立体式光伏旁路二极管制造技术

立体式光伏旁路二极管。涉及半导体芯片封装技术领域，尤其涉及光伏旁路二极管结构的改进。包括框架一、框架二、芯片、跳线和封装体，所述框架一朝向所述框架二的一端设有轴向凸起的框架一封装区，所述芯片固定设置在所述框架一封装区上；所述框架一封装区的两侧边设有框架一封装区翻边，与所述框架一封装区翻边形成间隙在所述框架一上还设有框架一翻边；所述框架二朝向所述框架一的一端设有轴向内凹的框架二封装区，所述框架二封装区的两侧边设有框架二封装区翻边，与所述框架二封装区翻边形成间隙在所述框架二上还设有框架二翻边。本实用新型专利技术能有效避免芯片在工作中承受内应力，最终提高了产品品质。提高了产品品质。提高了产品品质。

【技术实现步骤摘要】
立体式光伏旁路二极管


[0001]本技术涉及半导体芯片封装
，尤其涉及光伏旁路二极管结构的改进。

技术介绍

[0002]太阳能电池组件在长期使用过程中难免落上遮挡物，这些遮挡物在太阳能电池组件上形成局部阴影，局部阴影下串联支路中的太阳能电池组件将被当作负载，并消耗其他太阳能电池组件所产生的能量，从而产生热量导致局部温升，形成“热斑效应”，它对电池组件具有严重的破坏作用。通常都是在太阳能电池组件的正负极间并联一个旁路二极管模块，该模块中至少存在一个旁路二极管，能有效地避免“热斑效应”对电池组件造成的损害。但随着光伏行业中大规格组件再叠加半片、双面双玻技术的发展，整体组件功率不断增大，对二极管的通电流能力也相应地提高。
[0003]目前行业内解决方案是通过多芯片并联或者大芯片实现强的电流能力，但芯片成本高，如何在保持芯片尺寸不变的情况下，提升二极管通电路能力，成为一个亟需解决的问题。现有技术中的光伏旁路二极管结构如图5、6所示，框架一1和框架二2均为平面构造，两者通过“凹凸”结构在保留一定绝缘间隙的情况下同轴布设。芯片3固定焊接在框架一1上，然后通过跳线4将芯片3与框架二2相连。该种结构由于框架是平面结构，在大电流工况下，整体过流能力受到限制，主要因素，一是过流能力受材料宽度限制，二是在限定宽度下散热性能受到抑制。整体散热性能差，易导致旁路二极管过热损坏的问题。此外，在热涨缩效应显著的情况下，
技术介绍
由于跳线4是采用平面“跨接”的连接结构形式，易对芯片3形成横向剪切力。

技术实现思路

[0004]本技术针对现有技术存在的缺陷，提供了一种在器件同样宽度下过流能力强，整体散热性能好，且能有效避免芯片在工作中承受内应力的立体式光伏旁路二极管。
[0005]本技术的技术方案是：包括框架一、框架二、芯片、跳线和封装体，所述框架一朝向所述框架二的一端设有轴向凸起的框架一封装区，所述芯片固定设置在所述框架一封装区上；所述框架一封装区的两侧边设有框架一封装区翻边，与所述框架一封装区翻边形成间隙在所述框架一上还设有框架一翻边；
[0006]所述框架二朝向所述框架一的一端设有轴向内凹的框架二封装区，所述框架二封装区的两侧边设有框架二封装区翻边，与所述框架二封装区翻边形成间隙在所述框架二上还设有框架二翻边；
[0007]所述跳线连接所述芯片与所述框架二封装区翻边。
[0008]所述框架二封装区翻边还设有指状凸条，所述指状凸条朝向所述框架二中心延伸，所述跳线连接在所述指状凸条上。
[0009]在所述框架一的外露表面开设有识别孔一，在所述框架二的外露表面开设有识别
孔二。
[0010]所述框架一封装区的后部设有汇流带槽孔一。
[0011]所述框架二封装区的后部与所述框架二的轴向内凹区域的底部构成汇流带孔槽二。
[0012]本技术在保证产品原有性能的基础上，将二极管整体框架的侧边经过多次成型折边，构建出三维立体的封装架构，铜材结构紧密，如若再配合导热性较高的塑封材料，可以有效提升该二极管整体的散热能力，从而增强通电能力；此外，跳线的连接由原来的平面连接设计改成了搭接在翻边上的立体连接设计，结构强度改善，能有效避免芯片在工作中承受内应力，最终提高了产品品质。
附图说明
[0013]图1是本技术的立体示意图，
[0014]图2是本技术背面构造的立体爆炸图，
[0015]图3是本技术中框架的冲裁结构示意图，
[0016]图4是本技术的结构示意图，
[0017]图5是本技术
技术介绍
的立体示意图，
[0018]图6是本技术
技术介绍
的结构示意图。
[0019]图中，1
‑
框架一，10
‑
框架一封装区，11
‑
框架一封装区翻边，12
‑
框架一翻边，13
‑
识别孔一，14
‑
汇流带槽孔一，
[0020]2‑
框架二，20
‑
框架二封装区，21
‑
框架二封装区翻边，210
‑
指状凸条，22
‑
框架二翻边，23
‑
识别孔二，24
‑
汇流带槽孔二，
[0021]3‑
芯片，4
‑
跳线，5
‑
封装体，
[0022]图3中，双点划线表示折弯痕，虚线矩形框表示封装区域。
具体实施方式
[0023]以下结合附图1
‑
6进一步表述本技术，包括框架一1、框架二2、芯片3、跳线4和封装体5，框架一1朝向框架二2的一端设有轴向凸起的框架一封装区10，芯片3固定设置在框架一封装区10上；框架一封装区10的两侧边设有框架一封装区翻边11，与框架一封装区翻边11形成间隙在框架一1上还设有框架一翻边12；
[0024]框架二2朝向框架一1的一端设有轴向内凹的框架二封装区20，框架二封装区20的两侧边设有框架二封装区翻边21，与框架二封装区20翻边形成间隙在框架二2上还设有框架二翻边22；
[0025]在封装区翻边与框架翻边之间设置间隙分隔，使得封装区形成独立的结构，避免与未封装区形成连接。冲切时按双点划线注示的部位进行折边，使得框架一封装区翻边、框架一翻边、框架二封装区翻边和框架二翻边经过二次翻折、朝向框架内部形成立体结构。
[0026]跳线4连接芯片3与框架二封装区翻边21。跳线4立体“跨接”芯片3和框架二2，使得跳线4在受到外部应力时具有较强的防损坏能力。
[0027]框架二封装区翻边21还设有指状凸条210，指状凸条210朝向框架二2中心延伸，跳线4连接在指状凸条210上。指状凸条210的设置是为了便于框架二封装区翻边21与跳线4连
接，且不会占用过多的铜材料。
[0028]在框架一1的外露表面开设有识别孔一13，在框架二2的外露表面开设有识别孔二23。此处为电路结构的防反设计。
[0029]框架一封装区10的后部设有汇流带槽孔一14。
[0030]框架二封装区20的后部与框架二2的轴向内凹区域的底部构成汇流带孔槽二24。
[0031]本技术中框架一1的凸起还采用了斜边设计，相对于原有凸起的平直设计，这样可以缩减框架一1和框架二2之间的绝缘间隙，而且不会发生干涉，在一定程度上也缩减了二极管产品的长度规格，从而也缩减的汇流带槽孔一14和汇流带孔槽二24之间的孔距，由于汇流带的材质是铜镀锡，使得汇流带的穿设长度变短，此外立体的结构使得汇流带与封装区的热源接触面积增大，所以散热效果也有所提升。
[0032]上述结构加工成型后，封装体5对封装区域进行封装。
[0033]本技术并不局限于上述实施例，在本技术公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的
技术实现思路
，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.立体式光伏旁路二极管，包括框架一、框架二、芯片、跳线和封装体，其特征在于，所述框架一朝向所述框架二的一端设有轴向凸起的框架一封装区，所述芯片固定设置在所述框架一封装区上；所述框架一封装区的两侧边设有框架一封装区翻边，与所述框架一封装区翻边形成间隙在所述框架一上还设有框架一翻边；所述框架二朝向所述框架一的一端设有轴向内凹的框架二封装区，所述框架二封装区的两侧边设有框架二封装区翻边，与所述框架二封装区翻边形成间隙在所述框架二上还设有框架二翻边；所述跳线连接所述芯片与所述框架二封装区翻边。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈斌，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：