薄膜晶体管、其制作方法及显示面板技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及显示面板。所述薄膜晶体管中通过漏极与有源层的肖特基接触，增大该区域的电阻，从而抑制电流逆向从漏极经过金属层、有源层传输至源极，而当阈值电压为负时，由于肖特基接触的存在，可以抑制、减小源极通过有源层流向漏极的漏电流，提升薄膜晶体管的电学稳定性，能够更长时间地稳定工作。间地稳定工作。间地稳定工作。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、其制作方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体、其制作方法及显示面板。

技术介绍

[0002]随着大尺寸、高解析度的电子产品受到越来越多的关注，对薄膜晶体管的性能也提出了越来越高的要求，尤其是晶体管的稳定性能够直接影响着产品的量产开发进度。目前，现有薄膜晶体管10的结构如图1所示，漏极18与源极19通过栅极17导通，电流可以由漏极18经过有源层14流向源极19，或是反向流动，视漏极18与源极19的点位高低而定。然而，当阈值电压为负时，栅极17透过栅极绝缘层极16施加在有源层14的电场不易将薄膜晶体管10关闭(OFF)，容易出现从源极19经过有源层14流向漏极18的漏电流，导致电子产品显示异常。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的在于，解决现有薄膜晶体管存在的漏电流问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置于所述衬底上的有源层，所述有源层包括导体化区域和非导体化区域；以及分别与所述有源层连接的漏极和源极，其中，所述漏极和所述源极的材料包括金属，所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域连接，所述源极与所述有源层的所述导体化区域连接。
[0005]可选的，所述薄膜晶体管还包括设置于所述源极和所述漏极之间的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极绝缘层设置在所述有源层的所述非导体化区域上。
[0006]可选的，所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域之间还包括金属层。
[0007]可选的，所述导体化区域还包括位于所述金属层所对应的所述非导体化区域与所述栅极绝缘层所对应的非导体化区域之间的区域。
[0008]可选的，所述金属层完全设置于所对应的所述非导体化区域内。
[0009]可选的，所述薄膜晶体管还包括：遮光层，设置于所述衬底与所述有源层之间；缓冲层，设置于所述遮光层与所述有源层之间；钝化层，覆盖于所述栅极与所述有源层上；所述钝化层开设有暴露至少部分所述金属层的第一通孔，所述漏极通过所述第一通孔与所述金属层连接。
[0010]可选的，所述钝化层还开设有暴露至少部分所述导体化区域的第二通孔以及暴露至少部分所述遮光层的第三通孔，所述源极通过所述第二通孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第三通孔与所述遮光层连接。
[0011]为达到上述目的，本专利技术还提供一种显示面板，包括多个像素单元，每个所述像素单元包括如前所述的薄膜晶体管。
[0012]为达到上述目的，本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括：
[0013]提供衬底；
[0014]在所述衬底上形成有源层；
[0015]在所述有源层上形成栅极绝缘层；
[0016]图案化所述栅极绝缘层以露出源极形成区；
[0017]在所述栅极绝缘层上形成栅极；
[0018]对所述有源层进行导体化；
[0019]形成钝化层覆盖所述栅极与所述有源层；
[0020]在所述钝化层开设第一通孔以及第二通孔，所述第二通孔暴露至少部分的所述源极形成区；
[0021]于所述第一通孔内形成漏极且于所述第二通孔内形成源极。
[0022]可选的，所述图案化所述栅极绝缘层以露出所述源极形成区的步骤同时还包括图案化所述栅极绝缘层以露出漏极形成区，所述在所述栅极绝缘层上形成所述栅极的步骤同时还包括在所述漏极形成区形成金属层。
[0023]本专利技术的有益效果在于，本专利技术提供的薄膜晶体管，通过漏极与有源层的肖特基接触，增大该区域的电阻，从而抑制电流逆向从漏极经过金属层、有源层传输至源极，而当阈值电压为负时，由于肖特基接触的存在，可以抑制、减小源极通过有源层流向漏极的漏电流，提升薄膜晶体管的电学稳定性，能够更长时间地稳定工作。
附图说明
[0024]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0025]图1是现有薄膜晶体管的结构示意图；
[0026]图2a是本专利技术一实施例中的薄膜晶体管的结构示意图；
[0027]图2b是本专利技术另一实施例中的薄膜晶体管的结构示意图；
[0028]图2c是本专利技术一实施例中的薄膜晶体管的制作方法流程示意图；
[0029]图2d是本专利技术另一实施例中的薄膜晶体管的制作方法流程示意图；
[0030]图3a～图3j是本专利技术一实施例中的薄膜晶体管的制作方法对应的结构示意图；
[0031]图4a～图4i是本专利技术一实施例中的薄膜晶体管的制作方法对应的结构示意图；
[0032]图5是本专利技术一实施例中的显示面板的结构示意图；
[0033]图中部件编号如下：
[0034]10、100、100
’
、薄膜晶体管，110、衬底，120、遮光层，130、缓冲层，14、140、140
’
、有源层，141、导体化区域，142、非导体化区域，1421、第一非导体化区域，1422、第二非导体化区域，150、钝化层，151、第一通孔，152、第二通孔，153、第三通孔，16、160、栅极绝缘层，17、170、栅极，18、180、漏极，181、金属层，19、190、源极。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]本专利技术的一个实施例中，所述薄膜晶体管中的通过漏极与有源层的肖特基接触，增大该区域的电阻，从而抑制电流逆向从漏极经过金属层、有源层传输至源极。而当阈值电压为负时，由于肖特基接触的存在，可以抑制、减小源极通过有源层流向漏极的漏电流，提升薄膜晶体管的电学稳定性，能够更长时间地稳定工作。作为典型应用，所述薄膜晶体管可被应用于显示面板中。
[0037]本专利技术的一个实施例中，参照图2a，薄膜晶体管100包括依次层叠设置的衬底110、遮光层120、缓冲层130、有源层140、栅极绝缘层160、栅极170、钝化层150、漏极180和源极190。所述遮光层120设置于所述衬底110表面。所述缓冲层130覆盖遮光层120与与衬底110。有源层140设置于缓冲层130上。栅极绝缘层160设置于有源层140上。栅极170设置于栅极绝缘层160上。栅极绝缘层160和栅极170设置于漏极180和源极190之间。所述漏极180和所述源极190的材料包括金属。钝化层150覆盖于栅极170、有源层140和缓冲层130上。
[0038]在本实施例中，有源层140包括导体化区域141和非导体化区域142。所述漏极180与有源层140的非导体化区域142接触，从栅极绝缘层160下方延伸至漏极180，即，栅极绝缘层160在有源层140上的正投影位于非导体化区域14本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的有源层，所述有源层包括导体化区域和非导体化区域；以及分别与所述有源层连接的漏极和源极，其中，所述漏极和所述源极的材料包括金属，所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域连接，所述源极与所述有源层的所述导体化区域连接。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置于所述源极和所述漏极之间的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极绝缘层设置在所述有源层的所述非导体化区域上。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极与所述有源层的所述非导体化区域之间还包括金属层。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体化区域还包括位于所述金属层所对应的所述非导体化区域与所述栅极绝缘层所对应的非导体化区域之间的区域。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属层完全设置于所对应的所述非导体化区域内。6.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：遮光层，设置于所述衬底与所述有源层之间；缓冲层，设置于所述遮光层与所述有源层之间；钝化层，覆盖于所述栅极与所述有源层上；所述钝化层开设有暴露至少部分所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨树圳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：