一种多晶硅还原炉用电极隔热筒制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，所述多晶硅还原炉用电极隔热筒包括底盘、隔热组件和电极组件，所述电极组件贯穿隔热组件，所述隔热组件贯穿底盘，所述隔热组件包括电极座、卡扣在电极座上的隔热筒和盖设在隔热筒上的隔热盖，所述电极座上设置有限位结构，所述隔热筒通过限位结构卡设在电极座上，所述隔热盖上设置有电极通道，所述电极组件通过电极通道贯穿隔热盖，所述隔热筒套设在电极组件上。能够减少电极周边硅粉生成、并提高隔热能力的效果。高隔热能力的效果。高隔热能力的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉用电极隔热筒


[0001]本技术涉及多晶硅还原炉，尤其涉及一种多晶硅还原炉用电极隔热筒。

技术介绍

[0002]在多晶硅还原炉生产过程中，由于还原炉的气相沉积反应需要硅芯表面温度高达980～1080度，炉内反应介质温度高达600度以上，而此温度下由于存在TCS分解生成Si粉的副反应，所以通常还原炉生产过程中经常有硅粉生成。
[0003]还原炉正常运行时，电极通过石墨夹具连接硅芯，用于给硅芯提供加热的电流，同时，电极和底盘之间设置了绝缘件(绝缘件结构非本专利权利要求，故本技术中绝缘件结构仅为示意)用于起到电极和底盘的绝缘。由于硅粉为半导体，在高温下呈现一定导电性，当硅粉沉积在电极和绝缘件表面时，会导致绝缘效果变差。为此通常在电极外侧设置隔热筒和隔热盖，用以减少电极周边硅粉的生成。
[0004]高温下隔热筒和隔热盖表面也会沉积硅粉，所以通常隔热筒和隔热盖都会与电极及相关零部件之间留一定的间隙，以避免形成导电回路而导致底盘导电。由于间隙的存在，隔热筒和隔热盖安装时常常无法做到与电极同心，即使安装时装的很准确，还原炉进行置换和进料过程中，收到气体吹扫的作用，隔热筒和隔热盖局部会被吹偏，导致隔热效果不理想。

技术实现思路

[0005]鉴于目前多晶硅还原炉存在的上述不足，本技术提供一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，能够减少电极周边硅粉生成、并提高隔热能力的效果。
[0006]为达到上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0007]一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，所述多晶硅还原炉用电极隔热筒包括底盘、隔热组件和电极组件，所述电极组件贯穿隔热组件，所述隔热组件贯穿底盘，所述隔热组件包括电极座、卡扣在电极座上的隔热筒和盖设在隔热筒上的隔热盖，所述电极座上设置有限位结构，所述隔热筒通过限位结构卡设在电极座上，所述隔热盖上设置有电极通道，所述电极组件通过电极通道贯穿隔热盖，所述隔热筒套设在电极组件上。
[0008]依照本技术的一个方面，所述电极组件包括电极、套设在电极上的绝缘套筒和设置在电极顶端的石墨夹具，所述电极组件通过绝缘套筒设置在电极座上。
[0009]依照本技术的一个方面，所述限位结构呈环形，所述限位结构的外部半径小于隔热筒的内圈半径。
[0010]依照本技术的一个方面，所述限位结构与电极座的连接处为直角过渡、斜面过渡或倒圆角过渡。
[0011]依照本技术的一个方面，所述限位结构通过于底盘上堆焊加工制作。
[0012]本技术实施的优点：
[0013]本技术提供了一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，所述多晶硅还原炉用电极隔
热筒包括底盘、隔热组件和电极组件，所述电极组件贯穿隔热组件，所述隔热组件贯穿底盘，所述隔热组件包括电极座、卡扣在电极座上的隔热筒和盖设在隔热筒上的隔热盖，所述电极座上设置有限位结构，所述隔热筒通过限位结构卡设在电极座上，所述隔热盖上设置有电极通道，所述电极组件通过电极通道贯穿隔热盖，所述隔热筒套设在电极组件上。能够减少电极周边硅粉生成、并提高隔热能力的效果。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本技术所述的连接面为斜面过渡一种多晶硅还原炉用电极隔热筒的结构示意图；
[0016]图2为本技术所述的连接面为直角过渡一种多晶硅还原炉用电极隔热筒的结构示意图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]如图1
‑
2所示，一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，所述多晶硅还原炉用电极隔热筒包括底盘1、隔热组件和电极组件，所述电极组件贯穿隔热组件，所述隔热组件贯穿底盘1，所述隔热组件包括电极座2、卡扣在电极座2上的隔热筒3和盖设在隔热筒3上的隔热盖4，所述电极座2上设置有限位结构7，所述隔热筒3通过限位结构7卡设在电极座2上，所述隔热盖4上设置有电极通道，所述电极组件通过电极通道贯穿隔热盖4，所述隔热筒3套设在电极组件上。
[0019]在本实施例中，所述电极组件包括电极6、套设在电极6上的绝缘套筒8和设置在电极6顶端的石墨夹具5，所述电极组件通过绝缘套筒8设置在电极座上。
[0020]在本实施例中，所述限位结构7呈环形，所述限位结构7的外部半径小于隔热筒3的内圈半径。
[0021]在本实施例中，所述限位结构7与电极6座2的连接处为直角过渡、斜面过渡或倒圆角过渡。
[0022]在本实施例中，所述限位结构7通过于底盘1上堆焊加工制作。
[0023]本技术设计了一种电极隔热筒限位结构7，其结构是在底盘1的每个电极孔周边设置一个高于底盘1的圆环面，该圆环面的直径小于隔热筒3的内径，当隔热筒3放置于底盘上时，该圆环面由于高于底盘，可起到隔热筒3的定位和固定作用。
[0024]对于自动化安装，此限位结构7也能够起到引导隔热筒3安装到位的作用。
[0025]对于底盘清洗，此限位结构7因为高于底盘，在清洁限位结构之间区域时，溶剂无
法进入绝缘件8和底盘1之间的缝隙，而限位结构7表面因为积硅不严重，且面积小，可以通过湿润无纺布进行表面清洁，以避免溶剂渗入缝隙。
[0026]本技术实施的优点：
[0027]本技术提供了一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，所述多晶硅还原炉用电极隔热筒包括底盘、隔热组件和电极组件，所述电极组件贯穿隔热组件，所述隔热组件贯穿底盘，所述隔热组件包括电极座、卡扣在电极座上的隔热筒和盖设在隔热筒上的隔热盖，所述电极座上设置有限位结构，所述隔热筒通过限位结构卡设在电极座上，所述隔热盖上设置有电极通道，所述电极组件通过电极通道贯穿隔热盖，所述隔热筒套设在电极组件上。能够减少电极周边硅粉生成、并提高隔热能力的效果。
[0028]以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域技术的技术人员在本技术公开的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，其特征在于：所述多晶硅还原炉用电极隔热筒包括底盘、隔热组件和电极组件，所述电极组件贯穿隔热组件，所述隔热组件贯穿底盘，所述隔热组件包括电极座、卡扣在电极座上的隔热筒和盖设在隔热筒上的隔热盖，所述电极座上设置有限位结构，所述隔热筒通过限位结构卡设在电极座上，所述隔热盖上设置有电极通道，所述电极组件通过电极通道贯穿隔热盖，所述隔热筒套设在电极组件上。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉用电极隔热筒，其特征在于：所述电极组件包括电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张华芹，吴海龙，张冬翔，
申请(专利权)人：上海韵申新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：