一种无基准自启动的线性稳压器制造技术

本发明专利技术公开了一种无基准自启动的线性稳压器，涉及线性稳压器领域，该线性稳压器的工作电源上电时产生偏置电流，偏置电流将自启动电路的输出端VA的电压拉低，继而将P0的栅极的电压拉低而导通，当输出电压升高带动采样输出端的电压升高时，反馈调节电路在采样输出端的作用下驱动P9达到高于偏置电流的稳定电流，使得自启动电路的输出端被拉高使得自启动电路关闭，该线性稳压器可以在没有基准电压的基础上实现自启动并在稳定后关闭，由于无需额外的基准电压产生电路，因此可以简化电路结构，减小芯片面积，提高集成度。提高集成度。提高集成度。

【技术实现步骤摘要】
一种无基准自启动的线性稳压器


[0001]本专利技术涉及线性稳压器领域，尤其是一种无基准自启动的线性稳压器。

技术介绍

[0002]在实际的集成电路应用中，很多时候需要把高压电源转换到一个稳定的低压电源，一种比较常见的实现方式是利用LDO(线性稳压器)，且一般LDO会使用PMOS作为功率管来让电路的设计简单，如图1是一种典型的LDO的电路结构，其中采用PMOS管MP0作为功率管。在图1这种结构中，需要一个基准电压产生电路来产生基准电压VREF，这增加了设计难度和芯片的面积，导致成本上升。

技术实现思路

[0003]本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了一种无基准自启动的线性稳压器，本专利技术的技术方案如下：
[0004]一种无基准自启动的线性稳压器，该线性稳压器包括电压产生电路和自启动电路，在电压产生电路中：PMOS管P0的源极连接工作电源、漏极通过采样电路接地，PMOS管P0的漏极还连接至线性稳压器的电压输出端，采样电路的采样输出端连接反馈调节电路；
[0005]偏置电流IB通过第一电流镜连接自启动电路中由t1个PMOS管构成的第一上拉分支并连接至工作电源，第一上拉分支与第一电流镜的公共端作为自启动电路的输出端VA连接二极管D0的阴极，二极管D0的阳极连接至PMOS管P0的栅极；自启动电路中的PMOS管P9的源极连接工作电源、漏极连接自启动电路的输出端VA，PMOS管P9的栅极连接反馈调节电路；
[0006]工作电源上电时产生偏置电流IB，偏置电流IB将自启动电路的输出端VA的电压拉低至VDD
‑
t1
×
VGS，继而将PMOS管P0的栅极的电压拉至VDD
‑
t1
×
VGS+V
D0
而导通，VGS为每个PMOS管的栅源电压，V
D0
是二极管D0的正向导通压降，VDD是工作电源的电压；
[0007]线性稳压器的电压输出端的输出电压升高带动采样输出端的电压升高，直至反馈调节电路在采样输出端的作用下驱动PMOS管P9达到高于偏置电流IB的稳定电流，自启动电路的输出端VA被拉高使得自启动电路关闭。
[0008]其进一步的技术方案为，在反馈调节电路中，尺寸相同的PMOS管P1和PMOS管P2连接形成电流镜结构，PMOS管P1的源极与PMOS管P2的源极相连并连接工作电源，PMOS管P1的栅极与PMOS管P2的栅极相连并连接PMOS管P1的漏极，PMOS管P1的漏极连接至三极管Q0的集电极，三极管Q0的发射极接地，三极管Q0的基极与三极管Q1的基极相连，三极管Q1的发射极通过电阻R3接地，三极管Q1的集电极连接至PMOS管P2的漏极；三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的集电极与基极相连并连接三极管Q0的基极以及采样输出端；PMOS管P2的漏极连接二极管D0的阳极以及PMOS管P0的栅极，PMOS管P1的漏极连接PMOS管P9的栅极；
[0009]三极管Q0与三极管Q2的尺寸相同，三极管Q0与三极管Q1的尺寸比例为1：N，当电压输出端的电压升高带动采样输出端的电压升高至超过三极管的开启电压时，三极管Q0、Q1和Q2均导通，PMOS管P9镜像PMOS管P1的电流且稳定电流为I＝(Vt*lnN)/R3，其中，Vt为热电
压。
[0010]其进一步的技术方案为，采样电路包括电阻R1和电阻R0，PMOS管P0的漏极依次通过电阻R1和电阻R0接地，电阻R1和电阻R0的公共端作为采样输出端，则线性稳压器的电压输出端的输出电压为V
out
＝Vt*lnN*(R1/R3)+Vbe2(1+R1/R0)，Vbe2为电阻R0两端的电压，线性稳压器的输出电压与电阻R0、R1和R3相关，输出电压的温度系数与电阻R0、R1和R3相关。
[0011]其进一步的技术方案为，在自启动电路中，第一上拉分支包括三个PMOS管P6、P7和P8，PMOS管P6的源极连接工作电源，PMOS管P6的漏极与栅极相连并连接PMOS管P7的源极，PMOS管P7的漏极与栅极相连并连接PMOS管P8的源极，PMOS管P8的漏极与栅极相连并连接至自启动电路的输出端；
[0012]第一电流镜包括尺寸相同的NMOS管N1和NMOS管N3，NMOS管N1的栅极与NMOS管N3的栅极相连并连接NMOS管N1的漏极以及偏置电流IB，NMOS管N1的源极接地，NMOS管N3的源极接地，NMOS管N3的漏极连接至第一上拉分支。
[0013]其进一步的技术方案为，线性稳压器还包括限流保护电路，NMOS管N0的漏极连接工作电源、源极连接PMOS管P0的栅极，限流保护电路的输出端VB连接NMOS管N0的栅极，限流保护电路还感应PMOS管P0上的输出电流；
[0014]偏置电流IB通过第二电流镜连接限流保护电路提供电流阈值，限流保护电路在输出电流大于电流阈值时通过输出端驱动NMOS管N0导通、将PMOS管P0的栅极电压拉高，使得输出电流降低直至等于电流阈值。
[0015]其进一步的技术方案为，偏置电流IB通过第二电流镜连接限流保护电路中由t2个PMOS管构成的第二上拉分支并连接至工作电源，PMOS管P3的源极连接工作电源，PMOS管P3的栅极连接PMOS管P0的栅极并镜像检测输出电流，第一上拉分支与第二电流镜的公共端连接PMOS管P3的漏极并作为限流保护电路的输出端；
[0016]当PMOS管P0的输出电流大于阈值电流时，PMOS管P3将限流保护电路的输出端的电压从VDD
‑
t2
×
VGS拉升至VDD驱动NMOS管N0导通。
[0017]其进一步的技术方案为，输出电流的电流阈值Iload
max
＝m
×
n
×
IB，其中，IB是偏置电流的电流值，m是PMOS管P0与PMOS管P3的尺寸之比，n是第二电流镜中输出电流与输入电流之比。
[0018]其进一步的技术方案为，在限流保护电路中，第二上拉分支包括两个PMOS管P4和P5，PMOS管P4的源极连接工作电源，PMOS管P4的漏极与栅极相连并连接PMOS管P5的源极，PMOS管P5的漏极与栅极相连并连接至限流保护电路的输出端；
[0019]第二电流镜包括尺寸比例为1：n的NMOS管N1和NMOS管N2，NMOS管N1的栅极与NMOS管N2的栅极相连并连接NMOS管N1的漏极以及偏置电流IB，NMOS管N1的源极接地，NMOS管N2的源极接地，NMOS管N2的漏极连接至第二上拉分支。
[0020]其进一步的技术方案为，电压产生电路、自启动电路和限流保护电路中分别连接有高压管，各个高压管的栅极分别受控于工作电源上电时产生的低压偏置Vbias。
[0021]本专利技术的有益技术效果是：
[0022]本申请公开了一种无基准自启动的线性稳压器，该线性稳压器内置的自启动电路可以在没有基准电压的基础上启动，并在稳定后关闭，由于无需额外的基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无基准自启动的线性稳压器，其特征在于，所述线性稳压器包括电压产生电路和自启动电路，在所述电压产生电路中：PMOS管P0的源极连接工作电源、漏极通过采样电路接地，PMOS管P0的漏极还连接至所述线性稳压器的电压输出端，所述采样电路的采样输出端连接反馈调节电路；偏置电流IB通过第一电流镜连接所述自启动电路中由t1个PMOS管构成的第一上拉分支并连接至工作电源，所述第一上拉分支与所述第一电流镜的公共端作为所述自启动电路的输出端VA连接二极管D0的阴极，所述二极管D0的阳极连接至PMOS管P0的栅极；所述自启动电路中的PMOS管P9的源极连接所述工作电源、漏极连接所述自启动电路的输出端VA，PMOS管P9的栅极连接所述反馈调节电路；所述工作电源上电时产生所述偏置电流IB，所述偏置电流IB将所述自启动电路的输出端VA的电压拉低至VDD
‑
t1
×
VGS，继而将PMOS管P0的栅极的电压拉至VDD
‑
t1
×
VGS+V
D0
而导通，VGS为每个PMOS管的栅源电压，V
D0
是二极管D0的正向导通压降，VDD是所述工作电源的电压；所述线性稳压器的电压输出端的输出电压升高带动所述采样输出端的电压升高，直至所述反馈调节电路在所述采样输出端的作用下驱动PMOS管P9达到高于所述偏置电流IB的稳定电流，所述自启动电路的输出端VA被拉高使得所述自启动电路关闭。2.根据权利要求1所述的线性稳压器，其特征在于，在所述反馈调节电路中，尺寸相同的PMOS管P1和PMOS管P2连接形成电流镜结构，PMOS管P1的源极与PMOS管P2的源极相连并连接所述工作电源，PMOS管P1的栅极与PMOS管P2的栅极相连并连接PMOS管P1的漏极，PMOS管P1的漏极连接至三极管Q0的集电极，三极管Q0的发射极接地，三极管Q0的基极与三极管Q1的基极相连，三极管Q1的发射极通过电阻R3接地，三极管Q1的集电极连接至PMOS管P2的漏极；三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的集电极与基极相连并连接三极管Q0的基极以及所述采样输出端；PMOS管P2的漏极连接所述二极管D0的阳极以及PMOS管P0的栅极，PMOS管P1的漏极连接PMOS管P9的栅极；三极管Q0与三极管Q2的尺寸相同，三极管Q0与三极管Q1的尺寸比例为1：N，当电压输出端的电压升高带动所述采样输出端的电压升高至超过三极管的开启电压时，三极管Q0、Q1和Q2均导通，PMOS管P9镜像PMOS管P1的电流且稳定电流为I＝(Vt*lnN)/R3，其中，Vt为热电压。3.根据权利要求2所述的线性稳压器，其特征在于，所述采样电路包括电阻R1和电阻R0，PMOS管P0的漏极依次通过电阻R1和电阻R0接地，所述电阻R1和电阻R0的公共端作为所述采样输出端，则所述线性稳压器的电压输出端的输出电压为V
out
＝Vt*lnN*(R1/R3)+Vbe2(1+R1/R0)，Vbe2为电阻R0两端的电压，所述线性稳压器的输出电压与电阻R0、R1和R3相关，输出电压的温度系数与电阻R0、R1和R3相关。...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡胜凯，董渊，李响，张军，庄健，
申请(专利权)人：无锡英迪芯微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：