一种复合式直流继电器制造技术

技术编号:3135760 阅读:186 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种涉及继电器的复合式直流继电器,包括继电器、输入接头和输出接头,其特征在于:还包括单片机控制电路、开关电路和开关,其中,所述单片机控制电路与继电器、开关电路分别连接,所述继电器开关一端与输入接头相连,另一端连至开关电路输入端,所述开关电路输出端与输出接头相连,所述开关连接于单片机控制电路与地之间;所述的开关电路为大功率开关管;所述的开关电路为IGBT功率管,其集电极连接继电器开关触点,发射极连接输出接头,基极连接单片机控制电路;所述的开关电路为金属氧化物半导体场效应MOSFET功率管或功率三极管,本实用新型专利技术体积小且闭合电流小,无拉弧现象。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及继电器,尤其涉及一种复合式直流继电器
技术介绍
继电器(或称接触器)是目前应用最为广泛的产品,IGBT功率管,MOS功率管,NPN功率管作为电子开关应用场合十分普遍。由于交流电流的交变特性,每周期电流都要过零,有自然灭弧作用,所以控制交流电流的通断较为容易。直流电流由于是连续的,用机械触点开关来分断,则易产生电弧,电弧是影响继电器寿命的主要因素。在现有技术中,为了灭弧,机械触点直流继电器(接触器)都做得笨重且自身耗电较大,也有些采用交流继电器(接触器)几级主触头串联来分断直流负载,但是无论是直流继电器(接触器)还是几级交流继电器(接触器)主触头串联,体积都很大,而且,闭合电流过大,会熔毁触点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种体积小且闭合电流小的复合式直流继电器,以解决现有技术中器件笨重,多级串联所引起的体积过大而且闭合电流过大的问题。本技术包括继电器、输入接头和输出接头,其特征在于还包括单片机控制电路、开关电路和开关,其中,所述单片机控制电路与继电器、开关电路分别连接;所述继电器开关一端与输入接头相连,另一端连至开关电路输入端;所述开关电路输出端与输出接头相连;所述开关连接于单片机控制电路与地之间。所述的开关电路为大功率开关管。所述的开关电路为IGBT功率管,其集电极连接继电器开关触点,发射极连接输出接头,基极连接单片机控制电路。所述的开关电路为金属氧化物半导体场效应MOSFET功率管,其集电极连接继电器开关触点,发射极连接输出接头,基极连接单片机控制电路。所述的开关电路为功率三极管,其集电极连接继电器开关触点,发射极连接输出接头,基极连接单片机控制电路。所述的MOSFET功率管的输出端还串联有续流二极管。所述的输入接头和输出接头的负端相连通,输入接头正端与继电器开关相连,输出接头的正端与开关电路输出端相连。所述的输出接头的正、负端之间连接二极管。所述的单片机控制电路中的单片机为4位、8位或16位以上单片机。本技术的有益效果为在本技术中,单片机控制电路与继电器、开关电路分别连接,继电器开关一端与输入接头相连,另一端连至开关电路输入端,本技术的通断在实际上形成继电器开关和开关电路的串联,在使用过程中,单片机控制电路采用延时对继电器开关和开关电路产生了分别、分时控制通断的效果,工作上电时,继电器吸合导通工作的瞬时,开关电路未导通,电路无电流,避免电流过大熔毁触点;下电时,使开关电路首先关断,电路无电流,这样,再使继电器触点断开,不会产生拉弧现象,而且,本技术采用单片机控制电路和简单的分立元件,如大功率开关管、普通继电器,体积小巧,解决了现有技术中体积大,闭合电流大的问题。附图说明图1为本技术实施例1电路结构示意图;图2为本技术实施例2电路结构示意图;图3为本技术实施例3电路结构示意图。具体实施方式下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明实施例1根据图1,本技术包括继电器1、输入接头2和输出接头3,输入接头2和输出接头3的负端相连通,还包括单片机控制电路4、开关电路5和开关S,单片机控制电路4中的单片机可采用4位、8位或16位以上单片机,其中单片机控制电路4与继电器1、开关电路5分别连接于控制端K2、K1。开关电路5为大功率开关管,采用IGBT功率管,该IGBT功率管集电极连接继电器1开关触点,其发射极连接输出接头3的正端,其基极连至单片机控制电路4的控制端K1。继电器1开关一端与输入接头2正端相连,另一端连至开关电路5输入端,即IGBT功率管集电极;该继电器1的电压控制端分别与电源Vcc和单片机控制电路4的控制端K2相连。开关S连接于单片机控制电路4与地之间。输出接头3的正、负端之间连接二极管D1,二极管D1与输出接头3同极相连。本技术工作过程如下上电时,如图1所示,将开关S置到导通ON本技术工作,单片机控制电路4通过控制端K2(例如,低电位信号)使继电器1吸合,此时由于大功率开关管(即IGBT功率管)未导通,电路无电流,继电器1开关触点吸合不会因闭合电流过大熔毁触点;经过一段时间延时,延时范围可根据单片机控制电路4的设定,从0.1秒到999秒,该延时时间可调,当设定的延时时间到达,单片机控制电路4通过控制端K1(例如,高电位信号)使大功率开关管(即IGBT功率管)导通,线路接通,使得输入接头2和输出接头3的正端相连通。下电时,如图1所示,将开关S置到关断OFF;本技术停止工作,单片机控制电路4通过控制端K1(例如,低电位信号)使大功率开关管(即IGBT功率管)关断,电路断开,无电流流通;经过一段时间延时,当设定的延时时间到达,该延时时间可以设定为0.1秒至30秒的任意值,单片机控制电路4通过控制端K2(例如,高电位信号)使继电器1开关触点断开,此时由于电路断开,无电流流过,继电器1开关触点断开时无拉弧现象。实施例2 如图2所示,本实施例与实施例1的区别在于在本实施例中,所述的开关电路5为金属氧化物半导体场效应MOSFET功率管,MOSFET功率管的输出端还串联有续流二极管D2,金属氧化物半导体场效应MOSFET功率管集电极连接继电器1开关触点,其发射极连接续流二极管D2正端,续流二极管D2负端与输出接头3的正端相连,金属氧化物半导体场效应MOSFET功率管基极连接单片机控制电路4的控制端K1。至于其工作原理、结构、控制方法与实施例1所述相同或相似,此处不再赘述。实施例3如图3所示,本实施例与实施例1的区别在于在本实施例中,所述的开关电路5为NPN功率三极管,其集电极连接继电器1开关触点,发射极连接输出接头3的正端,基极连接单片机控制电路4的控制端K1。至于其工作原理、结构、控制方法与实施例1所述相同或相似,此处不再赘述。对于本技术来说,继电器1也可为普通的交流继电器,至于其在本技术中的电路控制结构,与上述实施例所述相同或相似,对于本领域技术人员来说,可不需创造性劳动即可实施;而且,对于本领域技术人员来说,可不需创造性劳动即可采用、实施其它类型的大功率开关管,此处不再详述。权利要求1.一种复合式直流继电器,包括继电器(1)、输入接头(2)和输出接头(3),其特征在于还包括单片机控制电路(4)、开关电路(5)和开关(S),其中,所述单片机控制电路(4)与继电器(1)、开关电路(5)分别连接;所述继电器(1)开关一端与输入接头(2)相连,另一端连至开关电路(5)输入端;所述开关电路(5)输出端与输出接头(3)相连;所述开关(S)连接于单片机控制电路(4)与地之间。2.根据权利要求1所述的复合式直流继电器,其特征在于所述的开关电路(5)为大功率开关管。3.根据权利要求2所述的复合式直流继电器,其特征在于所述的开关电路(5)为IGBT功率管,其集电极连接继电器(1)开关触点,发射极连接输出接头(3),基极连接单片机控制电路(4)。4.根据权利要求2所述的复合式直流继电器,其特征在于所述的开关电路(5)为MOSFET功率管,其集电极连接继电器(1)开关触点,发射极连接输出接头(3),基极连接单片机控制电路(4)。5.根据权利要求4所述的复合式直流继电器,其特征在于所述的MOSFET功率管的输出端还串联有续流二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式直流继电器,包括继电器(1)、输入接头(2)和输出接头(3),其特征在于:还包括单片机控制电路(4)、开关电路(5)和开关(S),其中,    所述单片机控制电路(4)与继电器(1)、开关电路(5)分别连接;    所述继电器(1)开关一端与输入接头(2)相连,另一端连至开关电路(5)输入端;    所述开关电路(5)输出端与输出接头(3)相连;    所述开关(S)连接于单片机控制电路(4)与地之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:付晶晶
申请(专利权)人:上海云骅电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利