不可还原的介电陶瓷组合物制造技术

技术编号:3121238 阅读:145 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种不可还原的介电组合物,包含由通式(Ca↓[1-x]Sr↓[x])↓[m](Zr↓[1-y]Ti↓[y])O↓[3]表示的主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05;及0.5-10重量%由通式aMnO↓[2]-bSiO↓[2]-cAl↓[2]O↓[3](a+b+c=100)表示的次要成分,其中20≤a≤60,10≤b≤65和1≤c≤10。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种应用于叠层陶瓷电容器、用于温度补偿等的不可还原的介电组合物,更特别地,涉及一种具有高绝缘电阻和低介电损耗、可在使用含有镍(Ni)的内电极的还原氛下烧结的、不可还原的介电组合物。常规的叠层陶瓷电容器是通过在1100-1350℃的环境中烧结高价贵金属如钯(Pd)或含有钯作为内电极的银-钯合金(Ag-Pd)、和基于BaO-Nd2O3-TiO2或MgTiO3-CaTiO3的介电组合物制备的。但是,存在的问题是,由于在还原氛中烧结时形成氧空位,因此组合物表现出绝缘电阻降低和可靠性劣化,因此Ni不能用作内电极。为使用镍作为内电极,这样的组合物必须能够在还原氛中烧结。到目前为止已知在日本专利公开10-335169号公报中公开了一种基于CSZT的组合物。该组合物由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示的主成分,其满足条件0≤x≤1,0≤y≤0.1和0.75≤m≤1.04;和次要成分BCG0.5-15摩尔%、MnO0.2-5摩尔%、Al2O30.1-10摩尔%(以主成分的总摩尔数为基础)以及稀土元素组成。上述公报公开的组合物的优点是具有不可还原性,且在温度变化时电容量的变化小。另外,该组合物克服了基于锂玻璃(Li-玻璃)的组合物所遇到的在高温-低频条件下介电损耗大的问题。另外,该组合物的特征在于可以获得均匀的小粒径。尽管具有这些优点。在上述组合物中,介电体的烧结温度高达1300℃,且介电体的烧结开始温度比用作内电极的Ni高。结果,存在的问题是由于内电极和陶瓷间的失配而引起破裂、缺陷等。这是因为在烧结过程中,内电极金属表现出比陶瓷更高的收缩率。同时,日本专利公开63-289709号公报公开了一种组合物,该组合物由主成分(CaxSr1-x)m(ZryTi1-y)O3(0.3≤x≤0.5,0.92≤y≤0.98,0.95≤m≤1.08)及次要成分MnO2(0.01-4.0重量%)和SiO2(2.0-8.0重量%)组成,该组合物可在还原氛下烧结。该组合物中Ca/Sr的介电常数较高,低于1。然而,上面的组合物仍然存在问题,即在高温-低频条件下介电损耗大。另外,由于陶瓷的烧结温度高达1300℃,在烧结过程中该组合物会由于电极金属和陶瓷失配而出现缺陷。本专利技术的另一个目的是提供一种满足符合EIA(电气工业协会)标准的COG/CH特性的介电组合物。根据本专利技术的一方面,提供一种不可还原的介电组合物,其包含由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示的主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05;及0.5-10重量%由通式aMnO2-bSiO2-cAl2O3(a+b+c=100)表示的次要成分,其中20≤a≤60,10≤b≤65和1≤c≤10。根据本专利技术的另一方面,提供一种不可还原的介电组合物,其包含由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示的主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05;及0.5-10重量%由通式bSiO2-cAl2O3-dR1O(b+c+d=100,R1为选自Mg、Ca、Sr和Ba的至少一种元素)表示的次要成分,其中10≤b≤65,0<c≤10和0≤d≤50。根据本专利技术的再一方面,提供一种不可还原的介电组合物,其包含由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示的主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05;及0.5-10重量%由通式aMnO2-bSiO2-dR1O-eR2O2(a+b+d+e=100,R1为选自Mg、Ca、Sr和Ba的一种或两种元素,R2为Zr和Ti的至少一种)表示的次要成分,其中20≤a≤60,10≤b≤65和0<(d+e)≤65。最后,根据本专利技术的再一方面,提供一种不可还原的介电组合物,其包含由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示的主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05;及0.5-10重量%由通式bSiO2-dR1O-eR2O2(b+d+e=100,R1为选自Mg、Ca、Sr和Ba的至少一种元素,R2为Zr和Ti之一)表示的次要成分,其中10≤b≤65,10≤d≤20和10≤e≤60。本专利技术涉及一种不可还原的介电组合物,其中其主成分由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示。根据使用常用材料的本专利技术,需要x、y和m满足条件0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05。主成分中下标x在0≤x≤1的范围内。即,该组合物可以含有Ca和Sr的任意混合物,或两者中的仅仅一种元素。x的值越大,即Sr的比例越高,则晶体的平均粒径越大,且介电常数增加越多。为使烧结后的粒径更小,优选x小于0.5。主成分中下标y在0≤y≤0.09的范围内。电容量温度系数和介电常数取决于y值。y值越大,电容量温度系数变得越负,介电常数增加越多。为获得本专利技术的基于COG/CH的介电组合物,y的范围限制在小于0.09。结果,可获得满足用于热补偿的、作为电容器的COG特性的电容量温度系数为-30~+30ppm/℃的要求,或满足用于热补偿的、作为电容器CH特性的电容量温度系数为-60-~+60ppm/℃的要求的组合物。主成分中下标m在0.7≤m≤1.05的范围内。但是,不理想的情况是,如果m小于0.7,则介电损耗增大,且如果m超过1.05,则烧结温度上升。在本专利技术的介电组合物中还含有次要成分。作为烧结添加剂添加的次要成分选自四种类型的烧结添加剂。根据本专利技术,烧结添加剂的添加量优选占主成分总量的0.5-10重量%。如果烧结添加剂的量低于0.5重量%,烧结性劣化。当其添加量超过10重量%时,介电体的内在品质劣化,例如,低介电常数、介电损耗增加等。第一种类型的烧结添加剂是由通式aMnO2-bSiO2-cAl2O3(a+b+c=100)表示的次要成分,其中20≤a≤60,10≤b≤65和1≤c≤10。MnO2用作接受体,因此吸收在还原氛下烧结该添加剂时产生的氧空位中的自由电子,这又使改善不可还原性成为可能。但是,不理想的情况是,如果MnO2含量低于20摩尔%,电阻率值降低,且如果MnO2含量超过60摩尔%,固溶体达不到使MnO2沉淀的程度,烧结性劣化。SiO2的含量定为10-65摩尔%。如果该含量低于10摩尔%不产生效果,如果该含量超过65摩尔%,因粘度使烧结性倾向于劣化。添加Al2O3以改善耐水性和机械强度。由于加于过量Al2O3时其不溶解而是沉淀,因此优选Al2O3在次要成分中的含量低于10摩尔%。第二种类型的烧结添加剂是由通式bSiO2-cAl2O3-dR1O(b+c+d=100,R1为选自Mg、Ca、Sr和Ba的至少一种元素)表示的次要成分,其中10≤b≤65,0≤c≤10和0≤d≤50。第三种类型的烧结添加剂是由通式aMnO2-bSiO2-dR1O-eR2O2(a+b+d+e=100,R1为选自Mg、Ca、Sr和Ba的至少一种元素,R2为Zr和Ti的至少一种元素)表示的次要成分,其中20≤a≤60,10≤b≤65和0<(d+e)≤65。最后,本专利技术的第四种类型的烧结添加剂是由通式bSiO2-dR1O-eR2O2(b+d+e=100,R1为选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种不可还原的介电组合物,包含由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示的主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05;及0.5-10重量%由通式aMnO2-bSiO2-cAl2O3(a+b+c=100)表示的次要成分,其中20≤a≤60,10≤b≤65和1≤c≤10。2.一种多层陶瓷电容器,包含由权利要求1的介电组合物形成的许多片;和在各片上的许多电极,其中片和电极交替层压。3.一种不可还原的介电组合物,包含由通式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示的主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.09和0.7≤m≤1.05;及0.5-10重量%由通式bSiO2-cAl2O3-dR1O(b+c+d=100,R1为选自Mg、Ca、Sr和Ba的至少一种元素)表示的次要成分,其中10≤b≤65,0<c≤10和0≤d≤50。4.一种多层陶瓷电容器,包含由权利要求3的介电组合物形成的许多片;和在各片上的许多电极,其中片和电极交替层压。5.一种不可还原的介电组合物,包含由通式(Ca1-xSrx)m(...

【专利技术属性】
技术研发人员:文泳泰申东俶金宗熙金瑛珉
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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