述波带片与所述极紫外掩模之间，所述极紫外光束在所述反射件的入射方向与所述极紫外光束在所述反射件上的反射方向之间的夹角等于90
°
。
[0023]在本专利技术的一些实施例中，所述光学组件还包括具有第一调节机构的装载台，所述波带片设置在所述装载台上，所述第一调节机构用于调节所述装载台的自由度；
[0024]并且/或者所述暗场成像检测系统还包括具有第二调节机构的置物台，所述检测位形成在所述置物台上，所述第二调节机构用于调节所述置物台的自由度；
[0025]并且/或者所述暗场成像检测系统还包括隔离组件，所述隔离组件设置在所述真空腔室的外侧，所述隔离组件包括隔热件、隔音件和隔振件。
附图说明
[0026]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中：
[0027]图1示意性地示出了根据本专利技术实施方式的暗场成像检测系统第一实施方式的结构简图(部分结构)；
[0028]图2示意性地示出了根据本专利技术实施方式的暗场成像检测系统第二实施方式的结构简图(部分结构)；
[0029]图3为图2中所示暗场成像检测系统的波带片的结构示意图；
[0030]图4示意性地示出了根据本专利技术实施方式的暗场成像检测系统第三实施方式的结构简图(部分结构)；
[0031]图5为图4中所示暗场成像检测系统的波带片的结构示意图；
[0032]图6示意性地示出了根据本专利技术实施方式的暗场成像检测系统第四实施方式的结构简图(部分结构)。
[0033]附图标记如下：
[0034]100为暗场成像检测系统；
[0035]10为光学组件；
[0036]11为波带片，111为透光孔，12为挡光件，13为反射件，14为装载台，141为透射孔；
[0037]20为图像采集装置；
[0038]30为光源；
[0039]31为极紫外光束，32为反射光线，33为散射光线，34为光学图像；
[0040]40为探测件；
[0041]200为极紫外掩模。
具体实施方式
[0042]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0043]应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行，除非明确指出执行顺序。还应当理解，可以使用另外或者替代的步骤。
[0044]尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种暗场成像检测系统，其特征在于，所述暗场成像检测系统包括：真空腔室，所述真空腔室内设有检测位，所述检测位用于放置极紫外掩模；光源，所述光源设于所述真空腔室内且用于向所述极紫外掩模发射极紫外光束；光学组件，所述光学组件设于所述真空腔内，所述光学组件用于接收经所述极紫外掩模发出的散射光线并将所述散射光线形成光学图像；图像采集装置，所述图像采集装置用于采集所述光学图像。2.根据权利要求1所述的暗场成像检测系统，其特征在于，所述光学组件包括波带片，所述波带片间隔设置在所述极紫外掩模的上方且用于成像。3.根据权利要求2所述的暗场成像检测系统，其特征在于，所述光学组件还包括挡光件，所述挡光件用于阻挡经所述极紫外掩模的反射光线。4.根据权利要求3所述的暗场成像检测系统，其特征在于，所述挡光件设置在所述极紫外掩模和所述波带片之间且用于阻挡所述反射光线。5.根据权利要求3所述的暗场成像检测系统，其特征在于，所述挡光件设置在所述波带片上且用于接收所述反射光线。6.根据权利要求2所述的暗场成像检测系统，其特征在于，所述波带片上设有透光孔，所述透光孔设置成供所述极紫外掩模的反射光线通过。7.根据权利要求6所述的暗场成像检测系统，其特征在于，所述暗场成像检测系统还包括探测件，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马翔宇，吴晓斌，沙鹏飞，谢婉露，韩晓泉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：