混合组合物制造技术

本发明专利技术的组合物是选自下述式(G1)表示的金属化合物和其缩合物中的至少1种金属化合物(G)、聚硅氮烷(F)以及包含硅氧烷链的化合物(H)的混合组合物。M(R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】混合组合物


[0001]本专利技术涉及一种聚硅氮烷、包含硅氧烷链的化合物以及金属化合物的混合组合物。

技术介绍

[0002]在各种显示装置、光学元件、半导体元件、建筑材料、汽车部件、纳米压印技术等中，有时因液滴附着于基材的表面而产生如下问题：基材污染或腐蚀，进而由该污染、腐蚀所致的性能降低等。因此，在这些领域中，要求基材表面的拒液性良好。
[0003]专利文献1中记载了一种涂敷组合物，其是将至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团键合于硅原子的有机硅化合物与水解性基团键合于金属原子的金属化合物混合而得到的，并公开了由该涂敷组合物得到的被膜能够兼具拒水－拒油性和耐光性、耐热性。另外，专利文献2记载了一种组合物，是将具有至少1个三烷基甲硅烷基和2个以上水解性硅基的有机硅化合物与在金属原子上键合有至少1个水解性基团的金属化合物混合而得到的，并公开了该组合物能够提供一种除了拒水性以外，耐热性和耐光性也良好的被膜。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2016/068138号
[0007]专利文献2：日本特开2017－119849号公报

技术实现思路

[0008]然而，专利文献1和2中，在耐磨损性方面留有研究的余地。另外，还存在如下问题：使涂敷剂固化而形成被膜时，为了以实用的速度形成，需要加热。
[0009]本专利技术人等为了解决上述课题而反复进行了深入研究，结果发现，通过将聚硅氮烷、包含硅氧烷链的化合物以及金属化合物的混合组合物用作基材与拒液层之间的中间层用的涂敷剂(中间层形成用组合物)，能够在不损害拒液性的情况下提高制成被膜时的耐磨损性，优选在常温下也能够以实用的速度固化，完成了本专利技术。本专利技术如下。
[0010][1]一种混合组合物，是选自下述式(G1)表示的金属化合物和其缩合物中的至少1种金属化合物(G)、聚硅氮烷(F)以及包含硅氧烷链的化合物(H)的混合组合物。
[0011]M(R
g10
)
r
(A
g1
)
m
‑
r
ꢀꢀ
(G1)
[0012][式(G1)中，M表示Al、Fe、In、Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr或Ta，R
g10
表示含有烃链的基团或氢原子，r为0或1。多个A
g1
各自独立地表示水解性基团，m与金属原子M对应地为3～5的整数][0013][2]根据[1]所述的组合物，其中，相对于上述聚硅氮烷(F)、上述包含硅氧烷链的化合物(H)以及上述金属化合物(G)的合计质量，上述包含硅氧烷链的化合物(H)和上述金属化合物(G)的质量比为5～95％。
[0014][3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，聚硅氮烷(F)具有下述式(f1)表示的结构
单元。
[0015][0016][式(f1)中，R
f11
、R
f12
和R
f13
各自独立地表示氢原子、可具有取代基的碳原子数1～10的烃基、或烷基甲硅烷基][0017][4]根据[3]所述的组合物，其中，聚硅氮烷(F)具有上述式(f1)中的R
f11
和R
f12
中的至少一者为碳原子数1～10的烃基的结构单元(f2)。
[0018][5]根据[4]所述的组合物，其中，聚硅氮烷(F)除了上述结构单元(f2)以外还进一步具有下述式(f3)表示的结构单元。
[0019][0020][式(f3)中，R
f31
和R
f32
各自独立地表示氢原子或碳原子数1～10的烃基，Y
f
表示碳原子数1～10的2价烃基，多个X
f
各自独立地表示水解性基团][0021][6]根据[1]～[5]中任一项所述的组合物，其中，包含硅氧烷链的化合物(H)为下述式(H1)表示的化合物。
[0022][0023][式(H1)中，R
h1
表示具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链，A
h1
各自独立地表示水解性基团，Z
h1
表示具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链、含有硅氧烷骨架的基团、或含有烃链的基团，R
h1
和Z
h1
的三烷基甲硅烷基中包含的氢原子可以被取代为氟原子，x表示0～3的整数][0024][7]根据[6]所述的化合物，其中，上述式(H1)中，R
h1
为下述式(s3)表示的基团。
[0025][0026][式(s3)中，多个R
s1
各自独立地表示烃基或三烷基甲硅烷氧基，该烃基或三烷基甲硅烷氧基中包含的氢原子可以被取代为氟原子，
[0027]多个R
s2
各自独立地表示碳原子数1～10的烷基，
[0028]n1表示1以上的整数，
[0029]Z
s1
表示－O－或2价烃基，该2价烃基中包含的－CH2－可以取代为－O－。
[0030]Y
s1
表示单键或－Si(R
s2
)2－L
s1
－，该L
s1
表示2价烃基，该2价烃基中包含的－CH2－可以取代为－O－][0031][8]根据[1]～[7]中任一项所述的组合物，其中，聚硅氮烷(F)、包含硅氧烷链的化合物(H)以及金属化合物(G)的合计量为0.2质量％以上且小于2.6质量％。
[0032][9]根据[1]～[8]中任一项所述的组合物，其中，包含硅氧烷链的化合物(H)的量小于0.3质量％。
[0033][10]根据[1]～[9]中任一项所述的组合物，用于基材与拒液层的中间层。
[0034][11]根据[10]所述的组合物，其中，上述拒液层为通过硅烷醇基的脱水缩合反应而形成的膜。
[0035]应予说明，上述混合组合物还包含混合后、例如保存中进行反应而得的物质。
[0036]通过将本专利技术的混合组合物用作中间层形成用组合物，能够提供一种具有优异的耐磨损性的被膜。另外，作为优选的方式，通过将本专利技术的混合组合物用作中间层形成用组合物，即便在常温下也能够以实用的速度进行被膜的固化。
具体实施方式
[0037]以下，依次对聚硅氮烷(F)、包含硅氧烷链的化合物(H)和金属化合物(G)进行说明。
[0038]1.聚硅氮烷(F)
[0039]本专利技术中的聚硅氮烷(F)只要是具有硅－氮键的化合物就没有特别限定，优选具有下述式(f1)表示的结构单元。
[0040][0041][式(f1)中，R
f11
、R
f12
和R
f13
各自独立地表示氢原子、可具有取代基的碳原子数1～10的烃基、或烷基甲硅烷基][0042]作为R
f11
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种混合组合物，是选自下述式(G1)表示的金属化合物和其缩合物中的至少1种金属化合物(G)、聚硅氮烷(F)和包含硅氧烷链的化合物(H)的混合组合物，M(R
g10
)
r
(A
g1
)
m
‑
r
ꢀꢀꢀꢀ
(G1)式(G1)中，M表示Al、Fe、In、Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr或Ta，R
g10
表示含有烃链的基团或氢原子，r为0或1，多个A
g1
各自独立地表示水解性基团，m与金属原子M对应地为3～5的整数。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，相对于所述聚硅氮烷(F)、所述包含硅氧烷链的化合物(H)以及所述金属化合物(G)的合计质量，所述包含硅氧烷链的化合物(H)和所述金属化合物(G)的质量比为5～95％。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，聚硅氮烷(F)具有下述式(f1)表示的结构单元，式(f1)中，R
f11
、R
f12
和R
f13
各自独立地表示氢原子、可具有取代基的碳原子数1～10的烃基、或烷基甲硅烷基。4.根据权利要求3所述的组合物，其中，聚硅氮烷(F)具有所述式(f1)中的R
f11
和R
f12
中的至少一者为碳原子数1～10的烃基的结构单元(f2)。5.根据权利要求4所述的组合物，其中，聚硅氮烷(F)除了所述结构单元(f2)以外还进一步具有下述式(f3)表示的结构单元，式(f3)中，R
f31
和R
f32
各自独立地表示氢原子或碳原子数1～10的烃基，Y
f
表示碳原子数1～10的2价烃基，多个X
f
各自独...

【专利技术属性】
技术研发人员：德田真芳，樱井彩香，伊藤友宏，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：