一种锂电池充电保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种锂电池充电保护电路，包括锂电池、外围电路、电池保护芯片和防反接保护电路，所述电池保护芯片通过所述外围电路与所述锂电池电连接，所述电池保护芯片用于对所述锂电池进行过充电保护和过放电保护。所述防反接保护电路与所述锂电池电连接，所述防反接保护电路用于对所述锂电池进行充电反接保护，本实用新型专利技术采用外围电路和电池保护芯片对锂电池进行过充电保护和过放电保护，采用防反接保护电路述锂电池进行充电反接保护，从而避免了锂电池充电过程中发生安全事故，并提高了锂电池的使用寿命。了锂电池的使用寿命。了锂电池的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种锂电池充电保护电路


[0001]本技术涉及电路保护
，尤其涉及一种锂电池充电保护电路。

技术介绍

[0002]锂电池是广泛使用在便携式设备中的可充电电池,由于其自身的特殊性对充电的要求极为严格,由此充电过程对锂电池的性能和使用寿命起着非常重要的作用，现有的一些锂电池用过程中存在过充电、过放电等问题，这些问题将会严重影响电池的性能与使用寿命，并可能产生大量气体，使电池内部压力迅速增大后爆炸而导致安全问题。
[0003]因此，提供一种新的技术方案改善上述问题，是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供一种锂电池充电保护电路，以解决上述技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种锂电池充电保护电路，包括锂电池、外围电路、电池保护芯片和防反接保护电路。
[0007]在上述的方案中，所述电池保护芯片通过所述外围电路与所述锂电池电连接，所述电池保护芯片用于对所述锂电池进行过充电保护和过放电保护。
[0008]在上述的方案中，所述防反接保护电路与所述锂电池电连接，所述防反接保护电路用于对所述锂电池进行充电反接保护。
[0009]在上述的方案中，所述电池保护芯片为S
‑
8209A锂电池保护芯片。
[0010]在上述的方案中，所述外围电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2、第一MOS晶体管M1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二MOS晶体管M2、第四电阻R4、第三MOS晶体管M3、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7，所述第一电阻R1的第一端与所述电池保护芯片的VDD引脚电连接，所述第一电阻R1的第二端与所述锂电池的正极和充放电端正极相连接，所述第一电容C1的第一端与所述电池保护芯片的VDD引脚电连接，所述第一电容C1的第二端与所述电池保护芯片的VSS引脚和所述锂电池的负极电连接，所述第二电容C2的第一端与所述电池保护芯片的CDT引脚电连接，所述第二电容C2的第一端与所述电池保护芯片的VSS引脚和所述锂电池的负极电连接，所述第一MOS晶体管M1的栅极与所述电池保护芯片的CB引脚电连接，所述第一MOS晶体管M1的源极与所述电池保护芯片的VSS引脚和所述锂电池的负极电连接，所述第二电阻R2的第一端与所述第一MOS晶体管M1的漏极电连接，所述第二电阻R2的第二端与所述锂电池的正极电连接，所述第一二极管D1的阳极与所述第一MOS晶体管M1的源极电连接，所述第一二极管D1的阴极与第一MOS晶体管M1的漏极电连接，所述第二MOS晶体管M2的栅极与所述电池保护芯片的CO引脚电连接，所述第二MOS晶体管M2的源极与充放电端负极相连接，所述第四电阻R4的第一端与所述第二MOS晶体管M2的栅极电连接，所述第四电阻R4的第二端与所述第二MOS晶体管M2的源极电连接，所述第三MOS晶体管M3的源极与所述第二MOS晶体管M2的漏极电连接，所述第三MOS晶体管M3的栅极与所述电池保护
芯片的DO引脚电连接，所述第五电阻R5的第一端与所述第三MOS晶体管M3的栅极电连接，所述第五电阻R5的第二端与所述第三MOS晶体管M3的源极电连接，所述第六电阻R6的第一端与所述电池保护芯片的CTLC引脚电连接，所述第六电阻R6的第二端与所述第三MOS晶体管M3的漏极电连接，所述第七电阻R7的第一端与所述电池保护芯片的CTLD引脚电连接，所述第七电阻R7的第二端与所述第六电阻R6的第二端和所述锂电池的负极电连接。
[0011]在上述的方案中，所述第一MOS晶体管M1、第二MOS晶体管M2和第三MOS晶体管M3均为N沟道MOS晶体管。
[0012]在上述的方案中，所述第一二极管D1为肖特基二极管。
[0013]在上述的方案中，所述防反接保护电路包括第一三极管Q1、第八电阻R8、第九电阻R9、第二三极管Q2、第十电阻R10、第十一电阻R11、第三三极管Q3、蜂鸣器H、第二二极管D2、第十二电阻R12、第三二极管D3和第十三电阻R13，所述第一三极管Q1的发射极与直流电源输入端Input电连接，所述第八电阻R8的第一端与所述第一三极管Q1的基极电连接，所述第九电阻R9的第一端与所述第一三极管Q1的集电极电连接，所述第二三极管Q2的集电极与所述第八电阻R8的第二端电连接，所述第二三极管Q2的基极与所述第九电阻R9的第二端电连接，所述第二三极管Q2的发射极接至地，所述第十电阻R10的第一端与所述第九电阻R9的第一端电连接，所述第十电阻R10的第二端接至地，所述第十一电阻R11的第一端与所述第一三极管Q1的发射极电连接，所述第三三极管Q3的发射极与所述第十一电阻R11的第二端电连接，所述蜂鸣器H的第一端与所述第三三极管Q3的基极电连接，所述第二二极管D2的阳极与所述蜂鸣器H的第二端和所述第十电阻R10的第一端电连接，所述第十二电阻R12的第一端与所述第二二极管D2的阴极电连接，所述第十二电阻R12的第二端与所述锂电池的负极电连接并接至地，所述第三二极管D3的阳极与所述第三三极管Q3的集电极电连接，所述第十三电阻R13的第一端与所述第三二极管D3的阴极电连接，所述第十三电阻R13的第二端与所述锂电池的正极和所述第二二极管D2的阳极电连接。
[0014]在上述的方案中，所述第一三极管Q1和所述第三三极管Q3为PNP型三极管，所述第二三极管Q2为NPN型三极管。
[0015]在上述的方案中，所述第二二极管D2和所述第三二极管D3均为发光二极管。
[0016]综上所述，本技术的有益效果是：采用外围电路和电池保护芯片对锂电池进行过充电保护和过放电保护，采用防反接保护电路述锂电池进行充电反接保护，从而避免了锂电池充电过程中发生安全事故，并提高了锂电池的使用寿命。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。
[0018]图1为本技术锂电池充电保护电路的组成示意图。
[0019]图2为电池保护芯片和外围电路的电路图。
[0020]图3为防反接保护电路的电路图。
具体实施方式
[0021]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施方式和附
图，对本技术做进一步详细说明。在此，本技术的示意性实施方式及其说明用于解释本技术，但并不作为对本技术的限定。
[0022]如图1所示，本技术的一种锂电池充电保护电路，包括锂电池、外围电路、电池保护芯片和防反接保护电路。
[0023]下面结合附图对本技术上述各模块间的连接关系做进一步详细说明。
[0024]在本技术上述的方案中，所述电池保护芯片通过所述外围电路与所述锂电池电连接，所述电池保护芯片用于对所述锂电池进行过充电保护和过放电保护。
[0025]在本技术上述的方案中，述防本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锂电池充电保护电路，其特征在于，包括：锂电池、外围电路、电池保护芯片和防反接保护电路；所述电池保护芯片通过所述外围电路与所述锂电池电连接，所述电池保护芯片用于对所述锂电池进行过充电保护和过放电保护；所述防反接保护电路与所述锂电池电连接，所述防反接保护电路用于对所述锂电池进行充电反接保护。2.根据权利要求1所述的锂电池充电保护电路，其特征在于，所述电池保护芯片的型号为S
‑
8209A。3.根据权利要求1所述的锂电池充电保护电路，其特征在于，所述外围电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2、第一MOS晶体管M1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二MOS晶体管M2、第四电阻R4、第三MOS晶体管M3、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7，所述第一电阻R1的第一端与所述电池保护芯片的VDD引脚电连接，所述第一电阻R1的第二端与所述锂电池的正极和充放电端正极相连接，所述第一电容C1的第一端与所述电池保护芯片的VDD引脚电连接，所述第一电容C1的第二端与所述电池保护芯片的VSS引脚和所述锂电池的负极电连接，所述第二电容C2的第一端与所述电池保护芯片的CDT引脚电连接，所述第二电容C2的第一端与所述电池保护芯片的VSS引脚和所述锂电池的负极电连接，所述第一MOS晶体管M1的栅极与所述电池保护芯片的CB引脚电连接，所述第一MOS晶体管M1的源极与所述电池保护芯片的VSS引脚和所述锂电池的负极电连接，所述第二电阻R2的第一端与所述第一MOS晶体管M1的漏极电连接，所述第二电阻R2的第二端与所述锂电池的正极电连接，所述第一二极管D1的阳极与所述第一MOS晶体管M1的源极电连接，所述第一二极管D1的阴极与第一MOS晶体管M1的漏极电连接，所述第二MOS晶体管M2的栅极与所述电池保护芯片的CO引脚电连接，所述第二MOS晶体管M2的源极与充放电端负极相连接，所述第四电阻R4的第一端与所述第二MOS晶体管M2的栅极电连接，所述第四电阻R4的第二端与所述第二MOS晶体管M2的源极电连接，所述第三MOS晶体管M3的源极与所述第二MOS晶体管M2的漏极电连接，所述第三MOS晶体管M3的栅极与所述电池保护芯片的DO引脚电连接，所述第五电阻R5的第一端与所述第三MOS晶体管M3的栅极电连接，所述第五电阻R5的第二端与所述第三MOS晶体管M3的源极电连接，所述第六电阻R6的第一端与所述电池保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：余伟，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院杭州商业技工学校，
类型：新型
国别省市：