设备的元件如此被磁化以致产生围绕元件的磁场结构。为达到这一点,利用磁化线圈并使元件和磁化线圈互相相对运动,磁化线圈载有基本上恒定幅度的交变电流,以及信号电流。最好,在信号电流和予计磁场结构之间有相位差。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。这种装置包含一个硬磁材料元件。该方法包括这样一个步骤,在这个步骤中借助一个或多个磁化线圈产生磁场结构使该元件被磁化。包含一个产生磁场结构的硬磁材料元件的装置例子首先包括阴极射线管,例如在显示装置或示波器、电子显微镜以及NMR(核磁共振)装置中的阴极射线管。从英国专利申请GB2000635A中了解到一个在公开段落中提到类型的方法。在GB2000635中介绍了制造一种装置,在这种情况下制造一种用于显示装置的阴极射线管的方法。在该方法中,环状元件由包括若干安排在所说环状元件附近的线圈的线圈系统来磁化。阴极射线管包括用于产生三个电子束的电子枪,显示屏以及用于从显示屏这头到那头偏转电子束的偏转机构。由磁化元件产生的磁场结构影响从电子枪到显示屏路径上的电子束。借此,有关电子束在屏上的形状,位置或着陆角的误差能够被校正。这通过磁化与在图象显示上观察到的差错有关的元件来达到。元件的磁化是通过在将下降的交变电流加到线圈系统的那些线圈的同时将信号电流加到线圈系统的一个或多个线圈上来进行的。然而,该已知的方法有若干缺点。用于磁化的线圈系统有比较高的能量消耗并占有大的空间。已发现影响电子束的可能性实际上受到限制。误差的校正引进新的误差,新的误差比较小但很难甚至不可能校正。本专利技术的一个目的是提供减少一个或多个所说缺点的一个方法。为达此目的,根据本专利技术的方法的特征是在基本上恒定幅度的交变电流以及信号电流通过磁化线圈的同时磁化线圈和元件在元件磁化时彼此相对运动。根据本专利技术的方法一般说需要较小的能量并更准确,即由元件产生的磁场能够达到的准确度对预定的场产生的对应的准确度而言更高。根据技术状况磁化的元件产生的磁场呈现不希望有的高次分量。这些高次分量在磁化时围绕磁化线圈的线圈边缘位置产生,和/或围绕分离磁元件的边缘产生,和/或由元件中的非均匀性产生。这些高次分量在已知的方法中通过增加磁化线圈和元件间的距离能够被减小,然而这增加能量消耗。在根据本专利技术的方法中磁化线圈和元件的相对运动以及其中元件被磁化的方式使得在磁场结构中呈现上述的不希望有的高次分量的减少。这就导致了磁场结构有较高准确度。相对运动和加上交变电流(借此产生比较快变化磁偏置场)以及一个或多个信号电流加到磁化线圈使得边缘效应减小。所说的边缘效应(在以前的技术中出现,例如围绕磁化线圈或围绕分离元件的边缘出现)是元件附近磁场结构中不希望有的高次分量产生的部分原因。因为磁化线圈的容积一般说比较小,所以磁化过程需要较少的能量。不是象以前技术那样使用例如八个磁化线圈而是用较少的,如一、二个的线圈就足够。最好只用一个磁化线圈。本专利技术很适用于阴极射线管其包含产生电子束的装置(例如电子枪),所说的电子束在工作时通过元件的磁场结构运动。磁场结构的不准确性对电子束的形状和位置产生有害的影响。关于阴极射线管,消除或减少磁场结构中的不准确性是特别重要的。阴极射线管包含用于偏转电子束的装置,在其中工作时电子束在磁场结构中的位置由电子束的偏转来控制。如果一个电子束(或者一些电子束,如果已产生多于一个的电子束)在磁场结构中的位置依赖于电子束的偏转,则由在磁场结构中的不准确性引起的误差依赖于偏转(即位置相关的)。这些动态误差的校正比恒定的亦即静态的误差的校正困难。最好是元件和磁化线圈以这样方式互相相对运动,即至少元件的一部分在一次运动中被磁化二次。结果至少元件的一部分被“重写”,亦即被磁化二次。在磁场结构中的陡然过渡因而被避免或减少。在这些实施例中,当线圈和元件相对运动继续时最好出现交变电流和信号电流的幅度减小的结果。当线圈和元件相对运动继续时,通过减少所说电流的幅度,消除元件磁化呈现陡然过渡。这些过渡引起磁场结构中特别高次分量中的不准确性。本专利技术的种种方面据下面参照在此所描述的实施例的说明将显示易见。在附图中附图说明图1表示一个显示装置。图2是一个用环状磁化元件提供的偏转机构的正视图。图3说明已知方法。图4和图5说明在按照已知方法制造的装置中的磁元件的磁场结构。图6说明根据本专利技术的方法的一个实施例。图7A到7F说明经过线圈的信号电流和该例中的环状元件的磁化及围绕它的磁场之间的关系。图8说明棒状元件的磁化。图9表示围绕棒状元件的磁场。图10说明一个根据本专利技术的方法的实施例。图没划标度。在这些图中,同样的标号一般系指同样的元件。彩色显示装置1(图1)装有一个包含显示窗3的真空外壳2,锥形部分4和颈5。所说的颈5容纳一个用于产生3个电子束7、8和9的电子枪6。显示屏10在显示窗的内侧上被提供。所说的显示屏10包含了发红、绿和蓝光的荧光元件的荧光图形。在它们到显示屏的路径上,电子束7、8和9借助偏转机构11从显示屏10这头到那头偏转并穿过了安排在显示窗3前面的障板12,障板12包含一个有小孔13的薄板。障板用悬挂装置14悬挂在显示窗中。3个电子束以一个很小的互相相对角度会聚并通过障板的小孔,因此每个电子束只射落到一个颜色的荧光元件上。图2是一个从荧光屏看偏转机构11的正视图。偏转机构11里面有2个偏转线圈26和27以及环状可磁化元件25。在根据技术水平的方法中,元件25被装有若干磁化线圈32的磁化线圈系统31磁化,如图3中所示。线圈产生一个磁场,由此元件25被磁化。元件25产生一个磁场,由此电子束的形状和路径在工作期间受到影响。图4和5说明环状元件25的磁场结构。环状元件25被按十字形式排列的4个线圈32磁化。元件25有2个北极(N)和2个南极(S)(图4)。磁场H(其在离元件25内侧41的短距离上的强度用在图5中按线51计算的角度φ的函数来表示)呈现2个有大致对应于线圈32尺寸的宽度D的最大和最小值。在最大和最小值之间的场强近似为零。于是,磁场H有4极分量。然而,除了4极分量磁场还包括高次分量,亦即12极、20极和28极分量。虚线52示意地表示一个4极场。线51和52之间的差形成一个包括12极分量和所说的高次分量的场。换言之,除了4极分量,场结构51还包含12极分量和高次分量。高次分量的强度和尺寸不能按意志选择,但由所应用的方法决定。通过加大线圈32或在离元件25的较大距离上安排所说的线圈,12极分量的强度能够被减小。然而,这占据空间并涉及能量消耗。高次多极的强度一般地比低次多极的强度按到元件25的距离的函数呈现强的衰减。消除不希望有的高次多极更重要,因为靠近元件的场结构的准确度成为更重要。如果电子束被偏转并因而束和元件间的距离由所说的偏转来控制,这点特别重要。图6说明根据本专利技术的方法的2个实施例。在第一个实施例中,带有磁芯61的线圈60被具有恒定幅度A的交变电流64(偏置电流)和信号电流65激励。在同时,如在图中用箭头66所示,环状元件25被旋转。该线圈产生了主要与环成直角延伸的磁场H1。磁场H1使得环状元件25被磁化。元件25的磁化和由此而引起的靠近元件的场结构由信号电流65和运动66决定。磁化线圈系统占据比已知的磁化线圈系统小的空间。借助于线圈的相对运动和所说的线圈被磁化的方式,元件25的磁化能够被准确地确定。本专利技术的另一优点在于元件材料中不均匀性(例如厚度和/或元件的成分、擦痕和/裂缝的变化),这也可导致由元件产生的磁场中的有不希望有的分量仍能够被满意地补偿。不均匀性能够本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造包含硬磁材料元件的装置的方法,该方法包括用一个或多个磁化线圈磁化元件产生磁场结构这一步骤,其特征在于基本上恒定幅度的交变电流和信号电流通过磁化线圈的同时,磁化线圈和元件在元件磁化时彼此相对运动。
【技术特征摘要】
EP 1997-8-4 97202429.31.一种制造包含硬磁材料元件的装置的方法,该方法包括用一个或多个磁化线圈磁化元件产生磁场结构这一步骤,其特征在于基本上恒定幅度的交变电流和信号电流通过磁化线圈的同时,磁化线圈和元件在元件磁化时彼此相对运动。2.如权利要求1中所述的方法,其特征在于装置是一个阴极射线管,其包含用于产生电子束的装置,所说的电子束在工作时经过磁场结构作运动。3.如权利要求2中所述的方法,其特征在于阴极射线管包含用于偏转电子束的装置,并且在工作时...
【专利技术属性】
技术研发人员:JM瑞格罗克,MLA弗林藤,AA维尔胡斯特,CM斯密特,
申请(专利权)人:皇家菲利浦电子有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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