半衰期延长的可活化治疗性多特异性多肽制造技术

本发明专利技术涉及一组异二聚体多肽及其在疗法中的用途，例如，用于治疗癌症。用于治疗癌症。用于治疗癌症。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半衰期延长的可活化治疗性多特异性多肽
专利

[0001]本专利技术涉及一组异二聚体多肽及其用途，例如用于通过多肽链交换产生多特异性抗原结合剂。

技术介绍

[0002]双特异性抗体例如通过CD3靶向表达在癌症和T细胞表面上的抗原，从而介导对于癌细胞的ADCC，通过该双特异性抗体进行的癌症治疗由于脱靶T细胞活化而导致给药方面的考验，这是不希望的。
[0003]EP3180361公开了前体分子，其中特异性地结合至CD3的结合位点在靶细胞上被激活。这种前体分子包含Fab片段，其中所述Fab片段的C末端与CH2结构域和可变抗体结构域(例如结合至CD3)融合。在靶细胞结合包含不同可变结构域的两个前体分子后，通过所述可变结构域的缔合形成功能性抗原结合位点(例如结合至CD3)。
[0004]Labrijn,A.F.等人公开了通过受控Fab臂交换有效生成稳定的双特异性IgG1(Proc.Natl.Acad.Sci.USA 110(2013)5145
‑
5150)。简而言之，使具有IgG样结构域布置(在CH3结构域内具有点突变)的两个单特异性前体分子接触，以进行多肽链交换，从而形成双特异性产物分子，该产物分子也是IgG样结构域布置。
[0005]未公布的现有技术PCT/EP2018/078675和PCT/EP2018/079523公开了通过多肽链交换从两种不同的前体分子产生多特异性抗原结合剂的方法。两种前体分子都是不对称结构域布置的异二聚体多肽。两种前体分子都包含具有以下特征的CH3结构域：根据“杵入臼”技术(WO 96/027011,Ridgway,J.B.,et al.,Protein Eng.9(1996)617
‑
621和Merchant,A.M.,et al.,Nat.Biotechnol.16(1998)677
‑
681)进行修饰的并且包含以不对称模式布置的进一步去稳定化突变。在每一种前体分子中，只有一个CH3结构域包含这种去稳定化突变。在多肽链交换后，形成两个产物分子，其中每一种产物分子包含来自每一种前体分子的多肽。前体分子和产物分子具有不同的结构域布置。PCT/EP2018/078675和PCT/EP2018/079523公开了待取代的前体分子的CH3/CH3界面中的氨基酸位置。
[0006]然而，在疗法方面仍然需要通过多肽链交换产生多特异性抗原结合剂的进一步方法。

技术实现思路

[0007]本专利技术涉及一组异二聚体前体多肽，其包含：
[0008]a)第一异二聚体前体多肽，其包含
[0009]‑
第一重链多肽，该第一重链多肽从N端至C端方向上包含：选自VH结构域和VL结构域的抗体可变结构域；以及CH3结构域，其中第一重链多肽包含第一抗原结合部分的至少一部分；以及
[0010]‑
第二重链多肽，该第二重链多肽从N端至C端方向上包含CH2结构域和CH3结构域，
[0011]其中第一重链多肽和第二重链多肽经由CH3结构域彼此缔合并形成异二聚体，其
中CH3结构域中的一个包含杵突变并且另一个CH3结构域包含臼突变；
[0012]b)第二异二聚体前体多肽，其包含
[0013]‑
第三重链多肽，该第三重链多肽从N端至C端方向上包含：选自VH结构域和VL结构域的抗体可变结构域；以及CH3结构域，其中抗体可变结构域能够与包含在第一异二聚体前体多肽的第一重链多肽中的抗体可变结构域形成特异性地结合至靶抗原的抗原结合位点，其中该第三重链多肽包含第二抗原结合部分的至少一部分；以及
[0014]‑
第四重链多肽，该第四重链多肽从N端至C端方向上包含CH2结构域和CH3结构域；
[0015]其中第三重链多肽和第四重链多肽经由CH3结构域彼此缔合并形成异二聚体，其中CH3结构域中的一个包含杵突变并且另一个CH3结构域包含臼突变；
[0016]其中
[0017]A)或者i)第一重链多肽包含具有杵突变的CH3结构域，并且第三重链多肽包含具有臼突变的CH3结构域，或者ii)第一重链多肽包含具有臼突变的CH3结构域，并且第三重链多肽包含具有杵突变的CH3结构域；并且其中
[0018]B)或者
[0019]i)包含杵突变的第一异二聚体前体多肽的CH3结构域和包含臼突变的第二异二聚体前体多肽的CH3结构域，或者
[0020]ii)包含臼突变的第一异二聚体前体多肽的CH3结构域和包含杵突变的第二异二聚体前体多肽的CH3结构域包含将CH3/CH3界面去稳定化的氨基酸取代，其中氨基酸取代被布置为使得被取代的氨基酸与一对所述CH3结构域内的CH3/CH3界面相互作用。
[0021]本专利技术的一个实施例涉及本专利技术的一组异二聚体多肽，其中使CH3/CH3界面去稳定化的氨基酸取代选自以下氨基酸取代中的一种或多种，其中编号是根据Kabat编号系统进行的：
[0022]‑
具有臼突变的CH3结构域包含选自以下组的至少一种氨基酸取代：
[0023]ο用疏水性氨基酸替换S354；
[0024]ο用带正电荷的氨基酸替换D356；
[0025]ο用带正电荷的氨基酸或用疏水性氨基酸替换E357；
[0026]ο用带正电荷的氨基酸替换D356，并且用带正电荷的氨基酸或用疏水性氨基酸替换E357；
[0027]ο用疏水性氨基酸替换S364；
[0028]ο用疏水性氨基酸替换A368；
[0029]ο用带负电荷的氨基酸替换K392；
[0030]ο用疏水性氨基酸替换T394；
[0031]ο用疏水性氨基酸替换D399，并且用带正电荷的氨基酸替换S400；
[0032]ο用疏水性氨基酸替换D399，并且用带正电荷的氨基酸替换F405；
[0033]ο用疏水性氨基酸替换V407；以及
[0034]ο用带负电荷的氨基酸替换K409；以及
[0035]ο用带负电荷的氨基酸替换K439；
[0036]‑
具有杵突变的CH3结构域包含选自以下组的至少一种氨基酸取代：
[0037]ο用带正电荷的氨基酸替换Q347，并且用带负电荷的氨基酸替换K360；
[0038]ο用带负电荷的氨基酸替换Y349；
[0039]ο用疏水性氨基酸替换L351，并且用疏水性氨基酸替换E357；
[0040]ο用疏水性氨基酸替换S364；
[0041]ο用疏水性氨基酸替换W366，并且用带负电荷的氨基酸替换K409；
[0042]ο用疏水性氨基酸替换L368；
[0043]ο用带负电荷的氨基酸替换K370；
[0044]ο用带负电荷的氨基酸替换K370，并且用带负电荷的氨基酸替换K439；
[0045]ο用带负电荷的氨基酸替换K392；
[0046]ο用疏水性氨基酸替换T394；
[0047]ο用疏水性氨基酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一组异二聚体前体多肽，其包含：a)第一异二聚体前体多肽，其包含
‑
第一重链多肽，所述第一重链多肽从N端至C端方向上包含：选自VH结构域和VL结构域的抗体可变结构域；以及CH3结构域，其中所述第一重链多肽包含第一抗原结合部分的至少一部分；以及
‑
第二重链多肽，所述第二重链多肽从N端至C端方向上包含CH2结构域和CH3结构域，其中所述第一重链多肽和所述第二重链多肽经由所述CH3结构域彼此缔合并形成异二聚体，其中所述CH3结构域中的一个包含杵突变并且另一个CH3结构域包含臼突变；b)第二异二聚体前体多肽，其包含
‑
第三重链多肽，所述第三重链多肽从N端至C端方向上包含：选自VH结构域和VL结构域的抗体可变结构域；以及CH3结构域，其中所述抗体可变结构域能够与包含在所述第一异二聚体前体多肽的所述第一重链多肽中的抗体可变结构域形成特异性地结合至靶抗原的抗原结合位点，其中所述第三重链多肽包含第二抗原结合部分的至少一部分；以及
‑
第四重链多肽，所述第四重链多肽从N端至C端方向上包含CH2结构域和CH3结构域；其中所述第三重链多肽和所述第四重链多肽经由所述CH3结构域彼此缔合并形成异二聚体，其中所述CH3结构域中的一个包含杵突变并且另一个CH3结构域包含臼突变；其中A)或者i)所述第一重链多肽包含具有所述杵突变的CH3结构域，并且所述第三重链多肽包含具有所述臼突变的CH3结构域，或者ii)所述第一重链多肽包含具有所述臼突变的CH3结构域，并且所述第三重链多肽包含具有所述杵突变的CH3结构域；并且其中B)或者i)包含所述杵突变的所述第一异二聚体前体多肽的所述CH3结构域和包含所述臼突变的所述第二异二聚体前体多肽的所述CH3结构域，或者ii)包含所述臼突变的所述第一异二聚体前体多肽的所述CH3结构域和包含所述杵突变的所述第二异二聚体前体多肽的所述CH3结构域包含使CH3/CH3界面去稳定化的一个或多个氨基酸取代，其中所述氨基酸取代被布置为使得被取代的氨基酸在一对所述CH3结构域内的所述CH3/CH3界面中相互作用。2.根据权利要求1所述的一组异二聚体多肽，其中B)中指出的包含所述杵突变的所述CH3结构域和包含所述臼突变的所述CH3结构域包含以下氨基酸取代中的一种或多种，其中编号是根据Kabat编号系统：
‑
具有所述臼突变的所述CH3结构域包含选自以下组的至少一种氨基酸取代：o用疏水性氨基酸替换S354；o用带正电荷的氨基酸替换D356；o用带正电荷的氨基酸或用疏水性氨基酸替换E357；o用带正电荷的氨基酸替换D356，并且用带正电荷的氨基酸或用疏水性氨基酸替换E357；o用疏水性氨基酸替换S364；o用疏水性氨基酸替换A368；o用带负电荷的氨基酸替换K392；
o用疏水性氨基酸替换T394；o用疏水性氨基酸替换D399，并且用带正电荷的氨基酸替换S400；o用疏水性氨基酸替换D399，并且用带正电荷的氨基酸替换F405；o用疏水性氨基酸替换V407；以及o用带负电荷的氨基酸替换K409；以及o用带负电荷的氨基酸替换K439；
‑
具有所述杵突变的所述CH3结构域包含选自以下组的至少一种氨基酸取代：o用带正电荷的氨基酸替换Q347，并且用带负电荷的氨基酸替换K360；o用带负电荷的氨基酸替换Y349；o用疏水性氨基酸替换L351，并且用疏水性氨基酸替换E357；o用疏水性氨基酸替换S364；o用疏水性氨基酸替换W366，并且用带负电荷的氨基酸替换K409；o用疏水性氨基酸替换L368；o用带负电荷的氨基酸替换K370；o用带负电荷的氨基酸替换K370，并且用带负电荷的氨基酸替换K439；o用带负电荷的氨基酸替换K392；o用疏水性氨基酸替换T394；o用疏水性氨基酸替换V397；o用带正电荷的氨基酸替换D399，并且用带负电荷的氨基酸替换K409；o用带正电荷的氨基酸替换S400；o F405W；o Y407W；以及o用带负电荷的氨基酸替换K439。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：U，
申请(专利权)人：豪夫迈，
类型：发明
国别省市：