电子部件、电路板装置以及制造电子部件的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电子部件、电路板装置以及制造电子部件的方法。电子部件包括元件本体和在其上的至少一个外部电极。元件本体包括电介质和内部电极。每一个外部电极包括：连接到内部电极的基底层。基底层形成在元件本体的多个面上并包含金属和与金属混合的第一共材。每一个外部电极还包括形成在基底层的至少一个面上的镀层。每一个外部电极还包括氧化层，形成在基底层的除形成有镀层的面之外的一个或多个面上。氧化层具有由基底层的金属的氧化膜和第二共材形成的表面层。共材形成的表面层。共材形成的表面层。

【技术实现步骤摘要】
电子部件、电路板装置以及制造电子部件的方法


[0001]本专利技术涉及一种电子部件、电路板装置以及制造该电子部件的方 法。

技术介绍

[0002]在存在缩小电子设备尺寸的需求的情况下，为了减小电子部件的 安装面积，通常在其内设置内部电极的元件本体上形成外部电极。外 部电极通过焊接连接到电路板，使得电子部件安装到电路板上。
[0003]外部电极不仅可以形成在元件本体的安装面上，还可以形成在元 件本体的侧面和上表面上。在这种构造中，湿焊料可能会沿外部电极 的侧面向上移动并导致安装面积增大。
[0004]为了防止湿焊料沿着端子电极的侧面向上移动，JP
‑
2014
‑
53599A 公开了一种构造，其中，形成在电子部件的侧面上的第一和第二端子 电极的侧面部分被氧化膜覆盖。

技术实现思路

[0005]然而，如果端子电极的侧面部分被氧化膜覆盖，并且向氧化膜施 加机械应力，那么氧化膜可能沿端子电极和氧化膜之间的界面剥离。 氧化膜可能突然从端子电极的大面积剥离。
[0006]本专利技术的一个目的是提供一种电子部件，其中形成在外部电极上 的氧化层难以从外部电极剥离。本专利技术的另一目的是提供一种制造这 种电子部件的方法。本专利技术的另一目的是提供一种电路板装置，其中 在安装在电路板上的电子部件的外部电极上形成的氧化层难以从外部 电极剥离。
[0007]根据本专利技术的第一方面，提供一种电子部件，其包括元件本体和 至少一个外部电极。元件本体具有电介质和内部电极。每一个外部电 极包括连接到内部电极的基底层。基底层形成在元件本体的多个面上， 并包含金属和与金属混合的第一共材。每一个外部电极还包括形成在 基底层的至少一个面上的镀层。每一个外部电极还包括氧化层，氧化 层形成在基底层的除形成有镀层的面之外的一个或多个面上。氧化层 具有由基底层的金属的氧化膜和第二共材形成的表面层。
[0008]在基底层中所包含的第一共材和在氧化层中所包含的第二共材可 以具有相同的组成。
[0009]电介质的主要成分可以是氧化物陶瓷。
[0010]在基底层中所包含的第一共材和在氧化层中所包含的第二共材可 以具有与电介质的主要成分相同的组成。
[0011]从基底层到氧化层，第一共材可以延续到第二共材，并且，第一 共材和第二共材可以具有连续的晶体结构或非晶结构。
[0012]基底层的金属可以以晶体或非晶颗粒的形式存在，并且，第一共 材也可以以晶体或非晶颗粒的形式存在，使得基底层的金属的颗粒与 第一共材的颗粒混合存在。
[0013]电介质的主要成分可以是钛酸钡。
[0014]氧化层可以形成在基底层的侧面的至少一部分上以及与其上形成 有镀层的面相对的面上。
[0015]第二共材在氧化层的表面的比率可以在20at％至75at％的范围内。
[0016]基底层的金属可以是包含选自Cu、Fe、Zn、Al、Ni、Pt、Pd、Ag、 Au及Sn中的至少一种的金属或合金。
[0017]第一共材可以选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸锶钡、 钛酸钙钡、锆酸钙、锆酸钡、锆酸钛酸钙和钛氧化物中的至少一种。
[0018]从氧化层的表面看，氧化层可以包括氧化镍和钛酸钡。
[0019]从氧化层的表面看，氧化层还可以包含含有镍、镁和氧的化合物。
[0020]元件本体可以具有层叠体，其中至少一个第一内部电极层和至少 一个第二内部电极层隔着电介质而交替层叠。上述的至少一个外部电 极可以包括第一外部电极和第二外部电极，第一外部电极和第二外部 电极设置在层叠体的相对的侧面上，使得第一外部电极与第二外部电 极隔开。第一内部电极层可以连接到第一外部电极，并且，第二内部 电极层可以连接到第二外部电极。
[0021]镀层可以形成在基底层的面的其中之一上，所述面垂直于第一内 部电极层、第二内部电极层和电介质的层叠方向延伸。
[0022]根据本专利技术的第二方面，提供一种电路板装置，其中，上述的电 子部件安装在电路板上，并且电子部件经由附着在电子部件的镀层上 的焊料层连接到电路板。
[0023]根据本专利技术的第三方面，提供一种制造电子部件的方法。该方法 包括形成包括电介质和内部电极的元件本体。该方法还包括将通过将 共材与含有金属的电极材料混合而获得的混合材料施加到元件本体的 两个相对的侧面和元件本体的邻近侧面的边缘表面。该方法还包括烧 结混合材料，并在元件本体的相对的侧面和元件本体的所述边缘表面 上形成金属和共材混合存在的基底层。该方法还包括氧化基底层的金 属，并在基底层的多个面上形成金属的氧化膜。该方法还包括从基底 层的多个面中的至少一个面去除氧化膜，同时将氧化膜留在元件本体 的所述边缘表面的至少一部分上。该方法还包括在基底层的多个面中 已去除了氧化膜的至少一个面上形成镀层。
[0024]从基底层的多个面中的至少一个面去除氧化膜的步骤可以包括： 从基底层的多个面中的至少一个面对氧化膜进行喷砂，以抛光基底层 的面。
[0025]形成元件本体的步骤可以包括：形成包含电介质陶瓷作为主要成 分的片材；和将含有基底层的金属的导电膏施加在片材上。元件本体 可以在烧结混合材料的步骤中进行烧结。
[0026]根据本专利技术的一个方面，在每个外部电极上形成的氧化层很难从 外部电极剥离。
附图说明
[0027]图1是示出根据本专利技术第一实施例的多层陶瓷电容器的构造的立 体图。
[0028]图2是通过纵向切割图1的多层陶瓷电容器而获得的横截面图。
[0029]图3A是图2中外部电极的EA部分的放大横截面图。
[0030]图3B是图2中外部电极的EB部分的放大横截面图。
[0031]图4是示出图2所示的外部电极的氧化层的表面的示例性组成的 示意图。
[0032]图5是示出根据本专利技术第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法 的流程图。
[0033]图6A是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法 的横截面图。
[0034]图6B是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法 的另一横截面图。
[0035]图6C是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法 的另一横截面图。
[0036]图6D是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法 的又一横截面图。
[0037]图6E是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法的 另一横截面图。
[0038]图6F是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法的 另一横截面图。
[0039]图6G是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法 的另一横截面图。
[0040]图6H是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法 的另一横截面图。
[0041]图6I是用于描述根据第二实施例的制造多层陶瓷电容器的方法的 另一横截面图。
[0042]图6J是用于描述根据第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子部件，包括：包括电介质和内部电极的元件本体；以及至少一个外部电极，所述至少一个外部电极中的每一个包括：基底层，所述基底层连接到所述内部电极，形成在所述元件本体的多个面上，并包含金属和与所述金属混合的第一共材，镀层，所述镀层形成在所述基底层的至少一个面上，以及氧化层，形成在所述基底层的除所述基底层的所述至少一个面之外的一个或多个面上，并且具有由所述基底层的所述金属的氧化膜和第二共材形成的表面层。2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，在所述基底层中所包含的所述第一共材和在所述氧化层中所包含的所述第二共材具有相同的组成。3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，所述电介质的主要成分是氧化物陶瓷。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的电子部件，其中，在所述基底层中所包含的所述第一共材和在所述氧化层中所包含的所述第二共材具有与所述电介质的主要成分相同的组成。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的电子部件，其中，从所述基底层到所述氧化层，所述第一共材延续到所述第二共材，并且，所述第一共材和所述第二共材具有连续的晶体结构或非晶结构。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的电子部件，其中，所述基底层的金属以晶体或非晶颗粒的形式存在，并且，所述第一共材也以晶体或非晶颗粒的形式存在，使得所述基底层的金属的颗粒与所述第一共材的颗粒混合存在。7.根据权利要求1
‑
6中任一项所述的电子部件，其中，所述电介质的主要成分为钛酸钡。8.根据权利要求1
‑
7中任一项所述的电子部件，其中，所述氧化层形成在所述基底层的侧面的至少一部分上以及与其上形成有所述镀层的所述至少一个面相对的面上。9.根据权利要求1
‑
8中任一项所述的电子部件，其中，所述第二共材在所述氧化层的表面的比率在20at％至75at％的范围内。10.根据权利要求1
‑
9中任一项所述的电子部件，其中，所述基底层的金属是包含选自Cu、Fe、Zn、Al、Ni、Pt、Pd、Ag、Au及Sn中的至少一种的金属或合金。11.根据权利要求1
‑
10中任一项所述的电子部件，其中，所述第一共材选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸锶钡、钛酸钙钡、锆酸钙、锆酸钡、锆酸钛酸钙和钛氧化物中的至少一种。12.根据权利要求1
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田晏珠，天野美娜，谷田川清志郎，福田贵久，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：