试验装置制造方法及图纸

试验装置(100)对形成有包括磁阻存储器或磁传感器在内的被试验器件(12)的被试验晶圆(10)进行试验。在台(130)上，在试验工序中载置被试验晶圆(10)。试验用探针卡(160)在试验工序中，能够对被试验晶圆(10)进行探测接触。晶圆连接HiFix(150)设置于试验用探针卡(160)与测试头(120)之间。磁场施加装置(140)设置于晶圆连接HiFix(150)，在试验工序中向被试验晶圆(10)施加磁场(B

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】试验装置


[0001]本公开涉及半导体试验装置。

技术介绍

[0002]作为下一代的存储器，开发出磁阻存储器(MRAM：Magnetoresistive Random Access Memory)。磁阻存储器利用磁隧道结(MTJ：Magnetic Tunnel Junction)的磁化状态来记录信息，因此与SRAM(Static RAM)、DRAM(Dynamic RAM)等利用了电荷的存储器不同，具有非易失性。
[0003]MRAM在数据的写入时，需要通过向MTJ施加磁场来使MTJ的磁化的状态变化。换言之，如果由于外部的磁场而使MTJ的磁化的状态变化，则数据被破坏。因此，MRAM除了包含电特性之外还包含外部施加磁场等的磁特性，之后规格被确定，MRAM需要在组装工序前对磁特性进行试验。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2007
‑
024518号公报
[0007]专利文献2：日本特开2008
‑
139305号公报
[0008]专利文献3：日本特开2004
‑
151056号公报
[0009]专利文献4：日本特开2012
‑
198102号公报

技术实现思路

[0010]专利技术的概要
[0011]专利技术要解决的课题
[0012]本公开是在上述状况下作出的专利技术，其一方案的例示性的目的之一在于，提供能够向晶圆上的器件施加磁场的试验装置。
[0013]用于解决课题的方案
[0014]本公开的一方案涉及对被试验晶圆进行试验的试验装置，其中，所述被试验晶圆形成有包括磁阻存储器或磁传感器在内的被试验器件。试验装置是对形成有包括磁阻存储器或磁传感器的被试验器件的被试验晶圆进行试验的试验装置，其具备：测试头；台，其在试验工序中载置被试验晶圆；试验用探针卡，其在试验工序中，能够对被试验晶圆进行探测接触；连接单元，其设置在试验用探针卡与测试头之间；磁场施加装置，其设置于连接单元，在试验工序中向被试验晶圆施加磁场。
[0015]需要说明的是，将以上的构成要素任意组合的结构或者将本公开的表现在方法、装置等之间进行变换的结构作为本公开的方案也是有效的。
[0016]专利技术效果
[0017]根据本公开的一方案，能够向晶圆上的器件施加磁场。
附图说明
[0018]图1是表示被试验晶圆的图。
[0019]图2是实施方式1的试验装置的框图。
[0020]图3是磁场施加装置的剖视图。
[0021]图4是变形例1的磁场施加装置的剖视图。
[0022]图5是表示实施方式2的试验装置的图。
[0023]图6是表示诊断用晶圆的图。
[0024]图7是表示诊断工序中的试验装置的结构的图。
[0025]图8是表示变形例1的试验装置的图。
[0026]图9是表示变形例2的试验装置的图。
[0027]图10是表示变形例3的试验装置的图。
[0028]图11的(a)～(c)是变形例4的磁检测单元及测试头的电路图。
[0029]图12是表示变形例6的试验装置的图。
[0030]图13是表示磁场施加装置的结构例的图。
具体实施方式
[0031](实施方式的概要)
[0032]说明本公开的若干的例示性实施方式的概要。该概要作为后述的详细说明的开场，以实施方式的基本理解为目的来简化说明一个或多个实施方式的若干概念，不限定专利技术或公开的范围。而且，该概要不是能想到的全部实施方式的总括性的概要，不限定实施方式的不可或缺的构成要素。为了方便，“一实施方式”有时用于指代本说明书公开的一个实施方式(实施例、变形例)或者多个实施方式(实施例、变形例)。
[0033]一实施方式的试验装置对形成有包括磁阻存储器或磁传感器的被试验器件的被试验晶圆进行试验。试验装置是对形成有包括磁阻存储器或磁传感器的被试验器件的被试验晶圆进行试验的试验装置，具备：测试头；在试验工序中载置被试验晶圆的台；在试验工序中，能够对被试验晶圆进行探测接触的试验用探针卡；设置在试验用探针卡与测试头之间的连接单元；以及设置于连接单元，在试验工序中向被试验晶圆施加磁场的磁场施加装置。
[0034]电磁铁根据提供的电流量来使磁场强度变化，因此其自身成为发热体，因此会对周围的温度造成影响。根据本方案，能够通过晶圆将磁场施加装置与应进行温度控制的台分离。
[0035]在一实施方式中，对磁场施加装置的控制信号可以利用测试头与连接单元之间的既存的接口来传送。在将磁场施加装置设置于台的下侧或侧方的情况下，需要新追加用于传送对磁场施加装置的控制信号的布线、接口。相对于此，通过利用既存的接口，能够简化系统。
[0036]在一实施方式中，磁场施加装置可以具备：芯部；卷装于芯部的线圈；以及对线圈进行驱动的驱动电路。连接单元还具备从测试头接收对驱动电路的控制信号的接口电路。
[0037]在一实施方式中，磁场施加装置可以具备：芯部；以及卷装于芯部的线圈。对线圈进行驱动的驱动电路可以设置于连接单元的外部。
[0038]在一实施方式中，试验装置可以还具备：形成有多个磁检测单元，在试验装置的诊断工序中，取代被试验晶圆而被载置于台，通过各磁检测单元能够测定磁场施加装置产生的磁场的诊断用晶圆；在诊断工序中取代试验用探针卡被使用，对于诊断用晶圆能够进行探测接触的诊断用探针卡。
[0039]形成于诊断用晶圆的磁检测单元存在于与形成于被试验晶圆的被试验器件相同的高度处。因此，通过诊断用晶圆上的磁检测单元，能够准确地测定要向形成于被试验晶圆的被试验器件施加的外部磁场。磁检测单元的输出经由诊断用探针卡向测试头输入，能够有效利用测试头或测试器主体的硬件进行处理。
[0040](实施方式)
[0041]以下，以优选的实施方式为基础，参照附图来说明本公开。对于各附图所示的相同或同等的构成要素、构件、处理标注同一符号，适当省略重复的说明。而且，实施方式没有限定公开而是例示，实施方式记述的全部的特征、其组合未必是公开的实质性的特征、组合。
[0042](实施方式1)
[0043]图1是表示被试验晶圆10的图。在被试验晶圆10形成多个被试验器件12，通过切割而得到被试验器件12的芯片。在本实施方式中，被试验器件12为MRAM，具有构成MRAM单体的MTJ、其周边电路和接触用的多个引脚(电极)。虚线14表示能由后述的试验装置100E同时测定的范围(称为同测区域)，通常，试验装置100E同时测定多个(例如256个、128个等)被试验器件12。
[0044]图2是实施方式1的试验装置100E的框图。试验装置100E是对图1的被试验晶圆10进行试验的晶圆检査装置。试验装置100E具备测试器主体110、测试头120、台130、磁场施加装置140、晶圆连接HiFix150本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种试验装置，其对被试验晶圆进行试验，所述被试验晶圆形成有包括磁阻存储器或磁传感器在内的被试验器件，其特征在于，所述试验装置具备：测试头；台，其在试验工序中载置所述被试验晶圆；试验用探针卡，其在所述试验工序中，能够对所述被试验晶圆进行探测接触；连接单元，其设置在所述试验用探针卡与所述测试头之间；以及磁场施加装置，其设置于所述连接单元，在所述试验工序中向所述被试验晶圆施加磁场。2.根据权利要求1所述的试验装置，其特征在于，所述磁场施加装置具备：芯部；线圈，其卷装于所述芯部；以及驱动电路，其对所述线圈进行驱动，所述连接单元还具备从所述测试头接...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边直良，佐藤茂行，内海良一，
申请(专利权)人：株式会社东荣科学产业，
类型：发明
国别省市：