一种LED发光装置制造方法及图纸

本申请提供了一种LED发光装置，包括封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一LED芯片、第二LED芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片和第二LED芯片包括第一导电型半导体层、设置在所述第二导电型半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；第一封装层，覆盖所述第一LED芯片；第二封装层，至少覆盖所述第二LED芯片；其特征在于：所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积大于所述第二封装层覆盖所述封装基板的正投影面积，所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积为所述封装基板的正投影面积的10%

【技术实现步骤摘要】
一种LED发光装置


[0001]本技术涉及LED封装
，特别是涉及一种LED发光装置。

技术介绍

[0002]LED芯片因为其优良的性能得到快速发展。其中紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值，尤其是在杀菌消毒方面的应用，引起了人们的高度关注，成为了新的研究热点。
[0003]现有的常规深紫外LED封装结构，主要是采用陶瓷碗杯作为承载基板和石英玻璃封装罩体。但是由于空腔，且陶瓷碗杯存有一定的厚度，因此封装结构存在着体积过大，且价格昂贵的缺点，又由于LED芯片发出的光先从衬底（如蓝宝石衬底，折射率约1.76）到空气（一般认为折射率为1），再到石英玻璃（折射率约1.4），所以导致封装结构的出光效率低下。
[0004]另外还有一些用平面陶瓷基板，模制硅胶的封装形式。这种封装形式主要缺点是深紫外光(290nm以下)对硅胶具有很强的破坏性，长时间照射容易胶裂，而且硅胶对深紫外光透射率相对来说比较低。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种LED发光装置，包括：
[0006]封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；
[0007]第一LED芯片、第二LED芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片和第二LED芯片包括第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；
[0008]第一封装层，覆盖所述第一LED芯片；
[0009]第二封装层，至少覆盖所述第二LED芯片；
[0010]其特征在于：所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积大于所述第二封装层覆盖所述封装基板的正投影面积，所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积为所述封装基板的正投影面积的10%
‑
40%。
[0011]进一步地，所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积为所述封装基板的正投影面积比介于的10%
‑
25%。
[0012]进一步地，所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积为所述封装基板的正投影面积比介于25%
‑
40%。
[0013]进一步地，在所述封装基板第一表面的垂直方向上，所述第一LED芯片的厚度介于200
‑
800μm时，所述第一封装层侧壁的厚度介于100
‑
900μm，所述第二封装层侧壁的厚度介于100
‑
900μm。
[0014]进一步地，所述第一LED芯片的厚度介于300
‑
500μm时，所述第一封装层的厚度为200
‑
600μm，所述第二封装层侧壁的厚度介于200
‑
600μm。
[0015]进一步地，所述第一封装层侧壁的厚度小于所述第一LED芯片的厚度，所述第一封
装层侧壁的厚度为100
‑
700μm，所述第二封装层侧壁的厚度介于100
‑
700μm。
[0016]进一步地，所述第一封装层侧壁的厚度大于所述第一LED芯片的厚度，所述第一封装层侧壁的厚度为300
‑
900μm，所述第二封装层侧壁的厚度介于300
‑
900μm。
[0017]进一步地，所述第二封装层环绕所述第一封装层。
[0018]进一步地，所述第二封装层包括两部分，第一部分和第二部分分别位于所述第一封装层的不同侧。
[0019]进一步地，所述第一封装层和所述第二封装层之间至少存在一个接合面。
[0020]进一步地，所述第一封装层侧壁和所述第二封装层侧壁至少存在一个接合面。
[0021]进一步地，还包括第三芯片，所述第二封装层覆盖所述第三芯片表面。
[0022]进一步地，所述第一封装层为含氟材料。
[0023]进一步地，所述第二封装层为硅胶或环氧树脂。
[0024]与现有技术相比，本申请的有益效果至少如下：
[0025]（1）本申请通过将封装层分为第一封装层和第二封装层，第一封装层覆盖封装基板的正投影面积为封装基板的正投影面积的10%
‑
40%，从而可以减少含氟材料的体积，降低封装层胶裂的风险，从而提高LED发光装置的可靠性；
[0026]（2）本申请通过将封装层分为第一封装层和第二封装层，减少封装层表面的凸起数量，在后端贴片制程中减少漏封的概率，极大提高产品的良率。
附图说明
[0027]图1是根据第一实施例的发光装置的平面图。
[0028]图2是在图1中示出的根据第一实施例的发光装置省略了第一封装层和第二封装层的俯视图。
[0029]图3是沿着根据在图1和图2中示出的第一实施例的发光装置的线A1
‑
A1'截取的剖视图。
[0030]图4是根据第二实施例的发光装置的平面图。
[0031]图5是沿着根据在图4中示出的第二实施例的发光装置的线B1
‑
B1'截取的剖视图。
[0032]附图标记说明：
[0033]100：LED发光装置；110：封装基板；111：电极焊盘；113：功能区；114：非功能区；116：凹槽；117：金属层；121：第一LED芯片；122：第二LED芯片；123：第三芯片；1101：第一表面；1102：第二表面；131：第一封装层；132：第二封装层。
具体实施方式
[0034]以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
[0035]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”和“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定
的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0036]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0037]在本申请的附图中，封装基板110第一表面1101可由x轴和y轴限定，并且垂直于封装基板110第一表面1101的法线方向可以是z轴。在本实施例中，封装基板110第一表面1101沿x轴方向的水平宽度可以等于沿y轴方向的水平宽度，但不限于此。
[0038]第一实施例
[0039]图1是根据本技术第一实施例的LED发光装置100的平面图，图2是在图1中示出的根据第一实施例的发光装置100省略了第一封装层和第二封装层的俯视图，图3是根据在图1和图2中示出的第一实施例的发光装置100沿着线A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED发光装置，包括：封装基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一LED芯片、第二LED芯片，设置在所述封装基板第一表面上，所述第一LED芯片和第二LED芯片包括第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；第一封装层，覆盖所述第一LED芯片；第二封装层，至少覆盖所述第二LED芯片；其特征在于：所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积大于所述第二封装层覆盖所述封装基板的正投影面积，所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积为所述封装基板的正投影面积的10%
‑
40%。2.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积为所述封装基板的正投影面积的10%
‑
25%。3.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，所述第一封装层覆盖所述封装基板的正投影面积为所述封装基板的正投影面积比介于的25%
‑
40%。4.根据权利要求1所述的LED发光装置，其特征在于，在所述封装基板第一表面的垂直方向上，所述第一LED芯片的厚度介于200
‑
800μm时，所述第一封装层侧壁的厚度介于100
‑
900μm，所述第二封装层侧壁的厚度介于100
‑
900μm。5.根据权利要求4所述的LED发光装置，其特征在于，所述第一LED芯片的厚度介于300
‑
500μm时，所述第一封装层...

【专利技术属性】
技术研发人员：林秋霞，刘健，李达诚，黄森鹏，余长治，徐宸科，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：