铁化合物粒子粉末与使用该粉末的磁记录介质制造技术

本发明专利技术提供可获得表面平滑性良好的重层涂布型磁记录介质的非磁性层（下层）用的非磁性粉末。由ＴＥＭ像求出的长轴的几何标准偏差大于１．５，同样求出的短轴的几何标准偏差大于１．３５的铁化合物粒子粉末。尤其是，设Ｌ为由ＴＥＭ像求出的平均长轴长（ｎｍ），设Ｄ为同样求出的平均短轴长（ｎｍ）时，满足下述（１）式与（２）式的至少一式的铁化合物粒子粉末作为优选使用对象。［长轴长为Ｌ／２以下的粒子的累计个数］／［长轴长为２Ｌ以下的粒子的累计个数］≥０．５……（１）；［短轴长为Ｄ／２以下的粒子的累计个数］／［短轴长为２Ｄ以下的粒子的累计个数］≥０．５……（２）；作为铁化合物粒子可举出赤铁矿或氢氧化正铁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于构成重层涂布型磁记录介质的非磁性层的非磁性粒子粉末的铁化合物粒子粉末，与使用该粉末的磁记录介质。
技术介绍
近年，更希望磁记录介质增加记录容量，提高可靠性。因此，带的结构也从过去的在基膜上直接设磁性层的形态，开发了在基膜上设非磁性层(下层)作为中间层，在该非磁性层上设磁性层(上层)的重层结构的磁带。通过采用重层结构可改善电磁变换特性，实现更高的高记录密度化。另外，带的耐久性得到改善，可靠性也提高。作为身边使用的重层涂布型磁记录介质可举出家庭用录相带等，尤其是，作为近年的用途广泛使用的是信息存贮用途的介质。近来信息量猛增，至今仍在不断地进行在有限的范围内记录尽可能多的信息量的尝试。为了在介质中写入尽量多的信息量，可考虑增加带的卷数或谋求介质的高密度化等。增加带卷数时必须相应地尽量使带厚度减薄，介质高密度化时必须相应地使记录的领域尽量地窄。为了构筑与这些要求相适应的重层涂布型记录介质，不仅要提高磁性体的性能，而且也强烈要求对磁性层与基膜间的非磁性层(下层)改善特性。作为下层要求的重要的要求特性之一，可举出涂布在基膜上时的“表面平滑性”。通过使下层的表面平滑化使上层的磁性层变得更平滑，因此可实现电磁变换特性好的磁记录介质，这关系到高记录密度化。通过以往的研究熟知磁性层的表面平滑性是由构成处于该磁性层正下面的非磁性层的非磁性粒子所控制的(例如非专利文献1等)。专利文献1记载了下层材料使用短轴径和长轴径的几何学标准偏差值σg作为长轴为1.5或更低，作为短轴为1.3或更低的粒度分布一致的赤铁矿粒子粉末时，可获得表面平滑性好的介质。专利文献2，3等记载了通过规定长轴长的几何标准偏差值σg，仍可获得表面平滑性好的磁记录介质。专利文献4记载了通过将平均长轴长不同的2种的粉末群混合，却使粒度分布恶化，在下层非磁性层中使用这种混合粉末可形成表面平滑性好的基底层。专利文献5、6记载了在非磁性层中添加具有2种或更多种类的粒径的粉末使粒度分布变化。特开2000-143250号公报[专利文献2]特开平6-060362号公报[专利文献3]特开平9-170003号公报[专利文献4]特开2001-160212号公报[专利文献5]特开平5-242455号公报[专利文献6]特开平6-267059号公报[非专利文献1]电子信息通信学会技术研究报告，Vol.95，No.383(MR 95)，p.44-55。
技术实现思路
为了改善磁记录介质的表面平滑性，以专利文献1为首的以往方法的大多数指向粒子均匀齐整的方面，结果作为所得介质的表面平滑性仍不能说是充分的。即，将粒度分布均匀齐整化对改善表面平滑性有限，希望采用其他的方法彻底地改善。另外，专利文献1的场合，即使将粒子尺寸的几何标准偏差值设在特定的值以下，但与由TEM像形状近似时的比表面积的值大的场合(密度低的场合)相比较，实测的比表面积值增高的场合，产生推定由粘度高所引起的介质表面性的恶化。因此，比起粒子的形状的调整，起因于粒子的“高密度化”更带有使粒子的表面性变化带来的效果，只用粒子的形状很难说充分地公开了改善表面平滑性的方法。据公开了不同的2种或更多种的粒子混合方法的专利文献4提示，优选混合的2种或更多种的粒子分别具有小的几何标准偏差值，估计混合有2种或更多种的粒子的场合也并不是得到那么大的几何标准偏差值。该专利文献4提示的技术中，虽然“表观的”几何标准偏差值大，但不能因此断言堆积好，进而不能称介质表面的表面平滑性充分地得到改善。本专利技术目的在于提供在下层使用时可稳定并且显著改善磁记录介质表面平滑性的粉末。专利技术者们详细研究的结果，发现使用由TEM(透射式电子显微镜)像求出的粒子的粒径分布中，使长轴长或者短轴长的偏差一定程度地增大的粉末可以达到上述目的。即，本专利技术提供由TEM像求出的长轴的几何标准偏差大于1.5的铁化合物粒子粉末，或同样求出的短轴的几何标准偏差大于1.35的铁化合物粒子粉末。更优选同时满足这些几何标准偏差值的铁化合物粒子粉末。另外，提供设L为由TEM像求得的平均长轴长(nm)，设D为同样求得的平均短轴长(nm)时，满足下述(1)式与(2)式的至少一式的铁化合物粒子粉末。/[长轴长为2L或更低的粒子的累计个数]≥0.5……(1)[短轴长为D/2或更低的粒子的累计个数]/[短轴长为2D或更低的粒子的累计个数]≥0.5……(2)这些中，尤其是采用JIS K5101规定的煮沸法测定的粉体pH小于8的，铁化合物粒子中含有稀土类元素(Y、Sc也作为稀土类元素对待)，或含有P的铁化合物粒子作为优选使用的对象。作为铁化合物粒子可举出赤铁矿或氢氧化正铁(iron oxyhydroxide)。这样的非磁性粒子粉末适于涂布型磁记录介质的非磁性层。根据本专利技术使用适当规定有关铁化合物粒子形状分布的粉末，可稳定地提高重层涂布型磁记录介质中的非磁性层(下层)的表面平滑性。因此，实施磁性层(上层)后的介质的表面平滑性得到改善，可实现记录密度的进一步改善与提高可靠性。具体实施例方式本专利技术的铁化合物粒子粉末是规定利用如后述的TEM像的粒径测定求得的长轴长、短轴长的值算出的长轴、短轴的几何标准偏差的铁化合物粒子粉末。即，是满足i)和ii)的至少一方的铁化合物粒子粉末。i)长轴的几何标准偏差大于1.5。ii)短轴的几何标准偏差大于1.35。发现这种一定程度宽的粒度分布对作为涂料涂布时的表面平滑性的提高极有效。估计此时小的粒子进入大的粒子之间而填埋间隙的效果高，作为结果表面平滑性提高的缘故。但是，变成太宽的粒度分布时，由于小的粒子与大的粒子的粒径差太大，有时降低填埋上述间隙的效果，故优选长轴的几何标准偏差在大于1.5小于等于3.0的范围，更优选1.6～2.5。短轴的几何标准偏差优选在大于1.35小于等于3.0的范围，更优选1.4～2.5。另外，作为其粒度分布，设L为由TEM像求得的平均长轴长(nm)，D为同样求得的平均短轴长(nm)时，最好满足下述(1)式与(2)式的至少一式。/[长轴长为2L或更低的粒子的累计个数]≥0.5……(1)[短轴长为D/2或更低的粒子的累计个数]/[短轴长为2D或更低的粒子的累计个数]≥0.5……(2)不满足(1)式的场合，小粒子的个数比例不够，小粒子的大部以只埋没在大粒子间原来产生的间隙中的形式存在，不能充分发挥填埋间隙形成的表面平滑性的提高效果，因此表面容易变粗糙。不满足(2)式的场合也是同样，种种研究的结果，最好至少满足(1)式或(2)式。更优选(1)式、(2)式右边均为0.55或更高，更优选为0.6或更高。有这种特殊粒度分布的铁化合物粒子粉末，可通过在该化合物粉末化的工序中实施粉碎处理获得。例如作为铁化合物粒子以赤铁矿为对象时，在大气中烧成氢氧化正铁，赤铁矿化后，对完成烧成的赤铁矿进行机械粉碎。此时全部粒子中不是粉碎所有量，而是粉碎处理某一定的量，通过使其比例种种变化可以对粒度分布进行种种调整，可以在同一个批量内一步制造含微细粒子和比较粗大粒子的粉末。并且除此之外，再通过改变粒子的粉碎方法(装置)也可同样地把粒度分布调整到任意的状态。通过进行这样的操作，可制得有上述特殊粒度分布的粉末。更具体地进行说明，粉碎设备没有特殊限制，但为了获得本专利技术规定的粉末，特优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
铁化合物粒子粉末，其特征在于由ＴＥＭ像求出的长轴的几何标准偏差大于１．５。

【技术特征摘要】
JP 2005-6-27 2005-1859191.铁化合物粒子粉末，其特征在于由TEM像求出的长轴的几何标准偏差大于1.5。2.铁化合物粒子粉末，其特征在于由TEM像求出的短轴的几何标准偏差大于1.35。3.铁化合物粒子粉末，其特征在于由TEM像求出的长轴的几何标准偏差大于1.5，并且短轴的几何标准偏差大于1.35。4.权利要求1～3所述的铁化合物粒子粉末，其特征在于设L为由TEM像求出的平均长轴长(nm)时，满足下述(1)式。[长轴长为L/2或更低的粒子的累计个数]/[长轴长为2L或更低的粒子的累计个数]≥0.5……(1)5.权利要求2～3所述的铁化合物粒子粉末，其特征在于设D为由TEM像求出的平均短轴长(nm)时，满足下述(2)式。[短轴长为D/2或更低的粒子的累计个数]/[短轴长为2D或更低的粒子的累计个数]≥0.5……(2)6.权利要求1～3所述的铁化合物粒子粉末，...

【专利技术属性】
技术研发人员：绀野慎一，上山俊彦，井上健一，吉田贵行，井上贤，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]