器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。本发明专利技术解决了器件性能测试效率低的技术问题。低的技术问题。低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备


[0001]本专利技术涉及测试领域，具体而言，涉及一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。

技术介绍

[0002]现有技术中，在对半导体器件进行测试的过程中，通常，需要获取半导体的击穿(Breakdown voltage，简称为BV)曲线，从而通过击穿曲线查看半导体器件是否为合格产品。然而，击穿曲线的获取需要消耗大量的时长，每测试一个器件都要获取该器件的击穿曲线，造成对器件的测试效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备，以至少解决对半导体器件进行测试时，测试效率低的技术问题。
[0004]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种器件性能测试方法，包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件。
[0005]根据本专利技术实施例的另一方面，提供了一种器件性能测试装置，包括：第一获取单元，用于获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；第一确定单元，用于在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件。
[0006]作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二获取单元，用于在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，获取第一器件的电压电流曲线，其中，上述电压电流曲线记录有上述第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，上述第一器件为预先检测为合格的器件。
[0007]作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二确定单元，用于在获取第一器件的电压电流曲线之后，在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值，其中，上述击穿值对应上述电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在上述第一器件的电压等于上述击穿电压的情况下，上述第一器件的漏电值大于上述击穿电流，在上述第一器件的电流大于或等于上述击穿电流的情况下，上述第一器件的耐压值等于上述击穿电压。
[0008]作为一种可选的示例，上述装置还包括：第三获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上小于上述击穿电压的两个不
同的电压值；第三确定单元，用于将上述两个不同的电压值分别确定为上述第一电压和上述第二电压。
[0009]作为一种可选的示例，上述装置还包括：第四获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上大于上述击穿电流的两个不同的电流值；第四确定单元，用于将上述两个不同的电流值分别确定为上述第一电流和上述第二电流。
[0010]根据本专利技术实施例的又一方面，还提供了一种存储介质，该存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行上述器件性能测试方法。
[0011]根据本专利技术实施例的又一方面，还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，上述存储器中存储有计算机程序，上述处理器被设置为通过上述计算机程序执行上述的器件性能测试方法。
[0012]在本专利技术实施例中，采用了获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件的方法，由于在上述方法中，可以通过使用为目标器件设置不同的电压测量漏电值，查看漏电值差异，或者通过为目标器件设置不同的电流，查看耐压值差异，以对目标器件进行性能测试，不需要每一个器件都测试其BV曲线，提高了对器件进行测试的效率，进而解决了器件性能测试效率低的技术问题。
附图说明
[0013]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0014]图1是根据本专利技术实施例的一种可选的器件性能测试方法的流程图；
[0015]图2是根据本专利技术实施例的一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；
[0016]图3是根据本专利技术实施例的另一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；
[0017]图4是根据本专利技术实施例的另一种可选的器件性能测试方法的流程图；
[0018]图5是根据本专利技术实施例的又一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；
[0019]图6是根据本专利技术实施例的又一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；
[0020]图7是根据本专利技术实施例的一种可选的器件性能测试装置的组成结构框图。
具体实施方式
[0021]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0022]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用
的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0023]根据本专利技术实施例的第一方面，提供了一种器件性能测试方法，可选地，如图1所示，上述方法包括：
[0024]S102，获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；
[0025]S104，在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。
[0026]可选地，在本实施例中，目标器件为待测器件，如果存在多个待测器件，则将每一个待测器件作为目标器件进行测试。目标器件可以为半导体器件。
[0027]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件性能测试方法，其特征在于，包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取所述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在所述第一漏电值与所述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者所述第一耐压值与所述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定所述目标器件为不合格器件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取所述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，所述方法还包括：获取第一器件的电压电流曲线，其中，所述电压电流曲线记录有所述第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，所述第一器件为预先检测为合格的器件。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在获取第一器件的电压电流曲线之后，所述方法还包括：在所述电压电流曲线上确定所述第一器件的击穿值，其中，所述击穿值对应所述电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在所述第一器件的电压等于所述击穿电压的情况下，所述第一器件的漏电值大于所述击穿电流，在所述第一器件的电流大于或等于所述击穿电流的情况下，所述第一器件的耐压值等于所述击穿电压。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述电压电流曲线上确定所述第一器件的击穿值之后，所述方法还包括：获取所述电压电流曲线上小于所述击穿电压的两个不同的电压值；将所述两个不同的电压值分别确定为所述第一电压和所述第二电压。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述电压电流曲线上确定所述第一器件的击穿值之后，所述方法还包括：获取所述电压电流曲线上大于所述击穿电流的两个不同的电流值；将所述两个不同的电流值分别确定为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁赛嫦，吴佳蒙，郭依腾，曾丹，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：