半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体处理装置。所述半导体处理装置包括：第一承载板，具有用于承载晶圆的第一承载区；对准结构，包括发射器和接收器，在沿平行于所述第一承载板表面的方向上，所述发射器和所述接收器分布于所述第一承载区的相对两外侧，所述第一方向为平行于所述第一承载板表面的方向，所述发射器用于向所述接收器发射检测信号，所述接收器用于检测是否接收到所述检测信号，若否，则确认所述晶圆的位置与所述第一承载区未对准。本发明专利技术能够及早发现晶圆位置偏移问题，避免了因晶圆位置偏移而导致的半导体处理效果较差的问题，改善了晶圆处理效果，提高了半导体产品的良率和产率。了半导体产品的良率和产率。了半导体产品的良率和产率。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体处理装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外，在其上制造IC的晶圆尺寸变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。
[0003]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等半导体器件的制造工艺中，光刻是至关重要的步骤。但是，由于当前半导体处理装置本身结构的限制，无法检测晶圆在半导体处理装置内的位置是否对准，从而易导致半导体处理装置的处理结果较差，例如无法检测晶圆在光刻装置内部的位置，导致光刻图案的特征尺寸经常出现异常，影响半导体产品的良率，严重时甚至导致晶圆的报废。
[0004]因此，如何改善半导体制程中半导体处理效果，例如减少甚至是避免光刻图案的特征尺寸出现异常的情况，从而提高半导体产品的良率，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体处理装置，用于解决现有的半导体处理工艺处理晶圆的效果较差的问题，以提高半导体处理效果，改善半导体产品的良率和产率。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体处理装置，包括：<br/>[0007]第一承载板，具有用于承载晶圆的第一承载区；
[0008]对准结构，包括发射器和接收器，在沿平行于所述第一承载板表面的方向上，所述发射器和所述接收器分布于所述第一承载区的相对两外侧，所述第一方向为平行于所述第一承载板表面的方向，所述发射器用于向所述接收器发射检测信号，所述接收器用于检测是否接收到所述检测信号，若否，则确认所述晶圆的位置与所述第一承载区未对准。
[0009]可选的，所述发射器和所述接收器的数量均为多个，且多个所述发射器与多个所述接收器一一对准。
[0010]可选的，所述检测信号为光信号。
[0011]可选的，所述光信号为激光信号或者红外光信号。
[0012]可选的，还包括：
[0013]第二承载板，具有用于承载所述晶圆的第二承载区，且所述第二承载板与所述第一承载板沿第一方向平行分布，所述第一方向平行于所述第一承载板的表面；
[0014]所述发射器位于所述第二承载板上、且所述接收器位于所述第一承载板上；或者，所述发射器位于所述第一承载板上、且所述接收器位于所述第二承载板上。
[0015]可选的，所述发射器位于所述第二承载板远离所述第一承载板一侧的边缘位置，
所述接收器位于所述第一承载板远离所述第二承载板一侧的边缘。
[0016]可选的，所述发射器的数量为两个，且两个所述发射器沿第二方向分布于所述第二承载板上的相对两侧，所述第二方向为平行于所述第一承载板表面且与所述第一方向相交的方向；
[0017]所述接收器的数量为两个，且两个所述接收器沿所述第二方向分布于所述第一承载板上的相对两侧，两个所述发射器与两个所述接收器一一对准。
[0018]可选的，所述第二承载板为热板，所述热板用于对曝光后的所述晶圆进行烘烤；
[0019]所述第一承载板为冷板，所述冷板用于对烘烤后的所述晶圆进行冷却。
[0020]可选的，还包括：
[0021]传输结构，用于将所述晶圆自所述第二承载板传输至所述第一承载板，并根据所述对准结构的对准结果调整所述晶圆在所述第一承载板上的位置。
[0022]可选的，所述光信号的传播路径的投影与所述第一承载板的边缘重合。
[0023]可选的，所述光信号的传播路径的投影位于所述第一承载板内，且与所述第一承载区的边缘相切。
[0024]可选的，所述光信号的传播路径的投影位于所述第一承载板内，且与所述第一承载区之间具有间隙。
[0025]可选的，所述发射器和所述接收器均位于所述第一承载板上。
[0026]可选的，所述对准结构还包括：
[0027]控制器，用于调整所述发射器发射所述检测信号的频率和/或所述接收器接收所述检测信号的频率。
[0028]可选的，还包括：
[0029]环形温度计，位于所述第一承载区中，用于测量位于所述第一承载区中的所述晶圆的温度。
[0030]本专利技术提供的半导体处理装置，通过增设对准结构，并使得所述对准结构中的发射器和接收器分布于第一承载板的第一承载区的相对两侧，通过检测接收器是否接收到所述发射器发射的检测信号，来判断晶圆在所述第一承载板上的位置是否与所述第一承载区对准，从而能够及早发现晶圆位置偏移问题，避免了因晶圆位置偏移而导致的半导体处理效果较差的问题，改善了晶圆处理效果，提高了半导体产品的良率和产率。
附图说明
[0031]附图1A是本专利技术具体实施方式中半导体处理装置的一种结构示意图；
[0032]附图1B是本专利技术具体实施方式中半导体处理装置的另一种结构示意图；
[0033]附图2A和2B是本专利技术具体实施方式中晶圆位置与第一承载区对准时的示意图；
[0034]附图3A和3B是本专利技术具体实施方式中晶圆位置未与第一承载区对准时的示意图。
具体实施方式
[0035]下面结合附图对本专利技术提供的半导体处理装置的具体实施方式做详细说明。
[0036]本具体实施方式提供了一种半导体处理装置，附图1A是本专利技术具体实施方式中半导体处理装置的一种结构示意图。如图1A所示，本具体实施方式提供的半导体处理装置，包
括：
[0037]第一承载板11，具有用于承载晶圆的第一承载区111；
[0038]对准结构，包括发射器13和接收器14，在沿平行于所述第一承载板11表面的方向上，所述发射器13和所述接收器14分布于所述第一承载区111的相对两外侧，所述发射器13用于向所述接收器14发射检测信号，所述接收器14用于检测是否接收到所述检测信号，若否，则确认所述晶圆的位置与所述第一承载区111未对准。
[0039]具体来说，所述半导体处理装置包括用于对晶圆进行半导体工艺处理的处理腔室10，所述处理腔室10内具有所述第一承载板11。所述第一承载板11的中部为用于承载所述晶圆的第一承载区111。当所述晶圆位于所述第一承载板11上且与所述第一承载区111对准时，所述半导体处理装置能够对所述晶圆进行正常的半导体工艺处理；当所述晶圆位于所述第一承载板11上、但与所述第一承载区111未对准时，所述半导体处理装置不能够对所述晶圆进行正常的半导体工艺处理。所述晶圆与所述第一承载区111对准是指，所述晶圆的中心与所述第一承载区111的中心对准或者所述晶圆的中心与所述第一承载区111的中心的偏移量小于预设值。所述晶圆与所述第一承载区111未对准是指，所述晶圆的中心本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：第一承载板，具有用于承载晶圆的第一承载区；对准结构，包括发射器和接收器，在沿平行于所述第一承载板表面的方向上，所述发射器和所述接收器分布于所述第一承载区的相对两外侧，所述发射器用于向所述接收器发射检测信号，所述接收器用于检测是否接收到所述检测信号，若否，则确认所述晶圆的位置与所述第一承载区未对准。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射器和所述接收器的数量均为多个，且多个所述发射器与多个所述接收器一一对准。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述检测信号为光信号。4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述光信号为激光信号或者红外光信号。5.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：第二承载板，具有用于承载所述晶圆的第二承载区，且所述第二承载板与所述第一承载板沿第一方向平行分布，所述第一方向平行于所述第一承载板的表面；所述发射器位于所述第二承载板上、且所述接收器位于所述第一承载板上；或者，所述发射器位于所述第一承载板上、且所述接收器位于所述第二承载板上。6.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射器位于所述第二承载板远离所述第一承载板一侧的边缘位置，所述接收器位于所述第一承载板远离所述第二承载板一侧的边缘。7.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射器的数量为两个，且两个所述发射器沿第二方向分布于所述第二承载板上的相对两侧，所述第二方向为平行于所述第一承载板的表面且与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林启群，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：