一种甚低频NDB发射机功率放大电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种甚低频NDB发射机功率放大电路，包括：输入端RF_in；滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in；变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11；功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三。本实用新型专利技术电路简单、调试方便、输出功率大、频率响应好且稳定可靠。频率响应好且稳定可靠。频率响应好且稳定可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种甚低频NDB发射机功率放大电路


[0001]本技术属于功放系统
，具体涉及一种甚低频NDB发射机功率放大电路。

技术介绍

[0002]无方向性信标(简称NDB)是国际民航组织标准的近程导航设备，其具体作用为引导飞机沿预定航线，完成从一个信标台到另一个信标台的飞行，引导飞机进、离场，完成进场着陆和离场飞行。
[0003]现有技术中，公知的NDB无方向信标机中的功率放大器功耗大、效率低、失真度大且体积大，不能满足甚低频功放高效率，响应快的要求。随着无线通信与航空交通的高速发展，越发需要一种体积小、效率高、调试方便且稳定可靠的功率放大器。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种甚低频NDB发射机功率放大电路，电路简单、调试方便、输出功率大、频率响应好、非线性失真小、稳定可靠。
[0005]本技术提供了如下的技术方案：
[0006]本申请提出一种甚低频NDB发射机功率放大电路，包括：
[0007]输入端RF_in；
[0008]滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，所述滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in；
[0009]变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11；
[0010]功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，所述功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三，漏极还连接变压器T1的一次侧，所述功率放大MOS管U2的栅极连接有电阻R2后连接滤波组二和变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧和滤波组四，所述功率放大MOS管U3的栅极连接有电阻R3后连接变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧；
[0011]输出端RF_out，所述输出端RF_out连接传输电容C11。
[0012]优先地，所述功率放大MOS管U3的漏极连接有扼流圈L1且通过扼流圈L1连接滤波组四，所述扼流圈L1采用以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件。
[0013]优先地，所述滤波组一包括滤波电容C2和滤波电容C3，所述滤波电容C2一端连接滤波电容C3一端、Vgg端、传输电容C1远离输入端RF_in一端和功率放大MOS管的栅极，所述滤波电容C2另一端和滤波电容C3另一端均接地。
[0014]优先地，所述滤波组二包括滤波电容C4和滤波电容C5，所述滤波电容C4一端连接滤波电容C5一端、Vgg端、电阻R2和变压器T1的二次侧，所述滤波电容C4另一端和滤波电容C5另一端均接地。
[0015]优先地，所述滤波组三包括滤波电容C6和滤波电容C7，所述滤波电容C6一端连接滤波电容C7一端、VDD端、反馈电阻R1和变压器T1的一次侧，所述滤波电容C6另一端和滤波电容C7另一端均接地。
[0016]优先地，所述滤波组四包括滤波电容C8和滤波电容C9，所述滤波电容C8一端连接滤波电容C9一端、VDD端和扼流圈L1，所述滤波电容C8另一端和滤波电容C9另一端均接地。
[0017]优先地，所述变压器T1阻抗比为4/1，磁环匝数比为2/1。
[0018]优先地，所述变压器T2阻抗比为1/4，磁环匝数比为1/4。
[0019]优先地，所述匹配电容C10远离变压器T2一端接地。
[0020]本技术的有益效果是：体积小、效率高、电路简单、调试方便、输出功率大、频率响应好、非线性失真小、稳定可靠等优点，极大程度的减少所需元器件、降低了系统成本，增加了产品使用寿命，扩展了产品的应用场合。
附图说明
[0021]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0022]图1是本技术的电路连接示意图。
具体实施方式
[0023]本申请提出一种甚低频NDB发射机功率放大电路，包括：
[0024]如图1所示，输入端RF_in。
[0025]如图1所示，滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，用于滤除干扰信号。滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in。滤波组一包括滤波电容C2和滤波电容C3，滤波电容C2一端连接滤波电容C3一端、Vgg端、传输电容C1远离输入端RF_in一端和功率放大MOS管的栅极，滤波电容C2另一端和滤波电容C3另一端均接地。滤波组二包括滤波电容C4和滤波电容C5，滤波电容C4一端连接滤波电容C5一端、Vgg端、电阻R2和变压器T1的二次侧，滤波电容C4另一端和滤波电容C5另一端均接地。滤波组三包括滤波电容C6和滤波电容C7，滤波电容C6一端连接滤波电容C7一端、VDD端、反馈电阻R1和变压器T1的一次侧，滤波电容C6另一端和滤波电容C7另一端均接地。滤波组四包括滤波电容C8和滤波电容C9，滤波电容C8一端连接滤波电容C9一端、VDD端和扼流圈L1，滤波电容C8另一端和滤波电容C9另一端均接地。
[0026]如图1所示，变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1阻抗比为4/1，磁环匝数比为2/1。变压器T2阻抗比为1/4，磁环匝数比为1/4。变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11，匹配电容C10远离变压器T2一端接地。
[0027]如图1所示，功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三，漏极还连接变压器T1的一次侧，反馈电阻R1可通过输出信号的变压控制输入信号，便于进行调试。功率放大MOS管U2的栅极连接有电阻R2后连接滤波组二和变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧和滤波组四，功率放大MOS管U3的栅极连接有电阻R3后
连接变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧。功率放大MOS管U3的漏极连接有扼流圈L1且通过扼流圈L1连接滤波组四，扼流圈L1采用以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件。
[0028]如图1所示，输出端RF_out，输出端RF_out连接传输电容C11。传输电容C1和C11为封装为1206 1uF的电容，使输出功率较大。
[0029]以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：包括：输入端RF_in；滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，所述滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in；变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11；功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，所述功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三，漏极还连接变压器T1的一次侧，所述功率放大MOS管U2的栅极连接有电阻R2后连接滤波组二和变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧和滤波组四，所述功率放大MOS管U3的栅极连接有电阻R3后连接变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧；输出端RF_out，所述输出端RF_out连接传输电容C11。2.根据权利要求1所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述功率放大MOS管U3的漏极连接有扼流圈L1且通过扼流圈L1连接滤波组四，所述扼流圈L1采用以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件。3.根据权利要求1所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述滤波组一包括滤波电容C2和滤波电容C3，所述滤波电容C2一端连接滤波电容C3一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：金鹏，石坚，夏长智，
申请(专利权)人：南京汉瑞微波通信有限公司，
类型：新型
国别省市：