电子陶瓷还原气氛烧成方法技术

电子陶瓷还原气氛烧成方法，采用Ｎ＃－［２］气和ＮＨ＃－［３］分解气作为还原气氛，ＮＨ＃－［３］经分解装置分解为Ｈ＃－［２］、Ｎ＃－［２］混合气，其氧含量低于１０ｐｐｍ，Ｎ＃－［２］气纯度高于９９．９９５％，Ｈ＃－［２］、Ｎ＃－［２］混合气及氮气经气体输出流量计通入气体混合室，混合室内装有纯水，并设有加热温控装置，通过调节其中的水位和水温控制混合室内的水蒸气气压，上述ＮＨ＃－［３］分解得到的Ｈ＃－［２］、Ｎ＃－［２］混合气与氮气在气体混合室中以不同比例混合，得到含氢量为０～７５ｖｏｌ％的Ｈ＃－［２］、Ｎ＃－［２］混合气引入烧结炉。本发明专利技术可通过调节混合气中的Ｈ＃－［２］含量来调控陶瓷的半导体性能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及陶瓷的烧成方法，特别是涉及。在现有技术中，国外涉及电子陶瓷半导化的还原烧成气氛主要采用N2、H2混合气，此外也有采用CO或其它惰性气体。采用N2、H2混合气时，H2的含量一般应控制在10％以下，甚至是在6％以下，以确保安全。国内很早就采用氨分解产生的高温还原气氛烧制绝缘陶瓷的贱金属电极，1996年该方法开始应用于生产SrTiO3环形压敏电阻器。公开号为CN1211050A的中国专利技术专利申请“晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法”中提出采用氨分解产物——氮气和氨气的混合气体代替原来的高纯氮气加高纯氢气作为晶界层和表面层陶瓷电容器半导化烧结所需的还原气氛。公开号为CN1279489A的中国专利申请“半导体陶瓷电容器的基片生产工艺”中也提出采用氨分解的混合气氛在组合炉内连续自动化进行半导体陶瓷电容器半导化处理的方法。可见，目前烧成某些半导体陶瓷时形成还原气氛往往采用在窑炉或加热器中充入H2、N2混合气体或NH3分解气体，前者气氛易于控制，但H2成本高且不够安全；后者虽然简便，但其含H2量高达75％vol，而且不易控制气氛。对大多数还原气氛烧成或热处理的电子陶瓷，需要通过控制气氛的还原性以获得最佳的电性能，而不是还原性越强越好。气氛还原性过强，例如液氨分解气，会导致陶瓷烧成或热处理时产生过量的氧空位[Vo]，使晶粒中的[Vo]呈不均匀的梯度分布，影响晶界肖特基势垒的状态，如出现势垒的不均匀和具有方向性。大量[Vo]的形成及扩散促进烧成时的传质过程，易出现粗晶粒。在(1-x)N2+xH2气氛系统中，1350℃时H2与O2反应的标准Gibbs自由能变化ΔG0＝-1.57×105J/mol，而N2的ΔG0仅为-1.76×103J/mol，可见该气氛系统中H2的还原性强而N2则甚弱。通常可借用“氧化还原值VR”来描述烧结气氛的特性。(李建英博士学位论文《一次掺杂强还原气氛烧结SrTiO3双功能陶瓷的研究》，指导教师李盛涛、庄严)VR=Σi=1mΔGi0·lg[AI]]]>m--烧结气氛中还原性气体的种类数；[Ai]--第i种气体组分的绝对浓度，即单位体积的分子数。VR的绝对值越大则还原性越强。由此可推得(1-x)N2+xH2系统的氧化还原值VR＝(-1.5)×107)[lg(x×6.02×1023)+lgN]N为炉内混合气体的摩尔数，当N不变时，VR绝对值|VR|随H2含量的增大呈指数增长，H2含量少于10％时|VR|急速增大，至H2含量大于30％|VR|变化趋慢，对气氛还原性影响不大。可见，当H2、N2混合气中H2含量在10％以下时，H2含量对调节烧成或热处理的还原气氛十分有效。对SrTiO3半导体瓷而言，在低H2含量区烧成时的电阻率ρ随H2含量增加而迅速下降，而且压敏电压E10也随之下降。某些半导体陶瓷需要在还原气氛中烧成或热处理，还原气氛的强弱(氧分压高低)对产品的性能至关重要。但由前述可知，对于电子陶瓷还原气氛的烧结方法，至今尚无理想的可调控气氛还原性的方法。本专利技术的目的是提供一种既安全又可调控气氛还原性的。为了达到上述目的，本专利技术采用N2气和NH3分解气作为还原气氛，NH3经分解装置分解为H2、N2混合气，其氧含量低于10ppm，N2气纯度高于99.995％，上述分别制得的H2、N2混合气及氮气经气体输出流量计通入专门设计的气体混合室，该气体混合室设置在烧结炉外部，其内装有纯水，并设有加热温控装置，通过调节其中的水位和水温控制混合室内的水蒸气气压，上述NH3分解得到的H2、N2混合气与氮气在气体混合室中以不同比例混合，得到含氢量为0～75vol％的H2、N2混合气，该混合气与水蒸气由设置在气体混合室上部的气体出口进入烧结炉。本专利技术所述的烧结方法主要适用于某些半导体陶瓷，如SrTiO3压敏电阻器，SrTiO3、BaTiO3晶界层或表面层半导体陶瓷电容器等，也适用于以钛酸盐为电介质，镍或铜等贱金属为内电极的多层陶瓷电容器。本专利技术与现有技术相比具有以下优点本专利技术采用N2气和NH3分解气作为还原气氛，可通过调节H2-N2混合气中的H2含量为电子陶瓷的烧成或热处理提供具有不同|VR|的气氛，从而可比较自由地调控陶瓷的半导体性能。下面将结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。附图说明图1是本专利技术实施例中的气体混合室的结构示意图。本实施例采用N2气和NH3分解气作为还原气氛a.氨分解气的制备将市售瓶装氨气中的高压氨气经减压阀减压后送至氨汽化器汽化，再经减压阀组减压，在分解装置中催化剂的作用下加热分解得到含H275％，含N225％的混合气体(压力约0.05Mpa，残氨＜0.1％，O2≤10ppm)，经水冷系统冷却后，由输出流量计输出到除氧器及纯化再生装置，脱氧分解混合气体中的氧、残氨和水分(残氨量＜10ppm)后，再通过输出流量计将以上混合气体一部分送至气体混合室待用，另一部分送到烧结炉的前后门进气流量计组。b.氮气的制备氮气由市售瓶装氮气或由制氮机提供，目前市售的制氮机制得的高纯氮纯度可达99.99％，如经纯化装置纯化后更可达99.9995％。原理简述如下由无油空气压缩机提供高压空气源(压缩机可选用无油式或普通压缩机在管路上加Al2O3过滤器)，经冷冻式干燥器和级空气过滤器三级过滤送至变压吸附制氮机，利用分子筛对不同气体分子有“吸附”性能差异功能将气体混合物分开，较常用的是碳分子筛，氮和氧在碳分子筛表面的扩散速率不同，较小直径的氧扩散较快，较多进入分子筛固相，这样气相中就可得到氮的富集成分。一段时间后，分子筛对氧的吸附达到平衡，根据碳分子筛在不同压力下对吸附气体的吸附量不同的特性，降低压力使碳分子筛解除对氧的吸附，这一过程称为再生。变压吸附通常采用双塔并联，交替进行加压吸附和解压再生，从而获得连续的氮气流，纯度为99.99％，此所谓变压吸附(PSA)技术。如需纯化则经过除氧器、冷凝器、过滤器、冷却器及干燥器将氮气进一步纯化，纯度可达99.9995％。所得氮气送至N2输出流量计输入到气体混合室中。由图1所示的气体混合室的结构示意图可知，在烧结炉外部增设的气体混合室1内装有纯水，由上述步骤制得的纯氮和氨分解气分别经N2输入流量计2和N2+H2输入流量计3送入气体混合室1过水溢出，与气体混合室1中所产生的水蒸气共同由气体混合室1上部的出口经混合气输出阀7输出送入烧结炉中。上述水蒸气气压通过控制气体混合室1内的水位和水温来实现，热电阻8用于测量气体混合室1中的水温，一般应控制在30～50℃，进水阀9负责水位下降时的补充。为了控制气体混合室1内的水温，在气体混合室1的下方设有加热装置4，本实施例采用间接加热的方式，即先将加热装置4中的水加热，再通过热传导使气体混合室1中的水温提高，以确保安全；加热装置4采用加热器11加热，并由热电阻5测量控制水温。此外，也可以直接将加热装置中的进水阀6接至烧结炉的冷却水套的出水端，调节出水阀10的大小控制热水流量以调节加热装置4的水温，进而调节气体混合室1内的水温。上述气体混合室的作用是①实现氮、氢、水蒸气的混合输出；②由于冷氮(瓶装氮气)温度太低，过水后可提高气体温度，防止冷氮冲击炉本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子陶瓷还原气氛烧成方法，其特征是：采用Ｎ↓［２］气和ＮＨ↓［３］分解气作为还原气氛，ＮＨ↓［３］经分解装置分解为Ｈ↓［２］、Ｎ↓［２］混合气，其氧含量低于１０ｐｐｍ，Ｎ↓［２］气纯度高于９９．９９５％，上述分别制得的Ｈ↓［２］、Ｎ↓［２］混合气及氮气经气体输出流量计通入专门设计的气体混合室，该气体混合室设置在烧结炉外部，其内装有纯水，并设有加热温控装置，通过调节其中的水位和水温控制混合室内的水蒸气气压，上述ＮＨ↓［３］分解得到的Ｈ↓［２］、Ｎ↓［２］混合气与氮气在气体混合室中以不同比例混合，得到含氢量为０～７５ｖｏｌ％的Ｈ↓［２］、Ｎ↓［２］混合气，该混合气与水蒸气由设置在气体混合室上部的气体出口进入烧结炉。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.电子陶瓷还原气氛烧成方法，其特征是采用N2气和NH3分解气作为还原气氛，NH3经分解装置分解为H2、N2混合气，其氧含量低于10ppm，N2气纯度高于99.995％，上述分别制得的H2、N2混合气及氮气经气体输出流量计通入专门设计的气体混合室，该气体混合室设置在烧结炉外部，其内装有纯水，并设有加热温控装置，通过调节其中的水位和水温控制混合室内的水蒸气气压，上述NH3分解得到的H2、N2混合气与氮气在气体混合室中以不同比例混合，得到含氢量为0～75vol％的H2、N2混合气，该混合气与水蒸气由设置在气体混合室上部的气体出口进入烧结炉。2.根据权利要求1所述的电子陶瓷还原气氛烧成方法，其特征是所述的加热温控装置设置在混合室的下方，采用间接加热的方式，即先将加热装置中的水加...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄严，李标荣，熊西周，蒋小明，
申请(专利权)人：广州新日电子有限公司，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]