一种PNP型晶体三极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PNP型晶体三极管，包括封装外壳主体和引脚，封装外壳主体的顶端设置有散热顶块，散热顶块上开设置有散热槽，封装外壳主体的前后外壁面上对称设置有防倒架，防倒架的下端设置有导滑槽，导滑槽内滑动套接有伸缩块，伸缩块的外侧下端设置有支撑条，导滑槽的内壁面上设置有限位阻尼块，散热顶块整体为半球体状结构。避免了倾倒造成的三个引脚折弯甚至脱落的情况，保证了对PNP型晶体三极管整体的防倾倒保护性，避免支撑条碰撞挡住其他需要焊接在电路板上的焊接元件，提高了支撑条的灵活实用性，提高了PNP型晶体三极管的散热效果，避免了对正在焊接操作工作人员的刮伤情况。的刮伤情况。的刮伤情况。

【技术实现步骤摘要】
一种PNP型晶体三极管


[0001]本技术属于三极管
，具体为一种PNP型晶体三极管。

技术介绍

[0002]PNP型晶体三级管是由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成的三极管。
[0003]PNP型晶体三级管的整体为封装外壳，在封装外壳的顶端会设置散热块，在封装外壳的下端会引出三根引脚，后期会通过三根引脚焊接在相应的电路板上。
[0004]可是，现有的PNP型晶体三极管，当其通过三根引脚焊接到电路板上后，可能会受到前后碰撞而造成PNP型晶体三极管整体出现向前或者向后角度旋转倾倒，进而会造成下方三根引脚的焊接位置折弯甚至直接脱落，影响到PNP型晶体三极管的正常使用。
[0005]另外，PNP型晶体三极管的散热效果较低，而且现有的散热块大多是矩形状结构，其顶端为九十度拐角，容易出现该九十度拐角对正在焊接操作工作人员的刮伤情况。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种PNP型晶体三极管，以解决现有技术中焊接到电路板上的PNP型晶体三极管受到碰撞容易出现旋转倾倒而造成下方三根引脚的焊接位置折弯甚至直接脱落、PNP型晶体三极管的散热效果较低、容易出现散热块对正在焊接操作工作人员的刮伤情况的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种PNP型晶体三极管，包括封装外壳主体和引脚，所述封装外壳主体的顶端设置有散热顶块，所述散热顶块上开设置有散热槽，所述封装外壳主体的前后外壁面上对称设置有防倒架，所述防倒架的下端设置有导滑槽，所述导滑槽内滑动套接有伸缩块，所述伸缩块的外侧下端设置有支撑条，所述支撑条的下端面三角扩散式结构且其整体为长条状结构，所述导滑槽的内壁面上设置有限位阻尼块，所述散热顶块整体为半球体状结构，球体状结构的散热顶块外部具有顺滑度，有效避免了对正在焊接操作工作人员的刮伤情况。
[0008]优选的，所述散热槽的数量为十六个，并以散热顶块的半球体状结构圆心为中心圆周排列设置，所述散热槽的截面扇形状结构，其向外侧的开设角度为十度，散热顶块整体采用铝材质制成，导热率高，配合热量均会向上流动的效果，并且扇形状结构散热槽大大提高了散热有效面，提高了对圆柱体状封装外壳主体散热的契合度，进而提高了PNP型晶体三极管的散热效果。
[0009]优选的，所述引脚为横向排列的三根，所述防倒架为两个折弯状结构块并以三个引脚的排列正面横向中轴线为中心对称设置，避免了焊接在电路板上的封装外壳主体可能受到碰撞而出现倾倒现象，进而避免了倾倒造成的三个引脚折弯甚至脱落的情况。
[0010]优选的，所述导滑槽和伸缩块的侧截面均为矩形状结构，在实现伸缩块横向滑动，同时避免伸缩块在导滑槽内产生转动，进而保证支撑条的下端面与电路板的上端面保持水平对齐，以保证后期的稳定支撑。
[0011]优选的，所述防倒架和支撑条的下端面平齐，并且高于引脚的下端面，当引脚焊接到电路板上后，引脚的下端部分会热熔并与电路板上的焊点焊接在一起，而此时PVC塑料材质的防倒架和支撑条的下端面会与电路板上端面紧密贴合，实现稳定支撑，并且实现绝缘性。
[0012]优选的，所述限位阻尼块为横向排列的九个，一共为四组，每组分别设于矩形状结构的滑槽内壁面上，限位阻尼块为弹性硅胶垫，具有阻尼摩擦性，可对PVC塑料材质的伸缩块表面进行挤压阻尼摩擦定位。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]通过在封装外壳主体的外壁面设置的具有支撑条的对称式防倒架结构，有效避免了焊接在电路板上的封装外壳主体可能受到碰撞而出现倾倒现象，进而避免了倾倒造成的三个引脚折弯甚至脱落的情况，保证了对PNP型晶体三极管整体的防倾倒保护性，另外，设置的滑动阻尼限位结构，可实现支撑条进行滑动伸缩调节，避免支撑条碰撞挡住其他需要焊接在电路板上的焊接元件，提高了支撑条的灵活实用性。
[0015]通过在封装外壳主体的顶端设置具有扇形状散热槽的球体状结构散热顶块，不仅大大提高了对圆柱体状封装外壳主体散热的契合度，进而提高了PNP型晶体三极管的散热效果，而且球体状结构的散热顶块外部具有顺滑度，有效避免了对正在焊接操作工作人员的刮伤情况。
附图说明
[0016]图1为本技术的整体结构立体图；
[0017]图2为本技术的整体结构正视图；
[0018]图3为本技术的图2中A处放大图。
[0019]图中：1封装外壳主体、11引脚、2防倒架、21导滑槽、3伸缩块、4支撑条、5散热顶块、6散热槽、7限位阻尼块。
具体实施方式
[0020]请参阅图1、图2、图3，一种PNP型晶体三极管，包括封装外壳主体1和引脚11，上述结构均为PNP型晶体三极管的组件结构，封装外壳主体1的顶端过盈内嵌设置有散热顶块5，散热顶块5上开设置有散热槽6，封装外壳主体1的前后外壁面上对称胶粘有防倒架2，防倒架2的下端设置有导滑槽21，导滑槽21内滑动套接有伸缩块3，伸缩块3的外侧下端胶粘有支撑条4，导滑槽21的内壁面上胶粘有限位阻尼块7。
[0021]请参阅图1、图2，散热顶块5整体为半球体状结构，散热槽6的数量为十六个，并以散热顶块5的半球体状结构圆心为中心圆周排列设置，散热槽6的截面扇形状结构，其向外侧的开设角度为十度，提高了散热有效面，提高了对圆柱体状封装外壳主体1散热的契合度，进而提高了PNP型晶体三极管的散热效果。
[0022]请参阅图2、图3，导滑槽21和伸缩块3的侧截面均为矩形状结构，支撑条4的下端面三角扩散式结构且其整体为长条状结构，提高了支撑面。
[0023]请参阅图1、图2，防倒架2和支撑条4的下端面平齐，并且高于引脚11的下端面，当引脚11焊接到电路板上后，引脚11的下端部分会热熔并与电路板上的焊点焊接在一起，而
此时防倒架2和支撑条4的下端面会与电路板上端面紧密贴合，实现稳定支撑。
[0024]请参阅图3，限位阻尼块7为横向排列的九个，一共为四组，每组分别胶粘于矩形状结构的滑槽21内壁面上，限位阻尼块7具有阻尼摩擦性，另外，伸缩块3的外壁面采用磨砂工艺，配合限位阻尼块7的阻尼摩擦效果，大大提高阻尼摩擦定位性。
[0025]本方案的工作原理是：当将封装外壳主体1下端的三根引脚11焊接在电路板上后，此时，支撑条4以及防倒架2的下端面会与电路板的上端面全面贴合，避免了焊接在电路板上的封装外壳主体1可能受到碰撞而出现倾倒现象，避免了倾倒造成的三个引脚11折弯甚至脱落的情况，保证了对PNP型晶体三极管整体的防倾倒保护性。
[0026]另外，如果支撑条4可能对附近焊接元件造成阻挡或者重合接触的情况，可以将支撑条4整体沿着导滑槽21向内部滑动，并通过限位阻尼块7进行阻尼定位，避免支撑条4碰撞挡住其他需要焊接在电路板上的焊接元件，提高了支撑条4的灵活实用性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PNP型晶体三极管，包括封装外壳主体(1)和引脚(11)，其特征在于：所述封装外壳主体(1)的顶端设置有散热顶块(5)，所述散热顶块(5)上开设置有散热槽(6)，所述封装外壳主体(1)的前后外壁面上对称设置有防倒架(2)，所述防倒架(2)的下端设置有导滑槽(21)，所述导滑槽(21)内滑动套接有伸缩块(3)，所述伸缩块(3)的外侧下端设置有支撑条(4)，所述导滑槽(21)的内壁面上设置有限位阻尼块(7)，所述散热顶块(5)整体为半球体状结构。2.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于：所述支撑条(4)的下端面三角扩散式结构且其整体为长条状结构。3.根据权利要求1所述的一种PNP型晶体三极管，其特征在于：所述散热槽(6)的数量为十六个，并以散热顶块(5)的半球体状结构圆心为中心圆周排列设置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟平权，
申请(专利权)人：东莞市通科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：