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一种主动驱动器件及其制作方法技术

技术编号:31227828 阅读:17 留言:0更新日期:2021-12-08 09:37
一种原始衬底上的主动驱动器件通过转移和扩散分布到任意曲面衬底的各个像素所在位置,采用半导体工艺制作像素电极,再制作显示或者传感器件,形成任意曲面衬底上的主动驱动显示器件或者传感器件。显示器件或者传感器件。显示器件或者传感器件。

【技术实现步骤摘要】
一种主动驱动器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种主动驱动器件,特别是任意曲面衬底上的主动驱动器件。

技术介绍

[0002]当前柔性衬底的有机电致发光显示(Organic Light emitting diode,即OLED)技术是在玻璃衬底的透明聚合物上制作多晶硅薄膜晶体管形成有源矩阵电路,再沉积有机发光层形成有机发光器件,完成封装工艺后,利用激光剥离技术,将聚合物和整个显示器件从玻璃衬底上剥离下来。
[0003]现有的多晶硅薄膜晶体管的工艺中的高温工艺,如等离子气相沉积、溅射等对透明聚合物性能提出了较高的要求,增加了柔性显示器件的成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出了一种可以制作在任意曲面的一种主动驱动器件。
[0005]根据本专利技术的一个方面,主动驱动器件可以是硅基材料的场效应管、硅基材料的晶体管、氮化镓基材料的场效应管、高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,即HEMT)等。
[0006]根据本专利技术的一个方面,主动驱动器件最初制作在原始衬底上,再转移到所在衬底上。
[0007]根据本专利技术的一个方面,主动驱动器件所转移的衬底上包括显示器件,显示器件可以是有机电致发光器件,也可以是液晶显示器件。
[0008]根据本专利技术的一个方面,主动驱动器件所转移的衬底上包括传感器件,传感器件可以是X光传感器件、红外传感器件、指纹传感器件、压力传感器件。
[0009]根据本专利技术的一个方面,显示器件和传感器件可以通过导线,也可以通过主动驱动器件连接在一起,传感器件的信号可以传到显示器件。
[0010]根据本专利技术的一个方面,衬底上存在的导线可以是金属材料构成,也可以是透明金属化合物材料或者半导体化合物组成,如氧化铟锡、氮化镓等。
[0011]根据本专利技术的一个方面,衬底上存在的导线采用光刻方法形成,也可以采用打印方法。
[0012]根据本专利技术的一个方面,衬底可以是刚性材料的,如玻璃、印刷电路板,衬底也可以是柔性材料的,如聚酰亚胺(polyimide)。
[0013]本专利技术的积极效果在于:
[0014]当前,有机电致发光平板显示器件采用的低温多晶硅晶体管技术难以实现大面积均匀性,而在柔性衬底上制作晶体管对整个器件工艺提出了很高的要求。而且,在柔性传感器领域,平板显示动辄几百亿的投资对柔性传感器件并不适用,本专利技术可以采用芯片厂的工艺为柔性传感器件制作主动驱动器件。采用氮化镓基主动驱动器件,还可以提高耐击穿电压。
附图说明
[0015]图1-图6表示任意曲面衬底上的主动驱动器件驱动传感器件的制作流程。
[0016]图1表示原始衬底上制作主动驱动器件的结构示意图。
[0017]图2表示主动驱动器件转移到可以变形的柔性衬底20上,减薄原始衬底10切割的主动驱动器件的结构示意图。
[0018]图3表示扩展上述可以变形的柔性衬底20,将主动驱动器件单元分散开的结构示意图。
[0019]图4表示将分散后的主动驱动器件转移到任意曲面衬底30的结构示意图。
[0020]图5表示制作导电像素电极的结构示意图。
[0021]图6表示制作传感器件的结构示意图。
[0022]图7表示制作显示器件的结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图描述本专利技术的具体实施方式。
[0024]实施例一
[0025]图1表示原始衬底上制作主动驱动器件的结构示意图,包括:原始衬底10,、主动驱器件的栅电极11、主动驱动器件的漏电极12、主动驱动器件的源电极13。
[0026]图2表示主动驱动器件转移到可以变形的柔性衬底20上,剥离或者减薄衬底,再切割成主动驱动器件单元的结构示意图。其中,对于硅基衬底,采用机械和化学腐蚀的方法;对于蓝宝石衬底,采用激光剥离的方法。
[0027]图3表示扩展上述可以变形的柔性衬底,将主动驱动器件单元分散开的结构示意图。根据整个传感器或者显示器尺寸,按比例扩展上述可以变形的柔性衬底。
[0028]图4后的主动驱动表示将分散器件转移到任意曲面衬底30的结构示意图。
[0029]图5表示制作导电像素电极的结构示意图。沉积导电像素电极,光刻形成图形。
[0030]图6表示制作传感器件41的结构示意图。
[0031]实施例二
[0032]采用实施例一的图1-图5标识的相同制作步骤,其中主动驱动器件为氮化镓基场效应管或者高电子迁移率晶体管,图6表示制作雪崩式非晶硒传感器件41,最后完成低剂量(low dose)传感器件。
[0033]实施例三
[0034]采用实施例一的图1-图5标识的相同制作步骤,图7表示制作显示器件42。
[0035]以上针对本专利技术的优选实施方式进行了描述,本领域技术人员应该理解,在不脱离本专利技术的精神和权利要求书的范围基础上可以进行各种变化和修改。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种任意曲面衬底上的主动驱动器件,包括衬底和位于衬底上的主动驱动器件,其特征在于:制作在原始衬底上,再转移到所在衬底上。2.根据权利要求1所述的任意曲面衬底上的主动驱动器件,其特征在于:所述的主动驱动器件单元在所在衬底分散到一定距离。3.根据权利要求1、2任一项所述的任意曲面衬底上的主动驱动器件,其特征在于:所述每个主动驱动器件包括一个或者一个以上的开关器件。4.根据权利要求1-3任一项所述的任意曲面衬底上的主动驱动器件,其特征在于:所述每个主动驱动器件的构成材料包括硅、氧化物、氮化镓。5.根据权利要求1-3任一项所述的任意曲面衬底上的主动驱动器件,其特征在于:所述每个主动驱动器件包括常开型的开关器件。6.根据权利要求1-3任一项所述的任意曲面衬底上的主动驱动器件,其特征在于:所述每个主动驱动器件包括常开型和常关型的开关器件。...

【专利技术属性】
技术研发人员:张葳葳
申请(专利权)人:张葳葳
类型:发明
国别省市:

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