能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器制造技术

能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器，包括感应线圈、漏电检测电路、主触点ＳＷ２保持吸合电路、试验电路、复位电路，其特征在于：还包括主触点ＳＷ２吸合触发电路，主触点ＳＷ２吸合触发电路由接主触点ＳＷ２前端相线的可控硅ＳＣＲ２串接吸合触发线圈Ｊ２及可控硅ＳＣＲ２的控制极接有的触发电路和锁闭电路构成。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种漏电保护器，特别是一种能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器。
技术介绍
目前的漏电保护器已经得到广泛的应用，一般的家用电器为了保险也开始使用，使用时只要是电器发生故障或发生触电事故，漏电保护器会瞬间脱扣，保护电器的使用安全及人身安全，但是在使用中有很多电器设备没有故障，仅是断电引发的漏电保护器会瞬间脱扣，而现有的漏电保护器在脱扣后无论是断电或故障，通常需要用手工进行复位，因此在使用中带来问题。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术中漏电保护器在脱扣后无论是断电或故障，通常需要用手工进行复位的问题，提供一种能自动区分断电或故障引发漏电保护器脱扣后是否自动复位的能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器。本技术设计能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器，包括感应线圈、漏电检测电路、主触点SW2保持吸合电路、试验电路、复位电路，其特征在于还包括主触点SW2吸合触发电路，主触点SW2吸合触发电路由接主触点SW2前端相线的可控硅SCR2串接吸合触发线圈J2及可控硅SCR2的控制极接有的触发电路和锁闭电路构成。可控硅SCR2的控制极接有的触发电路由二极管D4串接电阻R7和R4构成，二极管D4的正极接可控硅SCR2的阳极端，电阻R4另端接可控硅SCR2的控制极。可控硅SCR2的控制极接有的锁闭电路由晶体管Q1和延迟锁闭控制电路及导通保持锁闭电路构成，晶体管Q1的基极接延迟锁闭控制电路及导通保持锁闭电路，晶体管Q1的集电极接可控硅SCR2的控制极，晶体管Q1的发射极接可控硅SCR2的阴极端。延迟锁闭控制电路由稳压管D5、电容C3、两个电阻R5、R8、二极管D8构成，其中二极管D8的负端接晶体管Q1的基极，二极管D8的正端接电阻R5，电阻R5的另一端并接电容C3和电阻R8，电阻R8另一端接稳压管D5的正端，稳压管D5的负端接电容C3的另一端，稳压管D5的正端并接触发电路的电阻R7和R4端。导通保持锁闭电路由接主触点SW2后端相线的二极管D6和电阻R9构成，其中二极管D6的正端接主触点SW2后端相线，二极管D6的负端接电阻R9，电阻R9的另一端接晶体管Q1的基极。导通保持锁闭电路由光偶合IC2和电阻R12及R9和二极管D6构成，其中二极管D6的正端接主触点SW2后端相线，二极管D6的负端接光偶合IC2的输入端，电阻R9接光偶合IC2的另一输入端，光偶合IC2的输出端接电阻R12，光偶合IC2的另一输出端接晶体管Q1的基极。所述的晶体管Q1为晶体三极管或MOS场效应管。导通保持锁闭电路由与主触点SW2联动的辅助触点SW4构成，辅助触点SW4短接可控硅SCR2的控制极和阴极。导通保持锁闭电路由光偶合IC2和电阻R9和二极管D6构成，其中光偶合IC2的输入端接二极管D6的负端，二极管D6的正端接主触点SW2后端相线，光偶合IC2的另一输入端接电阻R9，电阻R9的另一端接主触点SW2后端零线，光偶合IC2的输出端接可控硅SCR2的控制极，光偶合IC2的另一输出端接可控硅SCR2的阴极。本技术的优点是能自动区分断电或故障引发漏电保护器脱扣后是否自动复位。以下结合附图和实施例对本技术作详细说明，附附图说明图1为本技术的实施例1结构示意图，附图2为本技术的实施例1结构示意图，附图3为本技术的实施例1结构示意图，附图4为本技术的实施例1结构示意图，具体实施方式例1图1中包括感应线圈、漏电检测电路、主触点SW2保持吸合电路、试验电路、复位电路，其特征在于还包括主触点SW2吸合触发电路，主触点SW2吸合触发电路由接主触点SW2前端相线的可控硅SCR2串接吸合触发线圈J2及可控硅SCR2的控制极接有的触发电路和锁闭电路构成。可控硅SCR2的控制极接有的触发电路由二极管D4串接电阻R7和R4构成，二极管D4的正极接可控硅SCR2的阳极端，电阻R4另端接可控硅SCR2的控制极。可控硅SCR2的控制极接有的锁闭电路由晶体管Q1和延迟锁闭控制电路及导通保持锁闭电路构成，晶体管Q1的基极接延迟锁闭控制电路及导通保持锁闭电路，晶体管Q1的集电极接可控硅SCR2的控制极，晶体管Q1的发射极接可控硅SCR2的阴极端。延迟锁闭控制电路由稳压管D5、电容C3、两个电阻R5、R8、二极管D8构成，其中二极管D8的负端接晶体管Q1的基极，二极管D8的正端接电阻R5，电阻R5的另一端并接电容C3和电阻R8，电阻R8另一端接稳压管D5的正端，稳压管D5的负端接电容C3的另一端，稳压管D5的正端并接触发电路的电阻R7和R4端。导通保持锁闭电路由接主触点SW2后端相线的二极管D6和电阻R9构成。其中二极管D6的正端接主触点SW2后端相线，二极管D6的负端接电阻R9，电阻R9的另一端接晶体管Q1的基极。例2图2中(其它电路同图1)的导通保持锁闭电路由光偶合IC2和电阻R12及R9和二极管D6构成，其中二极管D6的正端接主触点SW2后端相线，二极管D6的负端接光偶合IC2的输入端，电阻R9接光偶合IC2的另一输入端，光偶合IC2的输出端接电阻R12，光偶合IC2的另一输出端接晶体管Q1的基极。例3图3中(其它电路同图1)导通保持锁闭电路由与主触点SW2联动的辅助触点SW4构成，辅助触点SW4短接可控硅SCR2的控制极和阴极。例4图4中(其它电路同图1)导通保持锁闭电路由光偶合IC2和电阻R9和二极管D6构成，其中光偶合IC2的输入端接二极管D6的负端，二极管D6的正端接主触点SW2后端相线，光偶合IC2的另一输入端接电阻R9，电阻R9的另一端接主触点SW2后端零线，光偶合IC2的输出端接可控硅SCR2的控制极，光偶合IC2的另一输出端接可控硅SCR2的阴极。综合上述例1——例4，分析自复位漏电保护器的工作状态。当接入电源时主触点SW2保持吸合电路动作，经D2、R2、R1使J1保持吸合线圈工作，另外电源相线经D4和R7形成脉动直流，分三路工作。(A)经R4触发可控硅SCR2的控制极使其导通，使J2通电(配合J1)完成启动动作，主触点SW2合上触点。(B)经D5、R5、R8、C3、D8形成延迟电压使晶体管Q1(此晶体管也可以是MOS场效应管)延迟导通，而进封闭SCR2，保证SCR2只在一个电源周期内导通一次，以后只要保持电源不掉，SCR2将永远不会再导通。(C)在主触点SW2闭合时，(图2)由于D6、R9的作用使IC2导通，使经过R12、IC2的脉动直流也进入Q1基极，并立即使Q1导通去封锁SCR2。这样使得装置一旦启动成功后，只要电源不断和SW1不按下，SCR2也永远不会再导通。这第三路可以是简单的二极管电阻电路，如图1中的D6、R9；也可以将IC2接到SCR2的阴极和控制栅极之间，如电路图4中的接法；也可以通过与主触点SW2联动的辅助触点SW4来完成这个功能，如电路图3所示)。在上述启动工作完成后，装置一旦有要求断开主触点SW2的信号产生，则通过控制线圈J1的通断来完成，此时由于Q1一直保持导通而不会使SCR2再行导通，装置将稳定保持此状态不变。这时只有通过人工按动SW1(或者通断一次电源)来使装置再次启动，重复过程1、2、3。按SW1的启动过程由R6、C2来保证SCR2只在一个电源周期内导通一次。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器，包括感应线圈、漏电检测电路、主触点SW2保持吸合电路、试验电路、复位电路，其特征在于还包括主触点SW2吸合触发电路，主触点SW2吸合触发电路由接主触点SW2前端相线的可控硅SCR2串接吸合触发线圈J2及可控硅SCR2的控制极接有的触发电路和锁闭电路构成。2.按权利要求1所述的能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器，其特征在于可控硅SCR2的控制极接有的触发电路由二极管D4串接电阻R7和R4构成，二极管D4的正极接可控硅SCR2的阳极端，电阻R4另端接可控硅SCR2的控制极。3.按权利要求1所述的能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器，其特征在于可控硅SCR2的控制极接有的锁闭电路由晶体管Q1和延迟锁闭控制电路及导通保持锁闭电路构成，晶体管Q1的基极接延迟锁闭控制电路及导通保持锁闭电路，晶体管Q1的集电极接可控硅SCR2的控制极，晶体管Q1的发射极接可控硅SCR2的阴极端。4.按权利要求3所述的能区分故障及电源中断的自复位漏电保护器，其特征在于延迟锁闭控制电路由稳压管D5、电容C3、两个电阻R5、R8、二极管D8构成，其中二极管D8的负端接晶体管Q1的基极，二极管D8的正端接电阻R5，电阻R5的另一端并接电容C3和电阻R8，电阻R8另一端接稳压管D5的正端，稳压管D5的负端接电容C3的另一端，稳压管D5的正端并接触发电路的电阻R7和R4端。5.按权利要求3所述的能区分故障及电...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩剑华，余昉，
申请(专利权)人：上海海德电子制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：