一种半导体器件、LED芯片及其转移方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件和LED芯片及其转移方法，LED芯片包括电极，通过在该电极背离LED芯片其他膜层的一侧设置凹槽，在LED芯片转移时利用该凹槽保护凹槽内部的键合材料不被刻蚀，从而可以实现只保留腔室区域内的键合材料，以实现LED芯片在转移过程中与基板之间的粘附力一致，继而提高LED芯片的拾取良率。继而提高LED芯片的拾取良率。继而提高LED芯片的拾取良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件、LED芯片及其转移方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种半导体器件、LED芯片及其转移方法。

技术介绍

[0002]现有显示面板的制造工艺中，在激光剥离时，要保证发光二极管和临时基板之间有足够强的粘附力，在随后的发光二极管拾取工艺中，又要求发光二极管与临时基板之间的粘附力尽量小，这样有利于发光二极管拾取良率的提高。
[0003]然而，在临时基板后处理工艺中，仍然存在发光二极管的拾取良率不高的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例致力于提供一种半导体器件和LED芯片及其转移方法，可以提高LED芯片的拾取良率。
[0005]根据本专利技术的一方面，本专利技术一实施例提供的一种LED芯片，包括：电极；所述电极背离所述LED芯片其他膜层的一侧设置凹槽。
[0006]在一实施例中，所述凹槽沿所述LED芯片厚度方向的侧面设置开口。
[0007]在一实施例中，所述开口的最小宽度小于所述开口所在的侧面对应的宽度的一半。
[0008]在一实施例中，所述开口沿所述LED芯片厚度方向的正投影形状包括如下形状中的任一种：梯形、弧形、方形。
[0009]根据本专利技术的另一方面，本专利技术一实施例提供的一种半导体器件，包括：基板；设置于所述基板一侧表面的键合层；其中所述键合层内包括键合材料；以及嵌入所述键合层内并与所述基板连接的LED芯片；其中，所述LED芯片包括如上任一项所述的LED芯片，所述LED芯片的所述电极连接所述基板。
[0010]在一实施例中，所述键合层沿所述基板和所述键合层层叠方向的厚度小于所述LED芯片沿该层叠方向的厚度。
[0011]根据本专利技术的另一方面，本专利技术一实施例提供的一种LED芯片转移方法，所述LED芯片包括电极，所述电极背离所述LED芯片其他膜层的一侧设置凹槽，所述转移方法包括：制备或获取基板；在所述基板一侧表面涂布键合层；将所述LED芯片的所述电极所在一侧嵌入所述键合层中并连接所述基板；转移所述LED芯片；以及刻蚀所述键合层。
[0012]在一实施例中，所述刻蚀所述键合层包括：通过通入干法刻蚀刻蚀所述键合层。
[0013]在一实施例中，所述刻蚀所述键合层包括：通入腐蚀气体刻蚀所述键合层。
[0014]在一实施例中，所述凹槽沿所述LED芯片厚度方向的侧面设置开口，所述刻蚀所述键合层包括：将所述腔室区域外部的所述键合层刻蚀掉。
[0015]本专利技术实施例提供的一种半导体器件和LED芯片及其转移方法，LED芯片包括电极，通过在该电极背离LED芯片其他膜层的一侧设置凹槽，在LED芯片转移时利用该凹槽保护凹槽内部的键合材料不被刻蚀，从而可以实现只保留腔室区域内的键合材料，以实现LED
芯片在转移过程中与基板之间的粘附力一致，继而提高LED芯片的拾取良率。
附图说明
[0016]图1所示为本申请一实施例提供的一种LED芯片转移沿垂直于厚度方向的剖面结构示意图。
[0017]图2所示为本申请另一实施例提供的一种LED芯片转移沿垂直于厚度方向的剖面结构示意图。
[0018]图3所示为本申请另一实施例提供的一种LED芯片转移沿垂直于厚度方向的剖面结构示意图。
[0019]图4所示为本申请一实施例提供的一种半导体器件的结构示意图。
[0020]图5所示为本申请一实施例提供的一种LED芯片转移方法的流程图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]此外，在示例性实施例中，因为相同的参考标记表示具有相同结构的相同部件或相同方法的相同步骤，如果示例性地描述了一实施例，则在其他示例性实施例中仅描述与已描述实施例不同的结构或方法。
[0023]在整个说明书及权利要求书中，当一个部件描述为“连接”到另一部件，该一个部件可以“直接连接”到另一部件，或者通过第三部件“电连接”到另一部件。此外，除非明确地进行相反的描述，术语“包括”及其相应术语应仅理解为包括所述部件，而不应该理解为排除任何其他部件。
[0024]一般批量转移发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)包括五个工艺：临时键合，激光剥离，临时基板后处理，发光二极管拾取，发光二极管邦定。现有显示面板的制造工艺中，在激光剥离时，要保证发光二极管和临时基板之间有足够强的粘附力，在随后的发光二极管拾取工艺中，又要求发光二极管与临时基板之间的粘附力尽量小，这样有利于发光二极管拾取良率的提高。由此可见，临时基板后处理工艺格外重要，通过后处理来改变发光二极管和临时基板的粘附力，可以开发更高良率的LED批量转移技术。专利技术人发现，在临时基板后处理工艺中，通常是将实现发光二极管与临时基板之间粘附的材料刻蚀掉，然而由于刻蚀的窗口不均匀，会导致各个LED与临时基板之间的粘附力差距较大，从而导致最终LED的拾取良率不高。为了提升拾取良率，专利技术人提出如下方案。
[0025]图1所示为本申请一实施例提供的一种LED芯片沿垂直于厚度方向的剖面结构示意图。如图1所示，该LED芯片3包括电极30以及其他膜层，其中电极30位于LED芯片3的一侧位置，电极30背离其他膜层的一侧设置凹槽31，即在LED芯片3的电极30侧设置凹槽31。
[0026]本申请实施例利用设置于电极30一侧的凹槽31对凹槽31内部的粘附材料形成一个保护空间，即在临时基板后处理工艺中，只有凹槽31外部的粘附材料被刻蚀掉，而凹槽31内部的粘附材料保留下来了，这样既能保证LED芯片与基板之间存在一定的粘附力，同时也
能够保证凹槽31内粘附材料的均匀性，从而保证了LED芯片与基板之间的粘附力一致性，从而提高了最终发光二极管的拾取良率。应当理解，本申请实施例中的LED芯片可以是微型LED芯片。可以理解，凹槽31在LED芯片厚度方向上可以不贯穿电极30，也可以贯穿电极30。
[0027]本专利技术实施例提供的一种LED芯片，LED芯片包括电极，通过在该电极背离LED芯片其他膜层的一侧设置凹槽，在LED芯片转移时利用该凹槽保护凹槽内部的键合材料不被刻蚀，从而可以实现只保留腔室区域内的键合材料，以实现LED芯片在转移过程中与基板之间的粘附力一致，继而提高LED芯片的拾取良率。
[0028]在一实施例中，如图1所示，凹槽31沿LED芯片3厚度方向的侧面上可以设置开口32。即在电极30沿LED芯片3的厚度方向的侧面上设置开口32，以实现凹槽31通过该开口32与电极30外部连通。通过设置开口32，在后期进行基板1与LED芯片3的剥离时，还可以由开口32对腔室区域31内部的键合材料进一步处理，以顺利实现基板1与LED芯片3之间的剥离操作。在进一步的实施例中，如图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：电极；所述电极背离所述LED芯片其他膜层的一侧设置凹槽。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽沿所述LED芯片厚度方向的侧面设置开口。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述开口的最小宽度小于所述开口所在的侧面对应的宽度的一半。4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述开口沿所述LED芯片厚度方向的正投影形状包括如下形状中的任一种：梯形、弧形、方形。5.一种半导体器件，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板一侧表面的键合层；其中所述键合层内包括键合材料；以及嵌入所述键合层内并与所述基板连接的LED芯片；其中，所述LED芯片包括如权利要求1至4中任一项所述的LED芯片，所述LED芯片的所述电极连接所述基板。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏继业，董小彪，姚志博，王岩，盛翠翠，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：