本申请提供了一种阵列基板、显示面板以及显示装置，所述阵列基板包括：衬底基板；开关器件层，设于所述衬底基板上，所述开关器件层包括有源层和源漏极层；挡光层，设置于所述开关器件层上，所述挡光层在所述衬底基板上的正投影和所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影完全遮盖所述有源层。本申请通过设置在开关器件层上设置能够实现光线遮挡的挡光层，且由于源漏极层采用金属制成，金属也不会透光，因此通过使得所述挡光层和所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影完全遮盖所述有源层，从而防止有源层受到光线照射，有利于薄膜晶体管性质的稳定性，进而提高显示的稳定性，保证良好的显示效果。显示效果。显示效果。
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板以及显示装置
[0001]本申请涉及显示器件
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
技术介绍
[0002]在OLED显示面板中，随着显示技术的应用领域的不断扩展，对显示性能的要求越来越高。OLED按照光出射方向的不同，可以分为底发射型和顶发射型。由于底发射型OLED具有较低的压降、更轻薄、功耗更低、响应快、对比度高、更适合柔性产品等优点，因此被广泛地使用。
[0003]通常底发射型OLED显示面板上设有很多薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，包括设置于显示区的薄膜晶体管阵列、设置于非显示区的驱动电路中的薄膜晶体管。这些薄膜晶体管大多采用单晶硅或多晶硅作为有源层，且覆盖在有源层上的金属层会通过曝光、显影等方式刻蚀去除，从而形成金属层的沟道区域，使有源层显露于沟道，而底发射型OLED发光层发出的光线会被阴极反射，部分光线被反射到薄膜晶体管的显露于沟道的有源层上。由于照射到薄膜晶体管的光线没有被遮挡，因此有源层的硅在光的照射下会产生光生载流子，从而会导致薄膜晶体管器件在关闭时漏电流增大，进而导致薄膜晶体管不稳定，从而导致显示不稳定，显示效果较差。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决自发光对有源层稳定性的破坏的问题。
[0005]一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：
[0006]衬底基板；
[0007]开关器件层，设于所述衬底基板上，所述开关器件层包括有源层和源漏极层；
[0008]挡光层，设置于所述开关器件层上，所述挡光层在所述衬底基板上的正投影和所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影完全遮盖所述有源层。
[0009]在本申请一种可能的实现方式中，所述挡光层由金属材质制成。
[0010]在本申请一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
[0011]阳极，设置于所述挡光层上，所述阳极与开关器件层连接，所述阳极为透明阳极。
[0012]在本申请一种可能的实现方式中，所述挡光层在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述衬底基板。
[0013]在本申请一种可能的实现方式中，所述挡光层在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影邻接设置。
[0014]在本申请一种可能的实现方式中，所述开关器件层还包括层叠设置有栅绝缘层、栅极层、第一层间介质层、第二层间介质层和绝缘层；
[0015]所述栅绝缘层设置于所述有源层上，所述源漏极层设置于所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间；
[0016]所述挡光层设置于所述第二层间介质层和所述绝缘层之间，所述阳极设置于所述绝缘层上。
[0017]在本申请一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
[0018]存储电容，所述存储电容包括第一极板；
[0019]所述第一极板为透明极板，所述有源层与第一极板同层设置。
[0020]在本申请一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括：
[0021]遮光层，设置于所述衬底基板上；
[0022]缓冲层，设置于所述遮光层和所述有源层之间；
[0023]所述存储电容还包括第二极板，所述第二极板与所述遮光层同层设置。
[0024]另一方面，本申请还提供一种显示面板，包括所述的阵列基板。
[0025]另一方面，本申请还提供一种显示装置，包括所述的显示面板。
[0026]本申请提供的一种阵列基板、显示面板以及显示装置，通过设置在开关器件层上设置能够实现光线遮挡的挡光层，且由于源漏极层采用金属制成，金属也不会透光，因此通过使得所述挡光层和所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影完全遮盖所述有源层，从而防止有源层受到光线照射，有利于薄膜晶体管性质的稳定性，进而提高显示的稳定性，保证良好的显示效果。
附图说明
[0027]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0028]图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
[0029]图2为本申请又一实施例提供的阵列基板的结构示意图。
[0030]图3为本申请实施例提供的阵列基板中的存储电容的结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0033]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0034]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0035]请参考图1
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3，本申请实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板10、开关器件层20以及挡光层30。
[0036]衬底基板10用于提供支撑，具体地，衬底基板10可以聚酰亚胺、聚硅氧烷等材质制成的透明柔性基板，也可以为玻璃、塑料等材质制成的透明刚性基板，在此不做具体限制。
[0037]开关器件层20设于所述衬底基板10的一侧，其中，开光器件层包括阵列设置的薄膜晶体管201，在本实施例中，薄膜晶体管201为底发射型薄膜晶体管201。具体地，其包括层叠设置的有源层21和源漏极层25，有源层21为半导体材质制成，例如铟镓锌氧化物(IGZO)等。源漏极层25设置于所述有源层21上。其中，源漏极层25包括同层设置的源极251和漏极252。
[0038]结合图1和图2所示，挡光层30设置于所述开关器件层2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；开关器件层，设于所述衬底基板上，所述开关器件层包括有源层和源漏极层；挡光层，设置于所述开关器件层上，所述挡光层在所述衬底基板上的正投影和所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影完全遮盖所述有源层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述挡光层由金属材质制成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：阳极，设置于所述挡光层上，所述阳极为透明阳极。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述挡光层在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述衬底基板。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述挡光层在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影邻接设置。6.根据权利要求3
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5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述开关器件层还...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄旭，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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