光掩模总成、其形成方法以及包括其的曝光工具技术

一种光掩模总成可被形成为使得在光掩模总成的护膜框架中形成应力释放沟槽。应力释放沟槽可减少或防止原本可因护膜发生变形所导致的护膜的损坏。应力释放沟槽可形成在护膜框架的区域中，以使得护膜框架能够与护膜一起变形，从而减少护膜框架对护膜造成的损坏量。从而减少护膜框架对护膜造成的损坏量。从而减少护膜框架对护膜造成的损坏量。

【技术实现步骤摘要】
光掩模总成、其形成方法以及包括其的曝光工具


[0001]本专利技术的实施例是涉及一种光掩模总成、其形成方法以及包括其的曝光工具。

技术介绍

[0002]光掩模总成(photomask assembly)是用于将图案(例如，管芯层图案、集成电路图案和/或类似图案)转移到晶片的设备。光掩模总成可包括上面形成有图案的光掩模以及保护所述图案免受损坏及灰尘影响的护膜层，否则所述损坏及灰尘可能会在图案转移到衬底时造成缺陷。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种光掩模总成包括：光掩模、安装到光掩模的护膜框架以及安装到护膜框架的护膜。护膜框架包括一个或多个应力释放沟槽。
附图说明
[0004]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0005]图1是可在其中实施本文中阐述的系统和/或方法的示例性环境的图。
[0006]图2是本文中阐述的示例性光掩模总成的图。
[0007]图3A到图3I是本文中阐述的一个或多个示例性实施方案的图。
[0008]图4是示例性曝光工具的图。
[0009]图5是图1和/或图4所示一个或多个装置的示例性组件的图。
[0010]图6是与形成光掩模总成相关的示例性工艺的流程图。
具体实施方式
[0011]以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0012]此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在
…
之下(beneath)”、“在
…
下方(below)”、“下部的(lower)”、“在
…
上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向
(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。
[0013]护膜可安装在护膜框架上，护膜框架将护膜与光掩模隔开。在对处理腔室进行抽气或将处理腔室加压到真空的光刻工艺期间，高压可能会导致护膜变形。在一些情形中，护膜发生变形可能会严重到足以导致护膜压靠护膜框架，此可能会使护膜破裂且对护膜造成其他类型的损坏。
[0014]本文中阐述的一些实施方案提供一种光掩模总成，所述光掩模总成被形成为使得在光掩模总成的护膜框架中形成应力释放沟槽。应力释放沟槽可减少或防止原本可因护膜发生变形所导致的护膜的损坏。应力释放沟槽可形成在护膜框架的区域中，以使得护膜框架能够与护膜一起变形，从而减少护膜框架对护膜造成的损坏量。
[0015]图1是可在其中实施本文中阐述的系统和/或方法的示例性环境100的图。如图1中所示，环境100可包括多个半导体处理工具102到110及传输装置112。所述多个半导体处理工具102到110可包括沉积工具102、曝光工具104、刻蚀工具106、显影工具108、光刻胶移除工具110和/或其他类似工具。示例性环境100中所包括的工具可包括在半导体清洁室、半导体铸造厂(semiconductor foundry)、半导体处理和/或制造设施和/或类似装置中。
[0016]沉积工具102是包括半导体处理腔室以及能够将各种类型的材料沉积到衬底上的一个或多个装置的半导体处理工具。在一些实施方案中，沉积工具102包括化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工具，例如原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)工具、外延工具、金属有机化学气相沉积(metal organic CVD，MOCVD)工具、等离子体增强型化学气相沉积(plasma
‑
enhanced CVD，PECVD)工具或另一类型的CVD工具。在一些实施方案中，沉积工具102包括物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工具，例如溅镀工具或另一类型的PVD工具。在一些实施方案中，示例性环境100包括多种类型的沉积工具102。
[0017]曝光工具104是能够将光刻胶层曝光到辐射源(例如紫外(ultraviolet，UV)光源(例如，深UV光源、极UV光源和/或类似光源)、x射线源和/或类似辐射源)的半导体处理工具。曝光工具104可将光刻胶层暴露到辐射源，以将图案从光掩模转移到光刻胶层。所述图案可包括用于形成一个或多个半导体装置的一个或多个半导体装置层图案，可包括用于形成半导体装置的一个或多个结构的图案，可包括用于对半导体装置的各个部分进行刻蚀的图案和/或可包括类似图案。在一些实施方案中，曝光工具104包括扫描仪(scanner)、步进机(stepper)或相似类型的曝光工具。
[0018]刻蚀工具106是能够对衬底、晶片或半导体装置的各种类型的材料进行刻蚀的半导体处理工具。举例来说，刻蚀工具106可包括湿式刻蚀工具、干式刻蚀工具和/或类似刻蚀工具。在一些实施方案中，刻蚀工具106包括填充有刻蚀剂的腔室，且将衬底在腔室中放置达特定时间周期，以移除衬底的特定大小的一个或多个部分。在一些实施方案中，刻蚀工具106可使用等离子体刻蚀或等离子体辅助刻蚀来对衬底的一个或多个部分进行刻蚀，此可涉及使用离子化气体来对所述一个或多个部分进行各向同性刻蚀或定向刻蚀。
[0019]显影工具108是以下半导体处理工具：所述半导体处理工具能够对已被暴露到辐射源的光刻胶层进行显影，从而对从曝光工具104转移到光刻胶层的图案进行显影。在一些实施方案中，显影工具108通过移除光刻胶层的未被暴露出的部分来对图案进行显影。在一
些实施方案中，显影工具108通过移除光刻胶层的被暴露出的部分来对图案进行显影。在一些实施方案中，显影工具108通过使用化学显影剂使光刻胶层的被暴露出的部分或未被暴露出的部分溶解来对图案进行显影。
[0020]光刻胶移除工具110是能够在刻蚀工具106移除衬底的一些部分之后从衬底移除光刻胶层的剩余部分的半导体装置。举例来说，光刻胶移除工具110可使用化学剥离剂和/或另一技术来从衬底移除光刻胶层。
[0021]传输装置112包括移动机器人、机械臂、有轨电车(tram)或轨道车(rail car)和/或以下另一类型的装置：所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩模总成，包括：光掩模；护膜框架，安装到所述光掩模，包括一个或多个应力释放沟槽；以及护膜，安装到所述护膜框架。2.根据权利要求1所述的光掩模总成，其中所述一个或多个应力释放沟槽形成在所述护膜框架的面对所述护膜的顶表面中。3.根据权利要求1所述的光掩模总成，其中所述一个或多个应力释放沟槽将在所述护膜发生变形期间所述护膜接触所述护膜框架时允许所述护膜框架变形。4.根据权利要求1所述的光掩模总成，其中所述一个或多个应力释放沟槽将在所述护膜发生变形期间减小由所述护膜框架施加在所述护膜上的力的大小。5.根据权利要求1所述的光掩模总成，还包括：缓冲层，位于所述护膜框架的顶表面的第一部分上，其中所述一个或多个应力释放沟槽形成在所述顶表面的第二部分中，且其中所述第一部分与所述第二部分是所述顶表面的不同部分。6.一种光掩模总成的形成方法，包括：在衬底中形成多个应力释放沟槽；在形成所述多个应力释放沟槽之后，在所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国豪，张佑诚，潘汉宗，翁睿均，钟久华，林生元，陈信宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：