四站式处理模块的前级管道组件制造技术

技术编号:31081250 阅读:25 留言:0更新日期:2021-12-01 11:57
提供了一种用于四站式处理模块(QSM)的前级管道组件。在一些示例中,该前级管道组件包含:四个入口,每个入口能连接至所述QSM的处理模块的室端口;和出口,其能直接或间接连接至真空源。第一前级管道分岔邻近所述前级管道组件的所述出口而设置。两个第二分岔各自设置在所述第一前级管道分岔与相应的成对的所述入口之间。所述第一前级管道分岔和所述第二分岔将所述前级管道组件分为三个管段。各管段中的前级管道的相应的直径:在从所述入口中的至少一者至所述前级管道组件的所述出口的气体流方向上在相应的分岔处逐步增加,且在所述前级管道组件的相应的管段内不变。管道组件的相应的管段内不变。管道组件的相应的管段内不变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】四站式处理模块的前级管道组件
优先权主张
[0001]本申请要求于2019年4月19日申请的美国临时专利申请No.62/836,501的优先权,其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开内容涉及前级管道组件及配置,且尤其涉及针对半导体制造应用中的四站式处理模块(QSM)而配置的前级管道组件。

技术介绍

[0003]前级管道组件通常连接至处理室或模块下方的真空源,且在晶片处理期间从室排空废气。前级管道组件的常规配置可能使保养下方室硬件非常困难。一些模块的下部极为拥挤,使得增加新的硬件变得困难。尤其是,一些下方室硬件因为由前级几何形状及位置所指定的基座升降方向而特别难以养护。
[0004]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

[0005]本公开内容总体上涉及一种用于四站式处理模块(QSM)的前级管道组件。在一些实施方案中,该前级管道组件包含:四个入口,每个入口能连接至所述QSM的处理模块的室端口;出口,其能直接或间接连接至真空源;第一前级管道分岔,其邻近所述前级管道组件的所述出口而设置;两个第二分岔,每个第二分岔设置在所述第一前级管道分岔与相应的成对的所述入口之间;所述第一分岔和所述第二分岔将所述前级管道组件分为三个管段:第一管段,其从所述入口延伸至所述两个第二分岔,第二管段,其从所述两个第二分岔延伸至所述第一分岔,和第三管段,其从所述第一分岔延伸至所述前级管道组件的所述出口;其中各管段中的前级管道的相应的直径:在从所述入口中的至少一者至所述前级管道组件的所述出口的气体流方向上在相应的分岔处逐步增加,且在所述前级管道组件的相应的管段内不变。
[0006]在一些示例中,所述第一管段中的前级管道的直径在38.1mm(约1.5英寸)至63.5mm(约2.5英寸)的范围内,所述第二管段中的前级管道的直径在63.5mm(约2.5英寸)至88.9mm(约3.5英寸)的范围内,且所述第三管段中的前级管道的直径在88.9mm(约3.5英寸)至114.3mm(约4.5英寸)的范围内。在一些示例中,所述第一管段中的所述前级管道的直径为50.8mm(约2英寸),所述第二管段中的前级管道的直径为76.2mm(约3英寸),且所述第三管段中的所述前级管道的直径为101.6mm(约4英寸)。
[0007]在一些示例中,所述前级管道组件还包含设置在所述第二分岔的每一者处的T形连接器。在一些示例中,所述T形连接器包含朝外收缩的锥形段,所述锥形段将所述第一管
段中的前级管道的直径过渡至所述第二管段中的前级管道的直径。在一些示例中,所述T形连接器与所述QSM的下侧之间的分隔距离被配置成容纳所述T形连接器与所述QSM的下侧之间的部件。
[0008]在一些示例中,所述前级管道组件的所述第一管段包含四个前级管道,所述前级管道相应包含沿着所述前级管道而间隔设置的三个基本上呈直角的弯管。在一些示例中,每个弯管设置在相应的入口与相应的第二分岔之间。在一些示例中,所述第一管段中的前级管道是总体上连续且无可分离的接头或管套节。
[0009]在一些示例中,所述前级管道组件的所述第二管段包含两个前级管道,每个前级管道包含设置在所述第一分岔与相应的第二分岔之间的基本上呈直角的弯管。在一些示例中,所述前级管道组件还包含设置在每个呈直角的弯管的上端处或朝每个呈直角的弯管的上端而设置的可分离的管套节。在一些示例中,每个管套节包含两个相对的凸缘。在一些示例中,当安装至所述QSM时,所述相对的凸缘各位于水平平面中。
[0010]在一些示例中,所述前级管道组件的所述第三管段包含充气室,所述充气室被设置在所述第一前级管道分岔处。
[0011]在一些示例中,所述前级管道组件还包含筒管件,所述筒管件包含慢速泵入口、四乙基正硅酸盐或四乙基硅氧烷(TEOS)转接件、气体盒转接件、前体或其他转接件、黑斯廷斯量规端口、以及波纹管中的一者或更多者。
附图说明
[0012]一些实施方案通过示例且非通过限制并参照附图而进行说明:
[0013]图1

4显示了衬底处理工具的示意图,其中可配置本公开内容的示例性前级管道组件。
[0014]图5为包含四站式处理模块的示例性衬底处理工具的示意图,其中可配置本公开内容的示例性前级管道组件。
[0015]图6

8显示了根据示例性实施方案的安装至QSM的前级管道组件及相关部件的示例性配置。
[0016]图9

10显示了根据示例性实施方案的前级管道组件(为了清楚起见而未安装至QSM)的立体视图。
[0017]图11显示了根据示例性实施方案的筒管件的立体视图。
[0018]图12为根据示例性实施方案显示方法中的操作的流程图。
具体实施方式
[0019]以下描述包含体现本公开内容的说明性实施方案的系统、方法、技术、指令序列、以及计算机器程序产品。在以下描述中,为了说明的目的,提出若干具体细节以提供对示例性实施方案的透彻理解。然而,对于本领域技术人员而言,显而易见,本公开内容可以在不具有这些具体细节的情况下实施。
[0020]本专利文件的公开内容的部分可能包含受到版权保护的材料。版权所有人不反对由任何人传真复制在专利商标局的专利档案或记录中出现的专利文件或专利公开内容,但在其他方面皆保留所有版权。以下通知适用于下述且在形成本文件的一部分的附图中的任
何数据:Lam Research Corporation版权所有2019

2020,保留所有权利。
[0021]衬底处理系统可用于执行沉积、蚀刻和/或其他例如半导体晶片之类的衬底的处理。在处理期间,将衬底设置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上。在蚀刻或沉积期间,分别将包括一或更多种蚀刻气体或气体前体的气体混合物引入处理室中,且可激励等离子体以使化学反应活化。
[0022]衬底处理系统可包含设置在制造室内的多个衬底处理工具。这些衬底处理工具中的每一者可包含多个处理模块。通常,衬底处理工具包含多达六个的处理模块。
[0023]现参照图1,显示了示例性衬底处理工具100的俯视图。衬底处理工具100包含多个处理模块104。在一些示例中,处理模块104中的每一者可配置成在衬底上执行一或更多种相应的工艺。待处理衬底经由设备前端模块(EFEM)108的装载站的端口装载至衬底处理工具100中,且接着被转移至处理模块104中的一或更多者中。举例而言,衬底可先后装载至处理模块104中的每一者中。现参照图2,显示了包含多个衬底处理工具208的制造室204的示例性配置200。
[0024]图3显示了包含第一衬底处理工具304和第二衬底处理工具308的第一示例性配置300。第一衬底处理工具304和第二衬底本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于四站式处理模块(QSM)的前级管道组件,该前级管道组件包含:四个入口,每个入口能连接至所述QSM的处理模块的室端口;出口,其能直接或间接连接至真空源;第一前级管道分岔,其邻近所述前级管道组件的所述出口而设置;两个第二分岔,每个第二分岔设置在所述第一前级管道分岔与相应的成对的所述入口之间;所述第一分岔和所述第二分岔将所述前级管道组件分为三个管段:第一管段,其从所述入口延伸至所述两个第二分岔,第二管段,其从所述两个第二分岔延伸至所述第一分岔,和第三管段,其从所述第一分岔延伸至所述前级管道组件的所述出口;其中各管段中的前级管道的相应的直径:在从所述入口中的至少一者至所述前级管道组件的所述出口的气体流方向上在相应的分岔处逐步增加,且在所述前级管道组件的相应的管段内不变。2.根据权利要求1所述的前级管道组件,其中所述第一管段中的前级管道的直径在38.1mm(约1.5英寸)至63.5mm(约2.5英寸)的范围内,所述第二管段中的前级管道的直径在63.5mm(约2.5英寸)至88.9mm(约3.5英寸)的范围内,且所述第三管段中的前级管道的直径在88.9mm(约3.5英寸)至114.3mm(约4.5英寸)的范围内。3.根据权利要求2所述的前级管道组件,其中所述第一管段中的所述前级管道的直径为50.8mm(约2英寸),所述第二管段中的前级管道的直径为76.2mm(约3英寸),且所述第三管段中的所述前级管道的直径为101.6mm(约4英寸)。4.根据权利要求1所述的前级管道组件,其还包含设置在所述第二分岔的每一者处的T形连接器。5.根据权利要求4所述的前级管道组件,其中所述T形连接器包含朝外收缩的锥形段,所述锥形段将所述第一管段中的前级管道的直径过渡至所述第二管段中的前级管道的直径。6.根据权利要求4所述的前级管道组件,其中所述T形连接器与所述QSM的下侧之间的分隔距离被配置成容纳所述T形连接器与所述QSM的下侧之间的部件。7.根据权利要求1所述的前级管道组件,其中所述前级管道组件的所述第一管段包含四个前级管道,所述前级管道相应包含沿着所述前级管道而间隔设置的三个基本上呈直角的弯管。8.根据权利要求7所述的前级管道组件,其中每个弯管设置在相应的入口与相应的第二分岔之间。9.根据权利要求7所述的前级管道组件,其中所述第一管段中的前级管道是总体上连续且无可分离的接头或管套节。10.根据权利要求1所述的前级管道组件,其中所述前级管道组件的所述第二管段包含两个前级管道,每个前级管道包含设置在所述第一分岔与相应的第二分岔之间的基本上呈直角的弯管。11.根据权利要求10所述的前级管道组件,其还包含设置在每个呈直角的弯管的上端处...

【专利技术属性】
技术研发人员:米格尔
申请(专利权)人:朗姆研究公司
类型:发明
国别省市:

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